hhis5 (558071), страница 2
Текст из файла (страница 2)
3.65). причем к ним ко всем приложено одинаковое напряжение В случае мошнах о биполярного транзистора по:южительный температурный коэффициент коллекторного тока при фиксированном (1 . (приблизительно 1 9баг О, см разл. 2.10) означает, что локальная точка разогрева перехода будет иметь более высокую плотность тока, что вызовет дополнительный нагрев. При достаточно ььолыпах П ., и 1.
этн «токовая деформация ° может привести к локальному саморазогреву, известному под названием нвторичный пробойн. В резульыне кплошадь безопасной работыхх биполярно~о т.ранзистора (на графике зависимости кгхллекторноао тока от напряжения на коллекторе) меньше, чем если ьчптывать только допустимую мошносы, рассеяния транзистора Вюлробнее об:пом см в гл 6), Важный момент здесь состоит в . ом. П.о ток стока МОП-транзистора паласа пра увеличении гемперазьры (рис 3 13) а это полаостьат исключаег появлеша; .вгорячах гочекн в перехолс МОИ-транзистгт(ты не полвержены вторичному пробою и их область безопасной работы ограничено только ЛОПУСтаМОй МОГГ333хтетЬЮ Раеееаанн (СМ рис 3 66.
гле сравниваются области безопасной (заботы баполн(тноы; л Чх трапзастсри и мопшо. о н-капа.п,ноа о МО11-трав.астора пра о.гааз а зех же 1 х„. 1,„... а Р„,,: По гека же пра таам ьсалатеча мопьаосгн на МО1бтранзисасрах не имени 1ех неприятных ьсаглеттпнй к .темпера ьь Гному ьхоаб параметров за ко~орые мы: так хаобимх. бапочярные транзисторы (см разл '.15Ь и наконец.
могцные МОГ1.транзит горы мох ь; быаь включены параллельно бе ~ пзковыраваавньоцшх реззг ~оров, к ы рыс лля биполярных транзисгорон аеобхода лы (см ра иь 6.07). Полевые транзисторы 169 Прод квасное тпо ). 3.5 Чф~с"т ан и, ! „,, 1)ь В Гнс пФ Сп. пФ Д„., нКХ К)рог»к' Тнп п г:рнмече)нв" .'ньен гсвг Ом' прн В !макс ) ) ге)М 1:но; !гнн ' 1 иноке, А !мвкс ! 02 10 4 1)а) 2Я; 70 ТСЬ?20 1КГ9540, МТР1'РЮ 01 ка '. 3.5 СЬ 5 ) ЗСЬ92 ЧРО)?ОН).
ВЯ592 4 5 .). С 606 20 ) О ТОЬ220 НР )2?Г)Г)С, 1КГ962 ) Ос 1'0 4 !!Н) !50 ?п ТО 220 1КЗ'914' )4)З О:,07 ! 50 З ' ЗС 3 Тт Ь92 НРЮ55ОНЗ ТСЬ92 НР0650343 сз!) ТОП?О ЧРОЗс0195 ~,„?г)!22,' 6 !О 4,5 Ино ' 80'* 20 ТО 2зО МТРЗРСО '- ч ьй20 В, зв нсквн)ченнем " К40 В." . !О В, " е)5 -ОЗ В н с) 1с В = 120С?Вг, Р1Р)4 = ИЮ "СВг. ТСЗ92 = 200'СВт; )В,., Гть220 =,5 'С Вг. ТО) =-08'Г)В, 78 С.
