63732 (695435), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Триодный тиристор (Тринистор, Thristordiode, Triode thyristor) – тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры и один вывод от управляющей.

Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwart sperrende Thyristortriode, Reverse blocking triode thyristor) – триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования.

Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende Thyristortriode, Reverse conducting triode thyristor) – триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямим напряжением в открытом состоянии.

Симметричный триодный тиристор (Триак, Zweirichtllngsthmstortrio, Bi-directional triode thyristor Triac) – триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий электрод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.

Запираемый тиристор (Abschaltbarer Thyristor, Turm-off thyristor) – тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот при подаче на управляющий электрод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Тиристор с инжентирующим управляющим электродом p-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, Р-gate thyristor) – тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод положительного, по отношению к катоду сигнала.

Тиристор с ннжектируюшнм управляющим электродом n-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, N-gate thyristor) – тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод отрицательного по отношению к аноду сигнала.

Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении (Avalanche reverse blocking thyristor) – тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики обратного непроводящего состояния.

Комбинированно-выключаемый тиристор – тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.

Импульсный тиристор (Pulse thyristor) – тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор (Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Semiconductor optoelectronic device) – полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий когерентное или некогерентное электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

Полупроводниковый излучатель (Halblelterstrahler, Semiconductor photoemitter) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в оптической области спектра.

Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор (Semiconductor character display) ГОСТ 25066-81

Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора (Приемник излучения) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним.

Оптопара (Optoelektronischer Koppler, Photocoupler, optocoupler) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция.

Резисторная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фоторезистора.

Диодная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фотодиода.

Транзисторная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фототранзистора.

Тиристорная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фототиристора.

Полупроводниковый прибор отображения информации (Lichtemitteranzeige (LEA), Semiconductor optoelectronic display) – полупроводниковый излучатель энергии видимой области спектра, предназначенный для отображения визуальной информации.

Дифференциальная диодная оптопара – диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя.

Тиристорная оптопара с симметричным выходом – тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным фототиристором.

Светоизлучающий диод (Lichtemitterdiode (LED), Light-emitting diode (LED)) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.

Полупроводниковый экран (Semiconductor analog indicator) – полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащий n строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации.

Инфракрасный излучающий диод (Infrarotemitterdiode (IRED), Infra-red-emitting diode) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасном диапазоне спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.

Фотодиод – ГОСТ 21934-83

Фототранзистор

Фоторезистор

Фототиристор – тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект.

Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе.

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе.

Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока.

Оптоэлектронный коммутатор переменного тока оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока.

Оптоэлектронный переключатель логических сигналов оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе.

Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.

Октрон оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу.

Отражательный октрон октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от излучателя.

Щелевой октрон октрон, в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку.

Волстрон оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу.

Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления.

Оптопреобразователь оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема оптического излучения.

Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии.

Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам.

Элементы конструкции

Вывод полупроводникового прибора (Anschluss eines Halbleiterbauelementes, Terminal of a semiconductor device) – элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.

Основной вывод полупроводникового прибора (Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes, Main terminal) – вывод, через который протекает основной ток.

Катодный вывод полупроводникового прибора (Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Cathode terminal of a semiconductor device) - вывод, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь.

Анодный вывод полупроводникового прибора (Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Anode terminal of a semiconductor device) – вывод, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи.

Управляющий вывод полупроводникового прибора (Gate terminal of a semiconductor device) – вывод, через который течет, только ток управления.

Корпус полупроводникового прибора (Gehause eines Halbleiterbauelementes, Package of a semiconductor device) – часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов.

Бескорпусный полупроводниковый прибор (Gehauseloses Halbleiterbauelement, Beam lead semiconductor device) – полупроводниковый прибор, защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре.

Полупроводниковый излучающий элемент – часть полупроводникового прибора отображения информация, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме.

Электрод полупроводникового прибора (Electrode of a semiconductor device) – часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом.

Характеристики

Список файлов реферата