hhis4 (558070), страница 5
Текст из файла (страница 5)
може( заме(- но варьировать в отличие сл прелсказуемозо ', = 0,6 В( бьз ) биполярных транзисгоров, Согласование характеристик. Как вы можете видеть. ПТ уступаю( биполярным г(занзистоРам 13 п)зепскизрсмостн ь зн т'с лшчсния Сз„, обсспе«нваюцще заланньш 1, имс(о( бо ыиой разброс 1)риберы вооб(.(с ((з(зари. Рава(ь болыцни слввт (напряжение небпланся( если их приме. няш и к(ществс лпффереипиальных пар Например, тютичныи серийный бигюлярныи трап истор лае( разор(ш С, в 50 МВ илн около (аш прн некотором зш(анном юке км ((Ох(серы Осз всякого отбора гранзистоос в гберем подпал;побои прибор.
имен и'щася нсл рькои!. Соо(везствую. пшя нийр. лпя МОН-гранзис( ров. б~ лес ! В! Н~ пс скопьку ПТ с!блад,по( ВЕСЬМа жсдн:. С:(ЬВЫ Мн ХаРаКтЕРНС ГИКаМИ, 132 Глава 3 Полевые тРанзисторы !33 Г! 1 ); !'.Т Лошак пт 5 ПТ ),Г (зз 2 пт ! ПТ 2 Рис 3.!5 Грьбангагая ггрукгурз га) и гампграгзрн -гразигнзиая «пмпаисац ш (6) ОСНОВНЫВ СХЕЧЗ)з( НА П'1 имеет смысл затратить некоторые дополнительные усилия для уменьшения сдвига путем изготовления согласованных пар Праектнровшикп ИС пазьзуются такими приемами как перемежающаяся (гребенчатая) структура (два прибора разделяют между собой один и тат же участок подложки ИС) и выравнивание температурных градиентов в схеме между приборами (рис.
3.15). Получаемые резуль таты впечатляю.! Хотя ПТ не могут сравняться с бипалярными транзисторамн в со)ласаванностн Паз!. их паРаметРы вполне пРиголны дла большинства применений. Например. е1анлучшим ОО)зазам сОЕ лйсОВанная пари ПТ имеет сдвиг 0.5 МВ и темпср,лурный козффипиен! 5 мкВЕ С (макс ), в З.о время как у лучшей бнаалврнои пары зтн значе. няя буду! 25 мкВ и О.б мкВ С. груба говоря. в 10 раз лучше. Опера)евсее!)ыс усилие ели ! уннверсальныс лифференаиа )ьные ьснлю)ели 1 высгзким козффиписнтам ссилення. О которых мы бу гем л)варить в «ле Еуюшей Е;ювс! Вып)скгнлся как на аа )свым гак н на бнп лярныз транзисторах тля высока)очных аримгнений вы сможе)е. ваоб)ас говоря.
выбрал, ОУ с биполярной «на енньай» (ванд» теснота сш ласавания входных т)занзиста(зов па ( н.). и га ВРС ЕЯ как ОУ . 11Т-входам, гченизна. ннляе)ся пг)илучшнм выборгзм Еля высакоамных схем (их вхюа, — затворы 1П евг )ютребляюе гока), Паприме(5, не()гзр пой С)У тиаа 1 й 411 сг вхалом на «1Т з р 15-пстзсхгзлгзм. кглорый мы непал!дусь! повсеместно в схемах. приводимых в слелуюшеи главе. имсег типичное значение входного тока 50 ОА и стоит бб пеел: аааулярный е ЬС272 со входам на МОП-)ранзнсторах стоигарвмерно столько же н имев~ типичное значение входного тс ка все~о 1 г)А! Для сравнения укажем, чта обычный биполярный ОУ ИА741 имеет типичное значение входного .)ока 80000 ИА (80 нА). В табл. 3.1 — 3.3 лан перечень типичных ПТ с р л-переходам (как одиночных.