а1Р4=.0Д Вг Тпр-)4 —.08 В),'109'=О.. В. Р„„О)Рн 7.„„-. )).С) !02)Π—.ЗОВ. Зп 0.8 1,8 40 ! 7' 60 О„.' ))О ЕЯР !4 О 8 ТО-9? ТО-9 а!Р-)4 ТО-220 ).5 7 с ю бо 60 О,4 С 60 15 О !4 с 2 900 0.2с 15 о,ь ".с 5 13 РЗ !О 2 ! 5 )ОО ) го 100 100 з4 7 'г ю 4 450 2 200 О,' ТО-9. Зд 'Гбьчз О1Р-4 Т(3-22) ) ) 50 "'тов Верне)ып перемс'.оов роз)ычных кпотовнгезеа зпесь препсмж)сны гнпнчные непамегр), )а) 4 Рб И' 4 180 5 1О-"О ю ТОС? ) 025 )О 100 100 !ОО )00 )20 200 200 200 200 200 200 40 65 0,2 О.) О,1 О, 5 0,4 О,ОХ !О П,ОГ. )Ь 0,04 Ш Ю ":.5 24 Ю 1.5 И О.!' Ю я' зсг) 640 ?О 4 ! 5)Х) 4 2!ЮО 52О !25 40 ).' )40 19 ТО 22)' б! ТО-3 ТО-3 ТО-?? ОЛ ТОЬ9? ТО-»'.
И!' ТО-92 ?5 Тсьчз ТС) 220 ТО «?О г !9 ЗО-"О 4г ТО ?Зо И' 10-' 4 600 18 018 ) 4 .ЗЮ ЗО 0,09 Ю ! ЗЫЮ о ) )ю 0,05 Ос 5 ?О "* 5 сиз са) %0 )н ю То.ч ' ТО-9' ); -!О гз) )с 7с 350 !.)О ).5 )Г 2' '11) 21) 80 О' )О .О ?7!Ю чс)Ю ?)о)" 1О ) \г' тт а)Р пзсг а!Р ЧР! )' )," НР2)ОИ) с'Р'Юх 1й 1 1) 9 И!О Гя) 952), Ч Р и' И'! " МТРОРЮ !лр:! а)Р-) с 4 11~0 '! С-'г? 1ИР-4 ТО??) 4.' В 1 )а) .'ю 1)Ю ) уо 3!Ю о 4 оЮ 9: Х крввзнс орое ю оерег.ыое 16В 1 пава 3 10 Таблице 35 Мощные МОП-транзисторы нын )ок Ом прн В )мок ) )ггв стоке, А )макс ) се, оФ 0 ... пК) Коро!со Тн)) н прнмеч.ппвч )гнп ) *;гнп ) -ке)ыз Н )ЛЮ)3 "; ')) )р о) с.* Р1Р ! !") иы")Х ))емнй по ЧР)06) 1.
)пмп зе ре, ооп):бгн Нхрд?с! Чса!)04! '*; с )еер в кори)се О!Р КГР)5ЫО61.'. внзкпй, " )зог ЧЫ)3)07)), Взз)00 Ч)йозп)!) !КГР)20 КГР?РПОЬ" 1'о) )КГ51П, МТР4Ы)О, Н1ч1!!ОН .. жк295 3 !Крсзо В)'87?А ?Я» Н))!210гы5 )КГ54)Х МТР25йлО й 1КГ! )О. Нб 64 НЫЕЯ)ЗА Чр)) 'ОЫ ", еп.квь П' Н? 13?ОР)3 НЫ20впс '. ВВЮ7 1)740)ЗОЬ)Ь Вбзт) Ч)40220!~3, В8889 !К)'бл), ЧН1?20яс ГКГ6!О. М1рс!4?О, ВОК.Ю, 25К440 1КГ630.
М'!'РЗЬ) О. ГК1)640 ЗКГ?СО. ?Нб?!Г, ЪЗ9055))Г) с Хзнпбхп!ч ) 1КГьь?0, В) К;) МТРЗ?ч50 !КГХИ). Вс К)'А 1 Ы С) Х) ' ! б М !'!'4Н50ч 1К 1.) 40 М'! Рь~',Ч, М1мсы)я] В' ?54 !РГАС)9 зеои?ныс нщ?сключагт льны), 'йяб)бтодимыг предогторолгснгнты. ,,''~~)твист желательно упрнвляз ь ';-'зйьгП-транзистсзрг)м с выхода "логических схем. Хотя имею)ся жинческих схем, выдающие " ' Ю В и более (с)КМОП-серия .~Щщйкб в большиис)ве семейшн 'ИМС использую ! ся уровни оскоростные КМО1Ъ ) иля ,.';як)Т15)).
