14-04-2020-ЭЛЕКТРОНИКА-1.1-ГЛАЗАЧЕВ (1171923), страница 34
Текст из файла (страница 34)
табл. П.4).Пример цветовой маркировки Pro Electron приведен на рис. П.2.катодBA Y 9 3анодкрасныйбелыйсерыйоранжевыйРис. П.2. Пример цветовой маркировки по системе Pro ElectronСистема JIS. Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012,принятый ассоциацией EIAJ – Electronic Industries Association of Japan), позволяет определить классполупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника.
Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается.Условное обозначение полупроводниковых приборов по стандарту JIS-C-7012 состоит из пятиэлементов.Первый элемент. Первый элемент – цифра, обозначает тип полупроводникового прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора.
В табл. П.6 приведены обозначениядля первого элемента.Таблица П.6Первый элемент в системе JIS-C-7012Класс приборовУсловные обозначенияФотодиоды, фототранзисторы0Диоды1Транзисторы2Четырехслойные приборы3Второй элемент. Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что данный приборявляется полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от слова Semiconductor.124А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Электроника 1.1.
Конспект лекцийТретий элемент. Третий элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов.В табл. П.7 приведены буквы, используемые для обозначения подклассов.Таблица П.7Третий элемент в системе JIS-C-7012Подкласс приборовУсловные обозначенияТранзисторы p–n–p высокочастотныеAТранзисторы p–n–p низкочастотныеBТранзисторы n–p–n высокочастотныеCТранзисторы n–p–n низкочастотныеDДиодыEТиристорыFДиоды ГаннаGОднопереходные транзисторыHПолевые транзисторы с p-каналомIПолевые транзисторы с n-каналомKСимметричные тиристорыMСветоизлучающие диодыQВыпрямительные диодыRМалосигнальные диодыSЛавинные диодыTДиоды с переменной ёмкостью, p-i-n-диодыVСтабилитроныZЧетвертый элемент.
Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологическойразработки и начинается с числа 11.Пятый элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В – первая и втораямодификация).3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборовВ технической документации и специальной литературе применяются условные графическиеобозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730–73 «Обозначения условные,графические в схемах. Приборы полупроводниковые». В табл. П.8 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.Таблица П.8Графические обозначения полупроводниковых приборовНаименование прибора600abcaДиод выпрямительныйОбозначениеbДиод ШотткиcСтабилитронСтабилитрон двуханодныйДиод туннельныйОбращенный диод125541,5652А.В. Глазачев, В.П. Петрович.
Электроника 1.1. Конспект лекцийНаименование прибораОбозначениеВарикап600АБиполярный транзистор p–n–p-типаDА/2А9111214ADБиполярный транзистор n–p–n-типаПолевой транзистор с управляющим переходом с каналом n-типаaBDа571068127914BDcсПолевой транзистор с изолированнымзатвором с индуцированным каналом nтипа1,5Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом p-типаПолевой транзистор с изолированнымзатвором с индуцированным каналом pтипаПолевой транзистор с изолированнымзатвором со встроенным каналом n-типаПолевой транзистор с изолированнымзатвором со встроенным каналом p-типаДиодный тиристорb/2Диодный симметричный тиристорТриодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением поанодуbТриодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением покатоду12645А.В. Глазачев, В.П.
Петрович. Электроника 1.1. Конспект лекцийНаименование прибораОбозначениеТриодный симметричный тиристорТриодный тиристор, запираемый в обратном направлении,выключаемый с управлением по анодуТриодный тиристор, запираемый в обратном направлении,выключаемый с управлением по катоду38Излучающий диод450ФоторезисторФотодиодФототранзистор p–n–p-типаФототиристорОптрон диодныйОптрон тиристорныйОптрон резисторныйОптрон транзисторный4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемахЭлементы, входящие в состав изделия, на электрической принципиальной схеме должны иметьбуквенно-цифровые обозначения.127А.В.
Глазачев, В.П. Петрович. Электроника 1.1. Конспект лекцийТипы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ2.710–81.Позиционное обозначение элемента в общем случае состоит из трех частей, указывающих вид,номер и функцию элемента и записывается без разделительных знаков и пробелов.
Вид и номер являются обязательной частью условного буквенно-цифрового обозначения и присваивается всем элементам схемы.Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.Таблица П.9Буквенные коды полупроводниковых приборовПервая буква кода(обязательная)BDVПолупроводниковый приборФотоэлементСхема интегральнаяаналоговаяСхема интегральнаяцифроваяДиод, стабилитронТранзисторТиристорДвухбуквенныйкодBLDADDVDVTVSСПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ1. Быстров Ю.А. Электронные цепи и микросхемотехника: учебник / Ю.А. Быстров, И.Г. Мироненко. – М.: Высш.
шк., 2002. – 384 с.2. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств /под ред. А.А. Ровдо. – М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2001. – 368 с.3. Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. – М: Энергия, 1968. – 624 с.4. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. Изд.
2-е, перераб. и доп. – М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2005. – 384 с.5. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера,2005. – 408 с.6. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов. – 3-еизд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 2004. – 790 с.7.
Данилов И.А., Иванов П.М. Общая электротехника с основами электроники: учебное пособие. 4-е изд. – М.: Высш. шк., 2000.– 752 с.8. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: учебное пособие. – Ростов н/Д.: Изд-во «Феникс»,2000. – 448 с.9. Морозов А.Г. Электротехника, электроника и импульсная техника. – М: Высшая школа, 1987. – 447 с.10. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов. 8-е изд., испр.– СПб.: Изд-во «Лань», 2006. 480 с.11.
Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учебное пособие. – СПб.:Изд-во Питер, 2004. – 522 с.12. Петрович В.П., Воронина Н.А. Силовые преобразователи электрической энергии: учебноепособие. – Томск: Изд-во ТПУ, 2004. – 255 с.13. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 288 с.14. Ровдо А.А.
Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах. – М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2002. – 256 с.15. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов,Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.16. Усатенко С.Т., Каченюк Т.К., Терехова М.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД: справочник. – М.: Изд-во стандартов, 1989. – 325 с.128.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
