rkvgener5 (558019), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Параметры КР: | |
частота последовательного резонанса | (Гц) fкв |
сопротивление динамической ветви | (Ом) rкв |
статическая емкость | (Ф) С0 |
добротность | Qкв |
допустимая мощность рассеяния | (Вт) Ркв доп |
По окончании ввода исходных данных программа предлагает проверить правильность ввода и продолжить работу или ввести новые данные. В случае продолжения работы необходимо ввести дополнительные данные;
мощность рассеяния КР | (Вт) Ркв |
напряжение питания | (В) Uк0 |
угол отсечки • | (град) ТЕТА (q ) |
индуктивность | (Гн) L3 (см. рис. 3.4) |
В перечне данных указаны единицы величин и обозначения в запросах и сообщениях программы, в скобках — обозначения в формулах разд. 4.3. Ввод исходных и дополнительных данных осуществляется с клавиатуры по запросу программы, при этом в наиболее ответственных случаях, для удобства пользователя, программа предлагает рекомендации по выбору значения величины.
Например: «Угол отсечки (рекомендуется ТЕТА=50...90)».
Расчетная часть программы соответствует методике расчета, изложенной в разд. 4.3. В результате расчета могут появляться сообщения программы, требующие вмешательства:
— «Ркв не должна превышать Ркв доп, введите данные снова» — это означает, что мощность, рассеиваемая КР превысила допустимое значение, необходимо ввести данные снова, изменив значение Ркв.
— «При таком соотношении Рн и Ркв частота будет нестабильной» — необходимо поступить так же, как в первом случае.
— «Ток 1км превышен, необходимо выбрать другой транзистор».
— «Рассеиваемая мощность превышает максимально допустимую» — необходимо выбрать транзистор с большей Р рас доп или уменьшить напряжение питания Uк0.
Результаты расчета выводятся в такой последовательности:
сопротивление резистора | (Ом) R |
мощность рассеяния резистора | (мВт) PR |
максимальный ток коллектора | (мА) 1км |
Параметры элементов контура: | |
сопротивления | (Oм) X1, Х2, Х3 |
емкости | (пФ) C1, C2, С3 |
индуктивность | (мкГн) L3 |
Эти данные составляют первую страницу вывода результатов.
Параметры режима работы транзистора: | |
тип транзистора | |
амплитуда первой гармоники тока коллектора | (мА) Iк1 |
постоянная составляющая тока коллектора | (мА) Iк0 |
амплитуда напряжения возбуждения | (В) Uв1 |
напряжение смещения | (В) Uв0 |
модуль коэффициента обратной связи | К |
амплитуда коллекторного напряжения | (В) Uк1 |
мощность, потребляемая от источника питания | (мВт) Р0 |
колебательная мощность | (мВт) Р1 |
мощность рассеяния | (мВт) Ркв доп |
Далее, в соответствии с предложенным меню, можно повторить просмотр результатов расчета с первой страницы, произвести расчет с начала. Окончить работу и рассчитать цепи смещения.
Для расчета элементов цепи смещения необходимо ввести данные: Rэ (Ом), Rб (Ом), Iд (А). Рекомендуемые значения программа указывает в скобках. В результате расчета получаем значения сопротивлений делителя в цепи питания базы: R1 (Ом), R2 (Ом).
Далее, согласно меню, можно повторить все вышеописанные процедуры, а также окончить работу.
Данные для контроля программы
Автогенератор возбуждается на третьей механической гармонике КР.
