referat (722484), страница 4
Файл №722484 referat (Технология получения монокристаллического Si) 4 страницаreferat (722484) страница 42016-08-012016-08-01СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!
Текст из файла (страница 4)
| Параметр | Метод Чохральского | Метод зонной плавки |
| Максимальный диаметр пластины, мм | 150 - 400 | 200 |
| Удельное сопротивление p- тип, Ом ·см | 0.005-50 | 0.1-3000 |
| Удельное сопротивление n- тип, Ом ·см | 0.005-50 | 0.1-800 |
| Ориентация | [111], [110], [100] | [111], [100] |
| Время жизни неосновных носителей, мкс | 10-50 | 100-3000 |
| Содержание кислорода, атом/см2 | 10-100 | <10 |
| Содержание углерода, атом/см2 | 10 | <10 |
Литература
-
Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов Ю.М. Таиров В.Ф.Цветков Москва «Высшая школа» 1990г
-
Оборудование полупроводникового производства Блинов, Кожитов, ”МАШИНОСТРОЕНИЕ” 1986г
-
Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. Л.П.Павлов. Москва. «Высшая школа». 1975г
42
Характеристики
Тип файла
Документ
Размер
334 Kb
Тип материала
Предмет
Учебное заведение
Неизвестно
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
