8809-1 (616205), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Даже при нормальной относительной влажности воздуха (65%) все тела покрыты тончайшей (0,001...0,01 мкм) пленкой влаги, которая может быть непрерывной (на гидрофильной поверхности) или прерывистой (на гидрофобной). С ростом относительной влажности толщина пленки растет и при 93...96% достигает сотни микрон, резко снижая поверхостное сопротивление изолятора.

Уменьшение поверхостного и объемного сопротивлений приводит к шунтированию элементов, появлению гальванических связей между ними, возрастанию потерь в конденсаторах и трансформаторах, падению добротности катушек и так далее. Все это вызывает ухудшение работы аппарата и в ряде случаем выход его из строя из-за электрических пробоев.

Весьма опасна, особенно для серебра и олова, электрохимическая коррозия, приводящая к нарушению паяных соединений в печатном монтаже, возрастанию переходного сопротивления контактов реле и переключателей (вплоть до полного разрыва цепи). Большую опасность высокая относительная влажность представляет для самих печатных плат: из-зи небольших расстояний между проводниками появление пленки и капель влаги приводит к пробою между ними.

Следовательно, воздух с высокой (более 80%) относительной влажностью, действующей длительное время на радиоаппаратуру,- фактор, который необходимо учитывать при ее конструировании и эксплуатации. Ежедневная работа в течение четырех-пяти часов в какой-то мере предохраняет радиоаппаратуру от повреждения в этих условиях.

Способы защиты радиоэлектронной аппаратуры от действия влажного воздуха бывают пассивными и активными. Пассивная защита основана на создании барьера, либо замедляющего проникновение влаги, либо полностью изолирующего его от влажного воздуха. В первом случае это достигается пропиткой или покрытием объекта различными веществами (смолами, лаками, компаундами), во втором - помещением его в герметичный корпус (металлический корпус, стеклянный или керамический баллон). Активная защита заключается в поглощении влаги адсорбентами, снижающими относительную влажность воздуха в кожухе аппарата до безопасного уровня.

Пассивные способы в настоящее время - основные при защите радиоаппаратуры. Следует, однако, отметить, что полная герметизация бытовых аппаратов обычно не применяется из-за большой стоимости, значительной материалоемкости, увеличения массы и объема аппарата, сложности уплотнения осей ручек управления, плохой ремонтопригодности и так далее.

Самый распространенный и дешевый способ защиты гетинаксовых и стеклотекстолитовых печатных плат - покрытие их бакелитовыми, эпоксидными и другими лаками или эпоксидной смолой. Наиболее стойко к действию влаги покрытие из эпоксидной смолы, обеспечивающее самое высокое поверхостное сопротивление. Несколько хуже защитные свойства перхлорвиниловых, фенольных и эпоксидных лаков. Плохо защищает покрытие из полистирола, но в отличие от остальных, при помещении изделия в нормальные условия оно быстро восстанавливает свои свойства.

Далее приведены наиболее распространенные материалы, применяемые для защитных покрытий.

Лак СБ-1с, на основе фенолформальдегидной смолы, нанесенный на поверхность сохнет при температуре 60⁰ С в течение 4 ч, наносят его до пяти слоев с сушкой после каждого слоя, получается плотная эластичная пленка толщиной до 140 мкм.

Лак УР-231 отличается повышенной эластичностью, влагостойкостью и температуростойкостью, поэтому может применяться для гибких оснований. Лак приготовляют перед нанесением в соответствии с инструкцией и наносят на поверхность пульверизацией, погружением или кисточкой. Наносят четыре слоя с сушкой после каждого слоя при температуре 18-23⁰ С в течение 1,5 ч.

Для аппаратуры, работающей в тропических условиях, в качестве защитного покрытия применяют лак на основе эпоксидной смолы Э-4100. Перед покрытием в лак добавляют 3,5% отвердителя № 1, смешивают и разводят смесью, состоящей из ацетона, этилцеллозольва и ксилола до вязкости 18-20 сек по вискозиметру ВЗ-4. После смешивания жидкость фильтруют через марлю, сложенную в несколько слоев. В полученную смесь погружают чистую высушенную аппаратуру. После каждого погружения стряхивают излишки смеси и ставят сушить на 10 мин, таким образом наносят шесть слоев. Это покрытие обладает малой усадкой и плотной структурой.

Исходя из вышеперечисленных сравнений выбираем для защитного покрытия от действия влаги лак УР-231.