)ак и слвоенных) н малосигнальных МОП-транзисторов. Мошныс МОП-транзисторы, которые мы р! осмотрим н раззл 3,14. перечислены в табл 3 5. Тспег.е мы готовь! к тОм' . '! ТОбе» 1)ассмо. ре!ь схемы на ПТ С)еззы'пегз МОЖИО ндй)и с)юсаб преобразовать схсмз нн биполярных ! раш)не гара!. н схемз г испгые, юва- ВИЕМ ПТ ОЛПЛКгз та: Нсеи Ея СХСМа Маак! не зать х )учшсггня харчи г санс ! Ик В . л)ВН)сися шсл: пай 5.) )Ры мы )ж! рае моя;»кпъ г 5.
хсмньи решении н - рых прони Ошл ся прсимутпгд е ва 1 шрпботиог бчшгх бзлгюг Е)г сераепы не ПТ. ипи ка)арьи' совсем нельзя ипз )*- вигь ни бвпозярпых ераншсгарях С гм н )ГЕЛЬЮ МГЕЖС) Охлза)ЬСЯ Ггаг! ГГНЬГМ:ГРз!. пирона)Е, схсмь! Иа 1П' п. катыс!пня з ЗТС' НИЛИ)4 Схемы с высоким полным сопротивлением (слаботочвые). Гада !гасятся бь- й)йр(ВЕ)ги 3.1. Полевые транзисторы с р- и-перехолам м Пп(С...),В (зи. пФ С'„.
пФ Примечания мии. ммс мин макс маьг мгка 1,1 Ма и.я Зза «а ! пА (макс) !,8 6 0,03 0.09 0.6 0,24 0.6 0 2 0,6 0,3 О, ! А,Гп' ' при )ОО кГЕ Малый ГВЧ-шзьг 2 зв (мак..) прн !(Ж МГн Низкпчас г пгныи. маяыи шЗ м !О 55В) и' ' (макс.) при Ю 1'и 2 5 11 25 0,4 ),2 0,7 2,5 7.5 1,8 0,5 ! 7 14 1 7 2 6 типов а серии с! раган гпагеифггкапия пп 1г„.„.
кампяемьюариыа к Р-ьананьиым 2Ы5358 64 Ключ Л.„, =- 5 Ом (макс ) Оаш ге назначения. компяамьч. гарные ь Р-канааьиым 2Ыг460 30 15 10 7 3 7 3 ~~в69: г 25 0,3 25 8 20 Зан зо 0 ь !4 О ' 40 5 30 ОЛ Малый шгм и ВЧ. аа.юршсй г Оаархмаяый шум: 1 нв Гп !5*' Онархмадый зз)м ОЛ нВ Гп' 5 13 ь 5» 1,5 !л илга !. Р „, = 75 Ом 7 видов а г рии строгая спгпифиьапия по Ег „, кпмпзамаигарныг ь а-канальным 2Ы576ч ГО 9!) 5 )8 Ю 5 0.5 6 Осшиы наз! ачания.
кпьпыамьн арны«к а-кана гыгым ЗИ54 " 075 40 ! 5 12', 40 4 !6 г)ж,';Р Г.аср*мазый пгзм (.7 нВ'1'и' ' 4)(~щаплыа ф~Й17)х- 40 2(ЧР)4151ОЯ 40 Ч)фрй', 50 '28И216, 30 Ф" ЗРВР)гые или обьгчныс усиди!ели лля тех ИЕг)ЗТЬЛЕЕЯЕЕЕЕИЙ. )ЛЕ ГОК баЗЫ ИЛИ КОНЕЧНОС )й)М9тос Входное соп)згз!.И!!ление оипаляр4веахг()т~зистггрггв о! рани !налег нх харак- ~21)()8(аЗЗеки.
Хотя мь мажсм Паетраи)в евяейеесхемы ни г Елслыи взаймы, 111. Ол. 1)юв(й:сегодняп)няя гракгшгн . !.ше. арсл. ТЯ))2(тонне испггльтавацпьз ин ге!.ральныз ьзе(я)2 построенных на 1П В некоторых и! ЕЕЕВЗОПТ использз с гс5! 1алькО В 5;и и сз Ве 'не))чокоомиогг вхг лнш г каска и.,г вся МьЗ~ЙЬНВЯ СХЕМЫ ПОСТРСЕЕНЗ аа (ЗЕЕП)5ПЯР.~рйа(' транзистарпз,. н лрм их Вся схема 'ак!)нтраена на П'1 :.'~йеалоговые клаочв. МО11-)ринзнслгрЬ! Ею)Н(ЕНЗТСЯ Е11)ЕВОСХОЛПЫМИ ВНВЛОГОВЫМИ )яйк(»та)ЗКИ. ТараВЛЯСМЫМИ Иаа))яя СИНЕМ. как мь! уже указывали в разл 3.01.
