Расчет узлов радиоприемных устройств - под ред. проф. Протопопова А.С. (563772), страница 5
Текст из файла (страница 5)
4.9). ИЛ содержит два однотактных ЛПЧ. Включение диодов, подача напряжений У и У могут оаущеатзлятьая различными способами. Но во всех случаях смысл состоит в том, чтобы шумовые компоненты гете- родина в кеждом плече КИ, преобразованные на промежуточную часто-, ту, имоли такую фмировку, чтобы в нагрузке (выходном контуре) они взаимно компенсировались. В ИН СВЧ-диапазона в микрополоаковом исполнении обычно применяетая разнополярное включение диодов, подача 2,. на диоды а фа- иим сдвигом 90о, подан М на диоды с фазовым .4~ф «".~ днигом 90о мнотак'гно~ иипм«ивине нагрузки (так называемая квадратурная схема).
Разделение мощноа- а~ ти сигнала и гетеродина иа диоды. а также обеапечелне необходимых фазовых Рис. 4.10 ФМ 'адвлпчи осуществляется с йомощью кольцевых или шлейфовых мостов. Наиболее распространенной являетая схема а двухюлейфовым (ииидратным) мозгом (рис. 4.10). Расчет балананого диодяого преобразователя аводитая к раачету однотактного ЛПЧ цо вышеприведенной методике и расчету параметров микрополоаковых линий квадратного моста, 4.2.2. Типовые з а и табли ва ьи емых анных 1. Рааачитать оановные показатели преобразователя чаототы на диоде 2А1ОЭА по следухщим исходным данным: Юс = 50 См; Ю6 = 400 Ом; У = 0,4 В; Е„= О 3.
Преобразование проводится по первой гармонике гетеродина (м - 1), Диод 2АХОЗА является ТКК. Следовательно, и = 25 В"1; аУ,„= 10, Х,= 10-6 А. По графикам находим р„= 0,95; В„= ВОО. 'Хагда 4ю О УХ на йай л,~д - ~ М' $ю~-415 +« А' «огз» вЂ” а,584; 4Ж по Рная ~ 4дд о„- лх в ~ «о ~ д рно - и,ого сн; г„- ~ - 45 ом. ~х ~.,таком случае на входе трансформатор не нужен, а коэФфициент ~Тааа3ораш~и выходного трвнсфоуивхора ТрГ в„, - Мв авиа -з; ь„- ~,л ~=юув, 6, ®~, = —,-З,М (5,8уй. л Рассчи~~~ь основные ~ок~~~~ел~ Однотактного КИ по исходным данным, приведенным в табл.
4.6. Таблица 4.6 Ширина полоски основной линии 0,97 мм, шлей$а — 0,55 мм. Четверть- ВОЛНОВЫЕ ДЛИНЫ: ллл ооиоииой лилии А /Ф = ~ —,— = Л.ЛЛ иил Ы Р для щлейфов Л~/1 = = 3,2 мм. 4 6Г6 Рассчитать ЖЧ ~в т.ч. и СЗЧ-мост) по исходным данным, приведенным в табл. 4,7, У = 500 Ом, а = 1. Табл и ц а 4.7 2. Рассчитать дибдный балансный преобразователь частОты на диоде ЗА111Б по слезищам исходным данным: ~' = 9375 мГц; И = 50 Ом; И„= 200 Ом;3„= 3,2 см; Е„= 0,3 В; д' = 0,4 В.
Подложка лз поликора (6 = 9,8) толщиной Й = 0,5 мм. Волновое сопро- тивление подводящих линий 2 = 50 Ом. Рассчитаем параметры однотнктного ДИ. Лиод Ж1ХХЕ-ЛБЫ. Следова- тЕльно, а = 35 В 1; аУ = 1,4", 1 = 10 13 А; К = 10,5; Р„= 0,96; 3„'= 5и6.10; К вЂ” ~~ —. ' О)'5; Л' в = 0,Р.л 0,5685; Р,.Ю л Юд = 35 В 10 А-8 5,6 10 = О,ИР1 См; У = 140 Ом. ВХОДНОЙ ТРаНСЧлОРМатОР ВЫПОЛНИМ В ВИДЕ ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВОГО ОТРЕЗКа микрополоаконой линии а волновым сопротивлением я Йв ло = аз ои.
