hhis3 (558069), страница 14
Текст из файла (страница 14)
гок покоя 1 мА а напра:ксиве 1.'.к составляет ":20 В. ча:юта сипш ш может изменя,'ься тзт зО 1'п гк 20 к12 Если лля рсцюния поставлсннои заглг.-ггз вы выберете схему с общим .Змигтером. ';я(~,";,-'9)зж г','" '. ',Ихйтучите усилитель показанный на ;к.'-'яхт 2Ооллекторный резистор выбрав 'гбйф~))йа~4ьг коллекторное напряжение по- -:,")1)ЕВ)гй й))г(ацлвло 0,5()кк. ЭмиттеРный Рс„~~~~йф4 ыйран с учетом требуемого значе -.,'ффф1фффициента усиления и влияния г, '"ф~~~)))1гдйяццего 25г1» (мА). Трудность со.и::;"тзэм, что эмиттерное напряжение, уйппь О,!75 В, будет подвержено згймйажйещщм изменениям.
Дело в том, т; ао г з ° йг)~ффг(й)гие напряжения на псрехоле ба ".:;~~й(~~~цтФИр, равное =0,6 В. зависит от ;:~)) м(()фИ)яйгри (Относительное изменение примерно — 2,1 мВР С). тогда ение на базе поддерживается "'~®)1)((()11)И11ым с помощью резисторов )т ~99" 'Ззййример вы можете убедит ься р О -,~ждичении температуры на 20 'С колгый ток возрас.заег цримергю на ;„, 4. (з.' жяФ,неприятное явление можно усзрн ,Х(ая)%кг:-яцли включить в ми торную цель -'йй3$1плнихельный зашутпированвын кон:)я)1)з)Мяй>м резишор.
ктпз рыа не буде, ггзг(11)МЬФ:иа коэффвзпшц, усиления и рябо 1я)()г)Ииацазоне част„з,рис Тат)'. как и н эй(1((И(ь)Душей схеме. коллек-горный рези ?)Й)йгигябран здесь так. ч.г Обы напряжение Я~ФМлдеятоРе бы ю Равно 1О В 10.5 Ст кг 'Мй))Еатнруемтнйг резисигр и цспн змцг.геф~)йкяйраи таким обраюм. Згооы с з чс ом иного сопроз.ив повии згмггз тора :яй)йяйвЮпошего г, = 25 1, (мйь ко-гффп ГИМ~ 'уяиления бы г равен 50 Дополнитзмй)вийк-.сопротивление н льни згмиттсра я)(кя(ИИО быть хаким, побы смешение бы Рно ХЗЭ Усн.зиталь с обшим эмиттаром. обладаю- ший стабильным смешанном, линейностью и боль- шим коэффиниантолг усиления по напряжанию ло стабильным (хороший результат дает сопротивление, в 1О раз меньшее коллекторного).
Напряжение базы выбрано так, чтобы ток эмиттера был равен 1 мА, при условии что сопротивление цепи смещения составляет десятую часть от сопротивления по постоянному току со стороны базы (в данном случае около 100 кОм). Сопротивление шунтируюшего конденсатора в цепи эмиттера должно быть небольшим по сравнению с сопротивлением 180 —.- 25 Ом на самой низкой частоте диапазона. И наконец, входной конденсатор межкаскалвой связи должен иметь небольшой импсланс цо сравнению с входным сопрог.ивлением усилителя иа час.юге гзхтгдггог о сигнагш, которот. оцределяст- Рнт ..ЗО Лрутор и я лазо ох*мы. г кззашюя рно. ". Ы 94 Глава 2 Транзисторы 95 б одной сигнал сигнал Рис. 2ЛК Саема смепзения. в кепарей «оьп1енеируе1ея пааенне напряжения межну базой н змнттером 1.' обратион евюи ва пает отав си~ б бт'1 н11м' Рая .'ЕЗ Г таба ьп.ю мше~ и обеепеннваетеа 1 от*: оьрмвсй связи ся параллельным соелинением сопротивления делителя напряжении и сопротивления (!80 ч 25)йты Ом (на шстотах входного сигнала сопротивление 820 Ом шунтировано конденсатором н равноценно замкнутой накоротко цепи).