На рис. 3.6? аоьазаяо гь нагрузку, подавая управ '.,4)йлы О'! ло! плоских схем зтих В первая схеме сягяа 3) затвора ! 10 В по щос)ью '1ую)мой МОП-гран)ислор ! к -го Ч)х!0106 — не?юро! ой тран-с.;7:-'которо)о ?2,„х с 5 Ом ари бм':.: Диол в схеме заа!ишает от всллескоп ),рагм 1 31). вкли ;481?яле)зова гелю)О с щ)вором р)) я не обяыатслмю необходим чд)!)зтезен. гаь ьак емкосп, с!Ок Й"ТРВНЗИСГ! О!70 МОЯ.С 1 1НХРС?Щ ! ) перехолныя арап).сг в щ) грузкс обратно на !увс!ви)ельную КМОП-логикс 1вскоре мы расскажем об пам более полробно). Во нюрой схеме нз -)отвар подае.!ся 5 В, ч!О все еше неп юхо для серий Ч!ч01, ЧР01; для разнообразия мы применили здесь р-канальныи МОП- транзистор.
переключающий на! ру ку. аодключенну)о к зем )е. Две осгавшиеся схемы демонстрирую! двп способа обработки сигнала '- 2.4 В !в худи!ем с:учае; обычно .гю где-то око О 1 З,с В) - высоко! О логическог.о уровня пифровой логики 'Г1гй Можно испо? ьзовазь нпол)ягиван)шнйг) к ) 5 В резис.- тор. чзобь! обеспечить полный аереаа:! — 95 В на выходе ТТЛ. ксггорыи за.)ем возб)живет обычный МОП-!ранзисгор.
МОжнО Вььбрать и лрчгОЙ пч гь — исаОльзО" ва)ь ч!о-нибудь враз)е Т)х)0106 нпнзкопоро! оного. МОП-траа)истора. расс чн. 1анногО яа сю на).! возбъждепия с )роняем зб1Л 1зул),)«. о ащко. -пима)ельнь) ь пасгюртным лонным Нщ ример о с)я)анфи.
ка1аа1 )ы 1 х401 зъа)аиО осг.,),, — ! В )макс о. БО ')въчн! )т)зскг)асио ОО )сл аор. 10 Рнс. 3 66. Мощные МОП-тра»зистзгры ле лодаерие- иы аторичному »робом. Полевые транзисторы 171 охи= зов р~ ' ';:,е вв гв ав к зв 25 ао 50 ю зо оси в +74 й гпопз глох) ц —. 255 "" "У 1Н4007 с ос а10 Е В 1м»ксимвм во кмег ном пктлголиии, Уосг Гк Га 2С скз ~ Ггся 50 Гсс Кила-вен- 4011 х.
и г, .—. -5 В и йй „Вез Стокззагяе харыагрищггхзг л-каналы-ого истора т ы тнгг~пг с щггаим лсроггмым з 5'.г зщпа 06 гг як .56 04 = 155 '. мако, л--ьсм г сил ' сб .-. зв риг з г»'* .* . г . «ли«г и: н»;ру мг, лри юраалмощлх снгкала у-ое»яия Рис 3 о ' МОЛ-гряии ге Гы г~ мщ6ны леха. щи гл м ч щм: . гщгхроаых лопмесхях схем » карах.крист»к» ...'Вы не прочтете цревосхошгую споск 1 мдз У Зг .' "значи»У. ч.го ''гя о огкрыпш МОР1-трап.знсгоря и „=,М~з)ййфиужво пола г ь напрюкенне намног о ,„'трйхйВЬЗГГ„, 1рне 'зхбзх ОдпаКО Зта СХЕМа "й,г и о.
