26027-1 (588371), страница 5
Текст из файла (страница 5)
TR2(R5) = 55 + 16.7 + 0.075 = 71.78C < 125C
TR3(R8,R9) = 55 + 16.7 + 0.09 = 71.79C < 125C
TR4 = 55 + 16.7 + 0.057 = 71.8C < 125C
Расчет показал, что для данной схемы обеспечивается допустимый тепловой режим, так как температура самого теплонагруженного элемента (транзистор КТ359А) не превышает максимально допустимой.
ВЫВОДЫ
В ходе курсового проектирования были выбраны: технология получения тонких пленок, тонкопленочных элементов, материал подложки, тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок, защиты, метод получения конфигурации, навесные компоненты, корпус.
Была разработана схема соединений, проведен расчет пленочных резисторов, конденсаторов, площади подложки, разработана и вычерчена топология.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
-
И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов Микроэлектроника.- М.: «Высшая школа»,
1986.
2. И.А. Малышева Технология производства интегральных микросхем.- М.: Радио и связь,
1991.
-
И.Н. Букреев Б.М. Мансуров В.И. Горячев Микроэлектронные схемы цифровых
устройств.- М.: «Советское радио», 1975.
-
Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов «Основы мкроэлектроники».- М.: «Высшая
школа», 1991.
-
Л.А. Коледов Конструирование и технология микросхем.- М.: «Высшая школа», 1984.
-
И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов Микроэлектроника.- М.: «Высшаяшкола»,
1987.
-
Н.Н. Калинин, Г.Л. Скибинский, П.П. Новиков Электрорадиоматериалы.- М.: «Высшая школа», 1981.
-
А.Б. Ломов, Проектирование гибридных интегральных микросхем. - М.: «МКИП», 1997.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