В другом варианте этой схемы цепи сигнала и постоянного тока разделень1 (рис. 2.40). Это разделение позволяет изменять козффипиент усиления гза счет резистора 180 Ом), не изменяя смеатепия. Иснольюваиие согласованного транзистора. Для получения напряжения базы, обеспсчиваюате~ о нужный ток коллектора.
можно использовать согласованные транзисторы. при этом будет обеспечена автоматическая температурная комаеисэаия (рис. 2.41). В цеаи коллектора транзиО1ора Т, протекает ток 1 ыА. потенциал коллектора близок по.еацигту земли (точнее, арсвьаааст аотенаиал земли пример. н, аа величину аа.зения напряжения 1,, 1. если транзисторы Т н Т арслстзнляуо. 'ОЬОй сотласеааьчтую аар),ааа1уимеут.
лан транзистора. Нз1 еговлсааых аа о 1аом кристаюче кремния). аз смешение транзистоРа Тз бУЛсг таким.*гго уто; тРанзнстоР также с~зч1ст аорожлаи, ток ) мЛ н напряжение на еыз коллекторе б.ле1 равно 910 В. нри пом симметричный сш над на коллекторе может иметь размах —.10 В Изменение тема;ра~уры не влияе1 на работу схемка ~ак кнк тзбн туунггуистерн наход~~он в олинаховь1я темпера «ур11ых условиях. Воу чем хороши нмонолитиыен сдвоенные транзисторы. Обратная связь по настоянному току Для стабилизации точки покоя (рабочей точки) можно использовать обратную связь по постоянному току. Один нз методов такой стабилизации показан на рис.
2.42.Определенное улучшение стабильности можно ~1олучить. если напрюкение смешения аолавать с коллектора, а нс ог источника П Напряжение на базе превышает потенаиал земли на величину падения напряжения на диоде: так как аааряжение смеагсния снимается с делителя апрюкение на коллекторе превыициал земли на величину, рав- напряжения на диоде, уве- П раз, т. е. составляет = 7 В. еньшает склонность к насыВрая может возникнуть, на- коэффициент б будет пешим) за счет того, что при коллекторного напряжения напряжение смещения на баНяему можно использовать в тех да не нужна высокая стабиль- покоя (выхода) подвержена арно на 1 В за счет измснений окружающей среды.
Это свячто напрюкение между базон имеет большой темпераэффициент. Большей стабильладает схема, в которой аетля язи охватывает несколько кза)гв~й(ид усиления. Примеры вы увидите ~!!Хде,речь пойдет об обратной связи ".-увййцв.його, чтобы аонять. как работает .
„я(аайяжама, нужнО Викма'тельное рассмо 'вжк(вхубратную связь Например. обра рная -ввй(ва';. уьгеньшает входной н выхолной ;йн)юн9$внсы. Для входного сигнала сопро ',''~ФГецве 22т Уменьшено за счет Усилснил ,ке(о(ть-;:гШ(ФРЯжению. котоРым облалае- кн 'чв))пйуВ данном случае резистор Л квв- !З)йййейрен резистора' с сопротивлением Фм~ ~)ЬК один конец которого заземлен '~%1НФи?щей главе мы рассмотрим обрат з)))йп:ввяэь более подробно. и тогда вы , вюяй))(ате определить козффициен г уснле- ния по напряжению и входной и выходной импелансы ланной схемы.
Отметим,что сопротивление резистора смещения базы можно увеличить„и тогда увеличится входной импеданс схемы, но ток базы уже нельзя будет считать пренебрежимо малым. Можно, например, взять такие резисторы: Я, = 220 кОм и )тз = ЗЗ кОм. Другая возможность состоит в том„что в цепь обратной связи можно включит.ь шунтируюший конденсатор, как показано на рис.