Соглааовз.ния на выходе практически яе требуетая. Волновые сопро- тивлении четвертьволновых отрезков МЗЛ ФИ в выходной цепи одно-' тактных ЛПЧ принимаем равными 20 и 90 Ом соответственно для низко- омных разомкнутых и выаокоомным соединительных отрезков. Спроектируем СЗЧ-мост. Волновое сопротивление основной линник„= = Я ЛТ = 5ОЖГ = 35,5 Ом. Длн елейфов Г„= К = 50 Ом, 50 5.
РАСЧБТ КОКТО ОВ И МО РИТОРОВ 5.1. РАСЧЖТ ЛЕТБКТОРОЗ АЫ-СИГНАЛОВ 5.1.1. Основ е по тия оп е ел ния счет е соотноше схемы В детекторе осуществляется выделение низкочастотного модули- рухцего сигнала, соответствующего сообщению, и устранение несуще- го высокочастотного колебания. В соответствии а видом модуляции различают детектирование сигналов, модулированных по амплитуде, Фазе нли частоте, а детекторы разделяют на амплитудные, фазовые и частотные, Основным видом детектора является амплитудный детек- тор.
Он имеет самостоятельное значение как детектор АМ-сигналов, а также входит в состав большинства 4азовых и частотных детекторов. Основные характеристики детектора; 1) детекторная характеристика — завиаимоать выходного напряже- ния от амплитуды входного сигнала К = 1( Ц,); 2) козФФициент передачи длн немодулированного сигнала К лУ ~а длЯ ~Я,юаигнела а глубиной модуляции ло лл, Д Ф 1а= и, * Здесь Уд- амплитуда напряжения а угловой ~~с~о~~й м~дул~ции й 3) линейные, или частотные, искажения, оцениваемые по АЧХ: Р И) или К (Р), оцениваемые по 4Ч);: Ф И), где~' - сдвиг по фа- 51 При расчете характеристик АМ детектора можно использовать его эквивалентную схему, представленную на рис, 5.3, Здесь |~,И.~,(и - внутренние параметры детектирования, которые для линейного диодного детектора вычисляются следующим образом: лва д Х Мпла (мг - (~,Ъ~ -— (5.8) У.
-Х/ХУ. М~ Рис. 6.3 При неправильном выборе нагрузки детектора СИ могут возникать кэк линейные, так и нелинейные искажения. Чтобы избежать искажений при выборе ю = Ен, следует рукаводатвоватьоя следующими соображе- КИЯМИ; Х) сопротивление резистора нагрузки У должно обеспечивать получение заданного значении входного сопротивления и коэ4$ициента передачи((' ; 2) емкость С конденсатора нагрузки должна соответствовать условиям отсутствия снижения коэфФициента передачи К и линейных и нелинейных искажений.
Она ограничена "снизу" услозйями: (5.П) где У - сспротивление нагрузки для постоянного тока, Ю = У; у— сопротивление нагрузки для переменного тока модулирукщих частот: "" ~ Ьн знч' Емкость С ограничена -"сверху" условием (5.7), обеепечива(сщим безынерциоиность работы детектора, и допустимым урвнем»(з частотных искажений огибали(ей, т.е. верхней граничной частотой эквивалентной.схемы детектора: МюГГ ахУ(а нУ) (5.10) $ 3) должно также выполняться неравенство Э приемниках на биполярных, транзисторах выполнить условие (5.11) б ает затртд ь но из-за низкого входного сопротивления УНЧ, При невыполне-~~ нии неравенства (5.11) схему детектора модернизируют, заме- Гнс.