бзлет )забглагь хо1зогло. гго" у а) высокий «ровень выхола тгЛ Ьйгваег ляжге — 3 В я типичное его гг1;.,г - составляет -3.5 В я гз1в паспор- -'л„й11*;Т)з)01 далее указано: 1.',„, тнп.) = ':=;Ф.'-".; ,:," 'Я2пзт пример ггллюсгрируег часто воз :-,-, „..., цше у рггзрабгзтчика затруднения, а именно — что выбрать: сложную схему, полностью удовлетворяюшую критериям разработки в наихудшем случае и тем самым гарантирующую работоспособность, или просгукг схему, не отвечаюшую спецификациям в наихудшем случае, которая, олнако, в подавляюшем большннст ве случаев будет работать без проблем.
Не раз еше возникнут моменты. когда вы поймаете себя на том, что выбираете последнее, не обрашая внимания на слабый внутренний голос, подсказываюший обратное. Емкость. В предыдущем примере мы включали последовательно с затвором резистор Ув схеме с индуктивной нагрузкой). Как отмечалось ранее (разд. 3.09), МОП-транзисторы имеют практически бесконечное резистивное сопротивление затвора. но конечное полное сопротивление нз-за емкости затвор †кан.
У сильноточных МОП-транзнсторов зга емкость может быть очень разной: сравните входную емкость 45 пФ у 1-амперного У)Ч01 с Г„= 450 пФ 10-амперного 1КГ520; 70- амперный ЯММ70)з)05 фирмы %12сопьх имеет С„= 4300 пФ) Быстро изменяюШееся напряжение стока может вызвать в затворе переходный ток в миллиамперах, что достаточно для перегрузки (н даже лля повреждения) нежных управпяклцнх КМОП-чипов.
Послеловательно включаемое сопрог ивление выбирается из соображений компромисса между быстродействием н необходимостью зашиты, при этом типичнымн являются значения о.г 100 Ом до 03 кОм. Даже без индуктивной нагрузка линамический ток затвора будет, конечно. иметь место емкость относительно земля ( ' . булез заряжаться током 1 = Е 01гзиУЙ » 1меггьпгаяУ емкость обратвой связи Е созлаег вхолнон ток 1 =- С „мЛУслйгь Зтсзз последний судет. лоьгишгровагь в ключе с обшнм истоком, поскольку гав,з обычно памяог о больше.
чем сигнал возоуждения згп вора Л Г и г зффек г Ми;шери ). Млрмкнение ЗЛВ. МИЬграюнсзор УКВ Ог. »ерем:л .амелии з-ампер» л лмрззку яык,»очнется м ;сп нс ~лрн лерекхщчени» г:-гсзщнаа ззтяора с — ~0 В щ о: геащзала мы:гя.*. я емкие хо.орых на»раже»ке сожа излге»ясзсл от 0 до зс В. Чему лаан» сред»ее зг ач»ие гока затя, ра е течение згих 172 Глава 3 Полевьке транзисторы 173 ЗООО воо о 400 о зо 20 30 40 Во оси а з ЗЫОЛИЫИ ОСЗИЗЪЗ Л С зК ЗЗСЗ 'К о зо зв Заряд затвора,ихл Рис.
3 00 Зависимость:врала затвора МОП-граизис- гора тииа 1КР520 оз Гззи К. вс в зреаиоззовеиии. 'зю Г,и!иазывасмое заюкс ОО Г,„5 равво 450 ИФ, а О, Еиазываемсе также а З равз о 50 ИФз В ключе с общим истоком вклад аффекта Миллера в ток затвора имеет место все время, пока не завершится переходный процесс в цепи стока. а емкость затвор-исток создает ток только при изменении напряжения заювора. Эти эффекты часто рисуются в виде графика изависимости заряда за~вора от напряжения затвор †исто.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
