Семинар по теме Пленочные конденсаторы (1186332), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Поэтому параметрыэквивалентной схемы конденсатора необходимо определять при той частоте, при которой онбудет использован.Материал обкладок тонкопленочного конденсатора должен обладать высокойэлектропроводностью, малой миграционной подвижностью атомов для предотвращениядиффузии в диэлектрик, хорошей адгезией как к подложке, так и ранее сформированным пленкам,невысокой температурой нанесения и достаточной химической стойкостью. Материал нижнейобкладки конденсатора должен иметь минимальное количество микронеровностей высотой неболее 0,025 мкм.Из всех металлов с высокой проводимостью (Au, Ag, Си, А1) только последний наиболееполно удовлетворяет перечисленным требованиям.
Другие из названных металлов не нашлиприменения в основном из-за высокой миграционной подвижности атомов. Часто, приизготовлении обкладок конденсатора из алюминия, применяют подслой из титана или ванадия.Основные параметры конденсатора4.Оценивают относительную температурную погрешностьДопустимую погрешность активной площади конденсатораЕсли получиться, что< 0, то изготовление конденсатора с заданной точностьюневозможно. Нужно выбрать другой диэлектрик с меньшим ТКЕ и5...Следующим шагом определяют удельную емкость С0 точн с учетом точности егоизготовления.7.По заданному значению Сн и рассчитанному значения С0 определяюткоэффициент К, учитывающий краевой эффект.8.С учетом коэффициента К определяют площадь перекрытия обкладокконденсатора.
При этом, если окажется S < 1 мм2, то выбирают диэлектрик сменьшим ε или большей толщиной. Если это не дает желаемых результатов, тоизменяют конструкцию конденсатора.9.Определяют толщину d, соответствующую выбранному значению С0.Пример расчета тонкопленочного конденсатораРисунок 4 – Топологический чертёж конденсатора (масштаб не соблюдался).