4. Расчетная часть

4.1. Определение ориентировочной площади печатной платы

Сначала рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,125

S₁=n₁L₁D₁

S₁=2262,2=290,4 мм²

где S₁ - суммарная площадь резисторов МЛТ-0,125

n - количество резисторов МЛТ-0,125

L₁ - длина резистора МЛТ-0,125, мм

D₁ - ширина резистора МЛТ-0,125, мм

Рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,25:

S₂= n₂L₂D₂

S₂=473=84 мм²

где S₂ - суммарная площадь резисторов МЛТ-0,25

n₂ - количество резисторов МЛТ-0,25

L₂ - длина резистора МЛТ-0,25, мм

D₂ - ширина резистора МЛТ-0,25, мм

Рассчитаем суммарную площадь резисторов МЛТ-0,5:

S₃=n₃L₃D₃

S₃=210,84,2=90,72 мм²

где S₃ - суммарная площадь резисторов МЛТ-0,5

n₃ - количество резисторов МЛТ-0,5

L₃ - длина резистора МЛТ-0,5, мм

D₃ - ширина резистора МЛТ-0,5, мм

Рассчитаем суммарную площадь резисторов СП3-1б:

S₄=n₄L₄D₄

S₄=115,58,2=127,1 мм².

где S₄ - суммарная площадь резисторов СП3-1б

n - количество резисторов СП3-1б

L₄ - длина резистора СП3-1б, мм

D₄ - ширина резистора СП3-1б, мм

Рассчитаем суммарную площадь конденсаторов К53-1:

S₅=n₅L₅D₅

S₅=3134=156 мм².

где S₅ - суммарная площадь конденсаторов К53-1 емкостью 15 мкФх16 В.

n₅ - количество конденсаторов К53-1 емкостью 15 мкФх16 В

L₅ - длина конденсатора К53-1 емкостью 15 мкФх16 В, мм

D₅ - ширина конденсатора К53-1 емкостью 15 мкФх16 В, мм

S₆=n₆L₆D₆

S₆=1104=40 мм²

где S₆ - суммарная площадь конденсаторов К53-1 емкостью 6,8 мкФх16 В.

n₆ - количество конденсаторов К53-1 емкостью 6,8 мкФх16 В

L₆ - длина конденсатора К53-1 емкостью 6,8 мкФх16 В, мм

D₆ - ширина конденсатора К53-1 емкостью 6,8 мкФх16 В, мм

S₇=n₇L₇D₇

S₇=1·17·4=68 мм²

где S₇ - суммарная площадь конденсаторов К53-1 емкостью 4,7 мкФх30 В.

L₇ - длина конденсатора К53-1 емкостью 4,7 мкФх30 В, мм

D₇ - ширина конденсатора К53-1 емкостью 4,7 мкФх30 В, мм

Рассчитаем суммарную площадь конденсаторов К50-6:

S₈=n₈··r₈²

S₈=2·3,14·3²=56 мм²

где S₈ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 10 мкФх16 В.

n₈ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 10 мкФх16 В.

=3,14

r₈ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 10 мкФх16 В, мм

S₉=n₉··r₉²

S₉=2·3,14·3,75²=88 мм²

где S₉ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 30 мкФх16 В.

n₉ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 30 мкФх16 В, мм

r₉ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 30 мкФх16 В, мм.

S₁₀=n₁₀··r₁₀²

S₁₀=1·3,14·7²=154 мм²

где S₁₀ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 50 мкФх25 В.

n₁₀ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 50 мкФх25 В.

r₁₀ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 50 мкФх25 В, мм

S₁₁=n₁₁··r₁₁²

S₁₁=1·3,14·6²=113 мм²

где S₁₁ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 100 мкФх10 В.

n₁₁ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 100 мкФх10 В.

r₁₁ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 100 мкФх10 В, мм

S₁₂=n₁₂··r₁₂²

S₁₂=1·3,14·6²=113 мм²

где S₁₂ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 100 мкФх16 В.

n₁₂ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 100 мкФх16 В.

r₁₂ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 100 мкФх16 В, мм

S₁₃=n₁₃··r₁₃²

S₁₃=1·3,14·9²=254 мм²

где S₁₃ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 200 мкФх25 В.

n₁₃ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 200 мкФх25 В.

r₁₃ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 200 мкФх25 В, мм

S₁₄=n₁₄··r₁₄²

S₁₄=1·3,14·9²=254 мм²

где S₁₄ - суммарная площадь конденсаторов К50-6 емкостью 500 мкФх25 В.

n₁₄ - количество конденсаторов К50-6 емкостью 500 мкФх25 В.

r₁₄ - диаметр конденсатора К50-6 емкостью 500 мкФх25 В, мм

Рассчитаем суммарную площадь конденсаторов КД-2б:

S₁₅=n₁₅·L₁₅·D₁₅

S₁₅=1·16,5·5=82,5 мм²

где S₁₅ - суммарная площадь конденсаторов КД-2б.

n₁₅ - количество конденсаторов КД-2б.

