63351 (573387), страница 3
Текст из файла (страница 3)
В зависимости от характера проявления и скорости развития выделяют три группы деградационных процессов: 1) катастрофическая деградация; 2) образование дефектов темных линий; 3) медленная деградация.
При катастрофической деградации происходит разрушение зеркал резонатора (Ркр
1,5-106 Вт/см2), появление трещин или оплавлений вблизи активного слоя при недостаточном теплоотводе и т.д. Эффективное средство борьбы с такими процессами – улучшение качества контактов и теплоотвода, введение технологических тренировок и отбраковок.
Дефекты темных линий представляют собой трехмерную сетку дислокаций, которая формируется в процессе работы ППЛ и внедряется внутрь резонатора. Развитие дефектов ускоряется под действием механических напряжений. В области таких дефектов скорость безызлучательной рекомбинации высока, следовательно, велики потери генерируемого излучения, а это приводит к увеличению Iпор. Для уменьшения вероятности образования дефектов темных линий необходимо использовать совершенные эпитаксиальные структуры с низкой плотностью дислокаций и малыми механическими напряжениями.
Если устранить причины, вызывающие катастрофическую деградацию из-за дефектов темных линий, ППЛ могут непрерывно работать в течение многих лет с относительно медленной деградацией свойств, обусловленной миграцией неконтролируемых примесей в активную область и постепенным увеличением там концентрации безызлучательных центров, ростом теплового сопротивления, а также последовательного сопротивления слоев и т.д. При этом наблюдается однозначная связь: чем меньше значение Iпор, тем выше долговечность ППЛ.
Отметим одну особенность инжекционных ППЛ, которую необходимо учитывать при их использовании, а именно: большую угловую расходимость излучения. Она различна в плоскости активного слоя (θII
10°) и в перпендикулярном направлении (θ┴
35-60°) (рис.3.4). Другими словами, степень пространственной когерентности инжекционных ППЛ невелика.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
-
Технологические лазеры. Справочник: 2 том. Под ред.В.Г. Гонтарь, А.А. Колпаков, М., - 1991г.
-
Н.М. Тугов, Б.А. Глебов. Полупроводниковые приборы. М., - 1990г.
-
А.Г. Смирнов. Квантовая электроника и оптоэлектроника. М., - 1987г.
-
В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы. М., - 1978г.
















