63732 (695435), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Открытое состояние тиристора (Durchlasszustand eines Thyristors, On-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики.

Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении (Sperrzustand eines Thyristors, Reverse blocking state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя.

Переключение тиристора (Umschalten eines Thyristors, Switching of a thyristors) – переход тиристора из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на выводе управляющего электрода.

Включение тиристора (Zunden eines Thyristors, Gate triggering of a thyristor) – переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления.

Выключение тиристора (Ausschalten eines Thyristors, Gate turning-off of a thyristor) – переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления.

Виды полупроводниковых приборов

Полупроводниковый прибор (Halbleiterbauelement, Semiconductor device) – прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника.

Силовой полупроводниковый прибор (Halbleiterleistungsbauelement, Semiconductor power device) – полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств.

Полупроводниковый блок (Semiconductor assembly) – совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.

Набор полупроводниковых приборов (Semiconductor assembly set) – совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.

Полупроводниковый диод (Halbleiterdiode, Semiconductor diode) – полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами.

Точечный полупроводниковый диод (Halbleiterspitzendiode, Point contact diode) – полупроводниковый диод с точечным переходом.

Плоскостной полупроводниковый диод (Halbleiterflachendiode, Junction diode) – полупроводниковый диод с плоскостным переходом.

Выпрямительный полупроводниковый диод (Halbleiterleichrichterdiode, Semiconductor rectifier diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.

Лавинный выпрямительный диод (Avalanche rectifier diode) – выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики.

Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем (Controlled-avalanche rectifier diode) – выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольтамперной характеристики.

Выпрямительный полупроводниковый столб (Semiconductor rectifier stack) – совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.

Выпрямительный полупроводниковый блок (Semiconductor rectifier assembly) – полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов.

Импульсный полупроводниковый диод (Halbleiterimpulsdiode, Signal diode) – полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Полупроводниковый диод с резким восстановлением обратного сопротивления (Ladungsspeicherdiode, Snap-off (step-recovery) diode) – полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого восстановления обратного сопротивления, который используют для целей умножения частоты и формирования импульсов с малым временем нарастания.

Диод с накоплением заряда (Snap-off (step recovery) diode) – импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания.

Туннельный полупроводниковый диод (Halbleitertunneldiode, Tunnel diode) – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости.

Обращенный полупроводниковый диод (Halbleiterunitunneldiode, Unitunnel (backward) diode) – полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод (UHF-Halbleiterdiode, Microwave diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала.

Лавинно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterlawinenlaufzeitdiode, Impact avalanche-(and-) transit time diode) – полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

Инжекционно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterinjektionslaufzeitdiode, Injection (and-) transit time diode) – полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

Переключательный полупроводниковый диод (Halbleiterschaltdiode, Switching diode) – полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление – при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала.

Смесительный полупроводниковый диод (Halbleitermischdiode, Semiconductor mixer diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.

Диод Ганна (Gunn-Element, Gunn diode) – полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний.

Коммутационный полупроводниковый диод (Halbleiter-HF-Schaltdiode) – полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.

Регулируемый резистивный полупроводниковый диод (PIN‑Diode, PIN diode) – полупроводниковый p‑i‑n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения.

Детекторный полупроводниковый диод (Halbleiterdemodulatordiode, Detector diode) – полупроводниковый диод предназначенный для детектирования сигнала.

Ограничительный полупроводниковый диод (Halbleiterbegrenzerdiode, Microwave limiting diode) – полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения.

Умножительный полупроводниковый диод (Halbleitervervielfacherdiode, Semiconductor frequency multiplication diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты.

Модуляторный полупроводниковый диод (Halbleitermodulatordiode, Semiconductor modulator diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала.

Диод Шоттки (Schottky-Diode, Schottky (-barrier) diode) – полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.

Варикап (Kapazitatsdiode, variable capacitance diode) – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode, Semiconductor parametric diode) – варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.

Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп. Зенеровский диод, Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode) – полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.

Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor noise diode) – полупроводниковый прибор являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.

Биполярный транзистор (Транзистор, Bipolarer Transistor, Bipolar transistor) – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.

Бездрейфовый транзистор (Ндп. Диффузионный транзистор, Diffusionstransistor, Diffusion transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии.

Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.

Точечный транзистор (Ндп. Точечно-контактный триод, Spitzentransistor, Point contact transistor) – биполярный транзистор с точечными переходами.

Плоскостной транзистор (Flachentransistor, Junction transistor) – биполярный транзистор с плоскостными переходами.

Лавинный транзистор (Lawinentransistor, Avalanche transistor) – биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.

Полевой транзистор (Ндп. Канальный транзистор, Feldeffekttransistor (FET), Field-effect transistor) – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.

Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

Полевой транзистор с изолированным затвором (Feldeffekttranastor mit isoliertelem Gate, Insulated-gate FET) – полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.

Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор, MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET), MIS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.

Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор, MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET), MOS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.

Симметричный транзистор (Bidirektionaltransistor, Bi-directional transistor) – биполярный или полевой транзистор сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.

Тиристор (Thyristor, Thyristor) – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

Диодный тиристор (Динистор, Thyristordiode, Diode thyristor) – тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры.

Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwarts sperrende Тhyristordiode, Reverse blockings diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende Thyristordiode, Reverse conducting diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжения не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

Симметричный диодный тиристор (Диак, Zweirichtungsthyristordiode, Bi-directional diode thyristor) – диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях.

Характеристики

Список файлов реферата