Вводимые данные:
Рн = 0,1 мВт, f = 60 МГц
Транзистор ГТ311 | КР | Дополнительные данные |
f гр = 500 МГц | f кв =60 МГц | Ркв = 1 мВт |
h21э = 50 | rкв = 50 Ом | U к0 = 5 В |
rб = 60 Ом | С0 = 5 пФ | q = 60 град |
Iкм доп = 50 мА | Q кв = 105 | L 3 = 0,5 мкГн |
U кэ доп = 12 В | Р к доп = 2 мВт | Rэ = 300 Ом |
U' = 0,3 B | Rб = 500 Ом | |
Sгp = 0,05 А/В | Iд = 0,2 мА | |
Ррас доп = 150 мВт |
Результаты расчета
Параметры контура | Параметры режима | Параметры цепи смещения |
R = 530,8 Ом | Iк1 = 5,3 мА | R1 = 24 кОм |
РR = 0,094 мВт | I к0 = 2,9 мА | R2 = 7,7 кОм |
Iкм = 13,44 мА | Uв1 = 0,25 В | |
X1 = -100,9 Ом | Uв0 = 0,16 В | |
Х2 = -36,8 Ом | К = 0,56 | |
Х3 = 83,4 Ом | Uк1 = 0,45 В | |
С1 = 26,3 пФ | Р1 = 1,2 МВт | |
С2 = 72,1 пФ | Р0 = 14,7 МВт | |
С3 = 25,3 пФ | Ррас = 13,5 МВт | |
L3 = 0,5 мкГн |
5.3. Программа QV_OS» Автогенератор с КР в цепи положительной обратной связи
Программа QV_ OS производит расчет автогенератора, работающего на высших механических гармониках КР и выполненного по схеме рис. 3.6. Принцип работы, методика расчета и основные соотношения для такой схемы АГ приведены в разд. 3.3 и 4.4.
Исходные данные
мощность в нагрузке | (Вт) Рн |
частота генерируемого колебания | (Гц) f |
Параметры транзистора: | |
тип транзистора (например, ГТ313А) | |
граничная частота | (Гц) fгр |
крутизна линии граничного режима | (А/В) S гр |
допустимый максимальный коллекторный ток | (А) I км доп |
допустимое напряжение коллектор-амиттер | (В) I кэ доп |
коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ | h21э |
сопротивление материалы базы | (Ом) rб |
Параметры КР: | |
частота последовательного резонанса | (МГц) fкв |
допустимая мощность рассеяния | (МВт) Р рас доп |
сопротивление динамической ветви | (Ом) rкв |
статическая емкость | (пФ) С0 |
добротность | Qкв |
Дополнительные данные: | |
мощность рассеяния КР | (Вт) Ркв |
максимальный ток коллектора | (мА) Iкм |
напряжение питания | (В) Uк0 |
угол отсечки | (град) q |
ненагруженная добротность контура | Qнен |
КПД контура | КПД (hк) |
В перечне указаны единицы и обозначения, используемые в программе. Ввод исходных и дополнительных данных осуществляется с клавиатуры по запросу программы, в котором имеются рекомендации по выбору соответствующих величин.
При необходимости корректировки входных данных, после запуска программы, надо положительно ответить на запрос о редактировании, указать номер корректируемого параметра и ввести его новое значение.
Расчетная часть программы соответствует методике расчета, изложенной в разд. 4.5.
Результаты расчета выводятся в такой последовательности:
Параметры режима работы транзистора: | |
тип транзистора | |
постоянная составляющая тока коллектора | (мА) Iк0 |
амплитуда первой гармоники тока коллектора | (мА) Iк1 |
амплитуда напряжения возбуждения | (В) Uв1 |
колебательная мощность | (Вт) Р1 |
амплитуда коллекторного напряжения | (В) Uв1 |
напряжение смещения | (В) Uв0 |
мощность, потребляемая от источника питания | (Вт) Р0 |
мощность рассеяния | (Вт) Ррас |
сопротивление делителя в цепи ОС | (Ом) rд |
Параметры элементов контура: | |
обобщенная расстройка контура | d |
резонансное сопротивление | (Ом) Rк1 |
емкости | (пФ) C1, С2, С3 |
индуктивность | (мкГн) L3 |
Параметры элементов цепи смещения: | |
сопротивления | (Ом) Rэ , Rб |
сопротивления делителя | (Ом) R1 , R2 |
сопротивление в цепи питания | (Ом) R |
Данные для контроля программы