2.43. При этом удается избавиться от обратной связи (а следовательно, и от пониженного вхолного импеданса) на частотах сигнала. Некоторые замечания относительно смешения и усиления Первое важное замечание касается усилительных каскадов с заземленным эмиттером: создается впечатление, что коэффициент усиления по иапрюкению можно увеличить за счет увеличения тока покоя, так как собственное сопротивление змиттера г уменьшается при увеличении тока. Оштако„ хотя г и уменьшается при увеличении коллектор- ного тока, для получения того же самого рабоче~о напрюкения на коюзекторе прихолится использовать меньший коллекторный резистор, и в результа1с выигрыша нет.
На самом леле моткно показать. что в усилителе с заземленным змиттером, смещенным так, что напряжение покоя составляет 0,5 б ., коэффициент усиления по напряжению для малом~ сигнала равса К— : 20 РУ „. Независимо от величины тока покоя (рабочего токай Уирэжиеиие 2.10. Донаки~е. вт епепанп е вылов аерж-енн пр аез 1в Боли требуется увеличить ноэффиавеш усиленна каскада ао напряжению. мз мож. не.
например. в качестве ак1.иваси натру ь кн использовать источник тока. Гак как источник тока облалает очень большим импелаисом. то иа одном каскаде можно получить коэффициент усиления пе напряжению. равный 1001) и выпас Такой полхол не пригоден в схемах со смете- ноем. которые мы рассмотрелн выше; каскал должен являться частью схемь1, охваченной обшеи ае1лей обр;ынои связи ао постоянному току. Об этом аоговорим 96 Гляни 2 Транзисторы 97 +20 В енк« з ибм ВВГ1зузя Т Управляющий ~пхолгзОи2 пзОВ тпр 2.14. Токовые зеркала ) ~ьзз Иигруззгз~ ;;,, „'(1:::: ст,м Ргк .'4з в следующей главе. Внешняя нагрузка такого усилителя обязательно должна быть велика. в противном случае усиление, полученное за счет большого коллекторного сопротивления. будет потеряно. В качестве такой высокоомной нагрузки можно использовать эмиттерный повторитшзуч полевой .транзистор или операционный усилитель.
В радиочастотных усилителях.предназначенных лля резонансного усиления в узкой полосе частот, в качестве коллекторной нагрузки принято использовать параллельный БС-контур; в этом случае можно получить очень большой коэффициент усиления по напряжению. так как на частоте сигнала БС-контур обладает большим импедансом (как источник тока), а его импеланс по постоянному току мал. ВС-контур можно перестраивать и благ одаря резонансной характеристике он подавляет сигналы, лежащие за прелслами рабочего диапазона. К преимутдествам этой схемы можно отнести также возможность получения размаха выхолного сигнала, равного 2П ., и возможность использования трансформаторной связи.
Упражнение 2.11. Разработай~с резонансный уси.ля~алиный каскал с обшим змитзером лая частоты 10 кГп. Иыюзтюуйтс и схеме шунтирояанныи змиттерный резистор и устыоимю зок поьгзя яеличюн'й ! мя Пусть Ск, = -!5 В а т =- ЗО мГн, паразлыьи, ГГ-коигзрз полкль чип рсзншсзр бл ьОм, с тем чтобы полулшь О=- '0 Зпи.риаз полосы ЮЧ, сх Ра'зл ~ ззз Д.ш межкаска:шои связи используизе иа ххопе хоилсн а ор Оз :схемы смешения с испз дьзованнсм счуттзаегзааННОИ ПаРЫ тРапэиетОРОН тЕГКО перейти к так нггзьтвасмз мз токовому зер- калУ (Рттзг 2.:дз. Работа ~охотзого зеРкалл программируетсяи пу тем задания ко,- лекзорноззг тока транзистора 7з. Напряжение В -з,для Т, устанавливается и соответствии заданным током,:емпературой окружаюпзей среды и типом транзистора. В результате оказывается заданным Режим схемы и тРанзистоР Тз согл,зсованнын с транзистором 7: злу:ппе вссзз использова ть моношт гныи слвоеннын транзисторй передает и наз.рузку тнкои же Рис.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