5.4 няя резиотор У двумя резисторами У( и Ы и вводя дополнительный резистор Ю ,» , последовательно с разделительным конденсатором на входе УНЧ, кзк это показано на рис. 5.4. Тогда реальный коэффициент передачи детектора Ю ~»ж (нч О+Уз У ~Ю (5.12) йС ннч У6 Сопротивления У 1, ЮГ, Уу,» определяют следуен(им образом: Ю1- (02+0,3)Ю; Щ = (ОР—.0,8) У; ~Я. ( Ю( ж2) -ЯМа рай ()»~ РР)((-т ) Меч Коэ~ххуипиеат (фильтрации высокочастотного напряжения А~р" ' Разделительный конденсетор С рассчитывается исходя из заданного козф".-чцнента частотных искажений м„в области нижних частот: (5.14) Импульсный детектор предназначен для преобразования последовательности радиоимпульсов и последовательность вадеоимпульсов, +орма которых повторяет Форму сгибавшей каждого радиоимпульса с допустимыми исксженнями. Для этой пели применяетоя последовательный дисдны;( детектор (см.
рис, 5.?). выбор постоянной времени нагрузки производят исходя аз допустимых искажений огибщщей импульса - растяжения переднего и ззднего (фронтов, опепиваемшх временем устанаглення и временем спада импульса. Зремя установления вндеонмпульса на выходе детектора рассчитываетсн по формуле 55 6. Найти элементы схемы и определить оснозные характеристики детеитора рздиоимпульсои по исходным данным, принедепным з табл.
5.5, Считать 6,„ = 3 + 5 пФ. 1 а блица 5 6 5.2. ВОЛОЧЕТ АРГО~(ТОИИ Ы АйлОЛУЛЯТОРОВ ЧМ-И ФМ-СИГНАЛОВ 5.2.1. Осноиные понятия оп е еленин асчетныв соотнаиния, схемы Частотные детекторы. В практике „-ыдиоприема широко используют частотные детекторы (Чд), построенные на осноъв преобрнзонания исходно1О ЧМ вЂ” колебания в колебание, модулироианное по амплитуде или 4азе с после~~~м иыделеннем модулиружце~», Функции с помощью амплитудного или ((азотного детектора соотпетственно, примячан~8 к табл» 5е1 Диод Л13 Л2А 5, мА/В 10 50 Ю;, кОм 400 250 С~ , пч 1 1 — 5.6 423 Лж 8,3 10 120 400 1 Одна из схем % с амплитудным прейбразонанием частотной модуляции (баланс- Мм ный ЧД с расстроенными контурами) псииедена на рис. 5.5 Контуры ЧЛ настроены на частоты ;~,' и ~ , расположенные 4$~л симметрично относительно Рис. 5.5 центральной (переходноя) частоты,~ .
Выходное напряжение ЧД получается как разность иыпрямленных напряжений амплитудных детектороз, подключенных к контурам. 363.'Нсимость зыхюднОГО напряжения От частОты (детекторная характеристика) ЧД по схеме рис, 5.5 имеет зид у У (6.17) т+(~-~д) ~+(~ $„) Рл~ ГД "Д) где ~ = — =, ~ — текущая обобщенная расстройка; ~аф Ь'4з р(~ обобз енная расстройка контуроз; Ь«э Ь~~'у 6 А а - зкниззлентное Затуханис кОНтурОУ. ~ А у — кОЗФрициент переДНЧИ амплитудных детекторои; 4 = 5,У ум — резонансный козфыциент усиления; Ю вЂ” экэииалентное резонансное сопротинление контуроз; 5 - крутизна транзистора; и — козфФициент трансформации.
крутизна детекторной характеристики 3 м~мх лд,~, (5.1В) Ф «~ и у~ ду~ у~ Я~' ГДЕ Сх = С+ С. ~я~. Сз С,„- СУММаРнан ЕМКОСТЬ КОНТУРа С УЧЕтои 6нх ху н инходной емкости транзистора, зходной емкости амплитудного детектора н емкости монтежа; а~~„„ - полоса пропусканин ЧЛ (расстояние мемеду зкстремумами его детекторной характеристики). рассмотрим расчет 'Ц с 4азозым п~.'еобразоыанием частотной мо дуляцни на примерах двух схем: '(й с Фазозздаюк(им контуром ' .В) и 'ц '~Няней задержки (рис. 5."I). Рис, 5.7 с ограничением входного оигнела — " акИ~~. лХ,И„ (5.2Х) (5.22) С~~т М~~~ т Г~~ Х~Р„х' ПР" ~с О' ~ ~~~т Ю„„= х41 М„х.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
