62594 (695103), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Температурная модель диода
Температура элементов ИС является одним из важнейших факторов, влияющих на работоспособность схемы и электрические характеристики ее элементов, поэтому она всегда указывается в техническом задании и ее влияние на электрические характеристики элементов моделируется.
В данной программе моделируются следующие температурные зависимости электрических параметров диода:
- начальное значение тока диода:
|
| (13) |
где EG – ширина запрещенной зоны полупроводника для кремния
|
|
T0 – нормальная температура (T0=300K)',
ХTI – показатель степени температурной зависимости начального тока р-п-перехода;
- контактной разности потенциалов р п-перехода
|
| (14) |
- барьерной емкости р-п-перехода
|
| (15) |
- коэффициентов фликер-шума
|
| (16) |
|
| (17) |
ЛИТЕРАТУРА
1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.
2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ.РУ, 2003. - 440 с.
3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.
4. Преснухин Л.Н., Воробьев Н.В., Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 2001. - 526 с.
5. Букреев И.Н., Горячев В.И., Мансуров Б.М. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М.: Радио и связь, 2000. - 416 с.
6. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ. М.: Высш. шк., 2000. - 160 с.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