Мь: еше обсулим вкрал,е данный предме! И снг ва говоря ианологовый ключ». мь! ла тжнь! )3 абелем сл"чаь им( т ' В Ви л ин)шрпльныс микросхемы. а не схемы. )ъзс! раенные на ап.кратных .Ыемг.птах Пифровая логика. МОП-транзисторьг Лг. Ч)НПИРУЮТ ПРИ ПОСТРОЕППН МИКРОПРО- пессорав. схем памя! и и бгзльаа!Нства высококачественных ш!фровых Типических схем Микрамоп !лыс лое.ические схемы нз! ат а вливаются исключительна на МОР1-транзисторах Здесь как и прежде.
МПП-.гранзисгорь! Испальзунгтся В сост)в" инте) )лт иыз' сх=м Да !(ч" мы увидим. почему ПТ а!лается аредпоч)ение Тес)зел бипаляриыми т(занзистО(зами Рла ил ) )1 Тип Обагзгпзнныз " а Полевые транзисторы 135 7'лб шца 3.2. МОП-трннзнсторы зи = О,за Я „,О Л !миха.') при тш,в Г1римзчзяяя -О,б -0,9 1,2 о 10 20 -1,5 О = хОЗВ 0 -0,3 зи я-яявзльныз 38К38А зыпо 8732!О 81321! Нб!!3!О 3'О 1Е Я 81 ВТ 500 3 200 10 45 10 45 10 8 1О 1,3 0.5 0.5 5 20 ЗО ЗО 100 Ю 10 З5 40 20 !,О 05 7 0,5 0.8 2,4 О.О! О1 Мзлаг Я, !О Мзл Л.„ О,! Мятый 9МОВ пиал С И 0.01 Мзлый Ум 1Т1750 П.
Ц792222Е ГЯ С133600 аС 2В73796 МО 2В74351 МО» 50 20 0.5 3 8 5 0.6 2.5 500 1О 1.5 и 1О 750 1,6 25 40 От лиаз С И 15 0,0! Эхзивалзи и. рипа 4007 10 0.00! Обзлнзвяый: 1»и . = ' 5) 35 0.0! Папулярнын 0.4 300 1О 1.5 -1.5 0,1 Отг 0,3 ОЛ 0,5 Оси. б р-нзнзльныз ЗН163 УР1310 2 1.5 зз 250 20 25 Ю 5 07 '50 ), 0.8 40 П) !00 20 40 т! 15 )5 0.0! 0,1 Малый !" МОВ лиаз С-И 0,1)! Одз Эхзивз.
гн) м) ГП 700 СГЗЗНЮ П. кс МО.) л 400 !О 500 10 !.8 " ри»ы 4007 Пап!ляряыи Папузяряый ЬО 10 250 20 !.5 6 2 5 0.0! 07 Прямзчзни Фирм)) 5» солю Обш)') нмнз тзивз мз -)ыя »ргнф Паш )ярныи 27939х5 71;39ГП 214519а 2Н5520 ЗН5906 2!'159 !! ЗН648 ! НОРЬ406 )ОО !00 Ю) 100 2 )я ) Оа )х7 4 2». 0.6 47) )) 11зрзкв ~ !О Мз.шч уз ")яя змзм з Малый»)зм пз ВЧ Мзлыя )пзм нх В" «Кзсяаляый 71Т: мзлзя С 0 4 2Н 5453 ЗБК146 ; )'н !Он) ' 20 Сззгхм*»*ый шзм Пш В та„,, мА мин.
макс 1'. = 1О В мяяс В В ня мил )) Если яз указано абрзтназ. ' См гяагку х шбл 4.!. ' знгичнм звзчзинг х 7аблица 3.3. Сагласаваниыз пиры л-канзльных ПТ с р — и-переходам '1»а С,,„. мВ Дрейф 1м, Ктусс. 1 и*'1'„„3 В ), ),Ю Гп). Г, . »Ф нВ 1»' мкВ,"С =- 20 В1, =)О В, мзхс макс мака мин мин мып мзх хня' !О о* з ;ОП ' При ЮО Г», " при ! я1 и. »прн !О зт». ь при 'К' В. " при 20 В. "' )илнчнаг знзч *яиг ;;)вйтмипнью переключатели.