L₁₅ - длина конденсатора КД-2б, мм

D₁₅ - ширина конденсатора КД-2б, мм

Рассчитаем суммарную площадь конденсаторов КМ-5:

S₁₇=n₁₇·L₁₇·D₁₇

S₁₇=1·11·3,3=36,3 мм²

где S₁₇ - суммарная площадь конденсаторов КМ-5 емкостью 0,033 мкФ.

n₁₇ - количество конденсаторов КМ-5 емкостью 0,033 мкФ.

L₁₇ - длина конденсатора КМ-5 емкостью 0,033 мкФ, мм

D₁₇ - ширина конденсатора КМ-5 емкостью 0,033 мкФ, мм

S₁₈=n₁₈·L₁₈·D₁₈

S₁₈=1·8,5·3=25,5 мм²

где S₁₈ - суммарная площадь конденсаторов КМ-5 емкостью 0,047 мкФ.

n₁₈ - количество конденсаторов КМ-5 емкостью 0,047 мкФ.

L₁₈ - длина конденсатора КМ-5 емкостью 0,047 мкФ, мм

D₁₈ - ширина конденсатора КМ-5 емкостью 0,047 мкФ, мм

S₁₉=n₁₉·L₁₉·D₁₉

S₁₉=1·6·3=18 мм²

где S₁₉ - суммарная площадь конденсаторов КМ-5 емкостью 0,047 мкФ.

n₁₉ - количество конденсаторов КМ-5 емкостью 0,047 мкФ.

L₁₉ - длина конденсатора КМ-5 емкостью 0,047 мкФ, мм

D₁₉ - ширина конденсатора КМ-5 емкостью 0,047 мкФ, мм

S₂₀=n₂₀·L₂₀·D₂₀

S₂₀=2·8,5·3=51 мм²

где S₂₀ - суммарная площадь конденсаторов КМ-5 емкостью 2200 пФ.

n₂₀ - количество конденсаторов КМ-5 емкостью 2200 пФ.

L₂₀ - длина конденсатора КМ-5 емкостью 2200 пФ, мм

D₂₀ - ширина конденсатора КМ-5 емкостью 2200 пФ, мм

S₂₁=n₂₁·L₂₁·D₂₁

S₂₁=1·13·3=39 мм²

где S₂₁ - суммарная площадь конденсаторов КМ-5 емкостью 0,01 мкФ.

n₂₁ - количество конденсаторов КМ-5 емкостью 0,01 мкФ.

L₂₁ - длина конденсатора КМ-5 емкостью 0,01 мкФ, мм

D₂₁ - ширина конденсатора КМ-5 емкостью 0,01 мкФ, мм

Рассчитаем площадь микросхемы К237УН2:

S₂₂=n₂₂·L₂₂·D₂₂

S₂₂=1·19,5·7,5=146,2 мм²

где S₂₂ - суммарная площадь микросхемы К237УН2.

n₂₂ - количество микросхемы К237УН2.

L₂₂ - длина микросхемы К237УН2, мм

D₂₂ - ширина микросхемы К237УН2, мм

Рассчитаем суммарную площадь стабилитронов Д814Б:

S₂₃=n₂₃·L₂₃·D₂₃

S₂₃=2·15·7=210 мм²

где S₂₃ - суммарная площадь стабилитронов Д814Б.

n₂₃ - количество стабилитронов Д814Б.

L₂₃ - длина стабилитронов Д814Б, мм

D₂₃ - ширина стабилитронов Д814Б, мм

Рассчитаем суммарную площадь транзисторов КТ315Г:

S₂₄=n₂₄·L₂₄·D₂₄

S₂₄=4·6·3=72 мм²

где S₂₄ - суммарная площадь транзисторов КТ315Г

n₂₄ - количество транзисторов КТ315Г

L₂₄ - длина транзисторов КТ315Г, мм

D₂₄ - ширина транзисторов КТ315Г, мм

Рассчитаем суммарную площадь транзисторов ГТ402:

S₂₅=n₂₅··r₂₅

S₂₅=1·3,14·5,85²=107 мм²

где S₂₅ - суммарная площадь транзисторов ГТ402

Характеристики

Список файлов курсовой работы