Мощные .Транзисторы часто бывают пред- ьнее биполярных транзисторов йз' " Переключения нагрузок, как мы уже .'ф)))))звли в нашей первой схеме, приведен- ::.'.))7)й:::илданной главе. Для таких лримене- Ф, "' "-Используются мощные дискретные йг)р)Ю)рПНЕННЫЕ РЕЗнетОРЫ; ИетОЧННКП тОКа.
'4)35')риейнойу) области стоковых ха Ракте;',йз)ммткк ПТ ведут себя подобно резисто- 'учтравляемым напряжением; в об' инасыщения» они являются управ- напряжением источниками тока. '!.".~рзжете использовать зги присушив з))нпйства в своих схемах замена биполярных траизистоы можете использовать ПТ в гене , усилителях, стабилизаторах на- радиоприемных схемах (по ' " мере в некоторых из них), †т, ' з~тбмчно используются билолярные оры.
ПРименение ПТ не таран улучшения схемы — иногда такая гкелательна, иногда нет. Их сле ,йр))3йвцзосто иметь в виду как возможнун) квну. теперь посмотрим на указансти применения Для лучшего мы слегка изменим горянок вв)~м).)з)явкочнпки тока на ПТ :;ф~ь)рг!рррехолом , ~:!зтчднльзуется в качестве источников 'йчя)З)Н)йх)С)ОСтаВЕ ИитстраЛЬНЫХ СХЕМ та Чает)й))))р)))ВОУ), а также иногда и в схемах нн :4)я)ззии)))ртньтх зпг)мет!тах Просз ейщай !И~К))ЯНПК тОКа На ПТ зтОК Юап НЗ РИС з.16 Рис ! 17 Сзмзйа)в) зыхаляых хзрзхтзраатиз )-хзвзльиага ПТ с» я-гарям лам типз "95484 зззиаимасть 1, 71 хм) три рззличнь:х зизчзниях П;„пр) палнгм мзгш)ьбз изь)знаний пзр)мгтраз а! я вз языльиам хчзсзьг )Ю мы выбрати ПГ с р — и-дерем!дом, а не й))ОП-транзистор.
поскольку емх не требуется сметдения затвора Гранам с обелнением) Из стоковых характеристик ПТ !Рис 3.17) видно, гто ток будет приблизительно лосм янным пра П -„больше 2 В. Однако в сил) разброса )с, величина зтого тока нслрелсказуема Йалрнмер. хсПюйство 27" 5494 Палиичный и-канальный транзистоР г, — и-переходом! нмее! паспортну!о вслачинь 1, „.„. т т ! л ° 5 МА И все же )га схемы привлекает своей простотой двухвыводнтп о устройства, лающего постоянный ток. Оущесзвунл' лезленыс серийные»лиодные стабилизаторы )ока).
Ррелставлюолтие собой всего лишь ))тобранные гю токх ) )Т с р-и-пере- холом.:, которых ютвор соелннел с) стоком. л'!'о .)оковые аналоги стабилитронов !сз абилизн торов напряжения!. Приведем характеристики таких прибо- 136 Глава 3 Полевые транзисторы !37 прием Тип 1К 5283 !775285 1К 5287 1Р«5288 !795290 1К529! 1«15793 1Х5294 17«5295 1К529б 1745297 1 1" 5299 !К5302 1! 5304 !735305 ! й!5301х 1К53ОВ 1Ы5309 !Нхз!О 1'.453 ! 2 !!153!4 0.22 0.27 О.з! О.З9 0.47 0,50 О.ба 0.75 0.82 0.9! !.О !.2 1,8 70 7П 3.0 зз 25 !4 м 2,7 1.9 14 1,2 !.о 0.9 0.8 О.Ь 0,5 О.л 0,4 !! " О '! О? !и 1.0 1.0 ',л 100 200 Ц В ! 7 1,3 1.3 !4 !.5 !.ь !.8 1.9 20 74 « О 1 2 3 4 5 !?, В Ри.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
