Никулин Н.В. Радиоматериалы и радиокомпоненты (3-е изд., 1986) (1152093), страница 40
Текст из файла (страница 40)
Нлп взапмолополняюнги . 1ггрукт)ры). 11зсноч н1,1 с И С позучзн11 па базе о1 коплепочной или золстгэпле ночной зехволгл 1и пзггжовлепия и в соответствии с этим деляг на тонков зспочиые и гогстспленочньы. По тонкопленочной техно.югии ла ба~оные пластинь1 нз сиза:1ла или стекла )размером б0 х 48 к 0,5 мм ~~~одом те)эмвчесьюо испарения илн ионного распыления резисгивньгх, емкостных и н)к'воднике Вь1х ма'11рпалОв напылязО1 тонкоплсно 1нь'с злгмснть1 и сослгнеиия мсжд) пипи. Т~ Л1кина пленок пс п(мяып1ает 1 мк1'1 (обычно От 0,01 ло 02 мкм), а ра;реюаюгдая с1зособиость рисунка составляет 50.
100 мхм На оплот 11.юс1пнс мох е1 бьыь расположено несколько гоикопле ночных схем. которые после ее и готовления и скраибнрования могут помсюд!ься н с.ляс. вм1пыс корпуса. Дли1га и Н1нри1га у ннлиаидуа-чьим тонкоплспс п ой ИС опрело.т моя кратным делением сгорон ба,оной плактичы. напр1имср 6азовая п.р1стина 00 к 4К мм можсг бгг1ь разломана на четыре пол южан с тю1к и 1епо нпяк1и з 1емежгамп размером 24 к 30 мм каждая. на гзссгь поз ложек ра мс)юмн )О к 20 мх1 н т. д.
Р тозстоптеночпыч ИС оззовыч пластин нет, ~~~д~я подложка отде-п, ной ИС 24 зб мм мл о:пеня и1 керамим: 22ХС. На ьсе через ссг;агый трафарет рсчечсм втирают спеюгальюлс резисзивныс и п)юаодягдис пасты на основе серебра, пал чадна и дру1их благородных металлов, а за~ем под всргмот обжигу (методы Н1елкографни и ахгигапия в керамику). 3ольдина тзлсгых плевок более 1 мкм.
а разре1паюп1ая способность рисункч на олин 11 2 в '!-,'-':: С г 2 1 1 1 р, )П :кые 1С к), гм е- ою Р ~х ~т г) и з ! ~к порядок неже, чем у тонкопленочных. Толстоплсночная ггхноко.пя ~ребует монсе ответственного и х;енсе дорогостоящего оборудоваюся и по~вопиет создала~в многое.юйныс голс~опленочиые по ложки 1до щести и болье слоев сос,щненни>, па верхнем с;юс ьозорьх 1зазме:даются элементы и компоненты ьщкросхемы.
Нанесение толстоглсночных ьерг.ии~сскнх С.юев 1ло 100 мхм) на сюльное основание — ллсз голппщой 500 ь ьм раз': мерами до 300 х 400 мм — позволяет ьоистры"ровать 'рэпноформагные "",,: подложки, обладающие высокой механической жещ гостьи., лро ~нощью и значительным зсплоогводом Поскольку' создание актиеных 1 лсночных элементов 1!ранлюторов, ИС) В настоящее Время технически нерсализ)смо, па гонке- и толстопле:;:,:. но*щыс подложки с пассивиыл~и злементами усгаиавливанп бескорпусные ИС и мньрокомпоненты, например мщючнтныс керамические конденсаторы серии К10, и расщнсааю 1развзрнваюг) нт на контактных плонылках подложки Таким образом.
в э~их ьонсзруьнпях применяют сочетание полупро':::;, водниковых и пленочных элементов схемы и нззь вщот гибридными. Пленочные ИС позволяют получить более высокие уровни технологической точности и температурной с~ аб~гльностн по сравнен~по с полупро; . водниковыми, а полупроводш~ковые обладают более высокой плотною ыо упаковки элементов, ~еьч пленочные. Иглюльзованис обоих достоинств этих видов ИС определяет' возможности разработки высококачественных больших гибридных интегральных схем 1БГИС), на~ ример частного грпменения в условиях конгре~но~ о раднопрелгрнятпя даже прн магых сериях выпуска. По функциональноьгу назначениго ИС можно разделить на цифровые н ангозоговыс.
Псрвью р юотаип в режиме клю щ н используются часто ьак логические злемензы в ЭВМ, систски:х автоматики и устронств дискретной обработки информации, вторыс — ьак линейные усюппелн, генераторы, преобразователи, импульсные рсзаксаторы К основным электрическим параметрам цифровых ИС озносяг потребляемую мощность, среднее время задержки распросзранения сигнала, энерг по псрсьзпоченгя. максимальное напряжение погиехи, уровни выходных напряжений, соответствующие логи ьесьнм нулю н единице, коэффициенты объетщнения схем по вход) и развегвлення по выходу. Критерием качества цифровых ИС является работа переключения, определяемая произведением потребляемой моппюсзн на ь1чмя задеря ки сиыгалс.
По этому разработаны типы н гиги ИС, раз.лщцощпеся по величине эзояо кргпсрия. Ка юсификация циф)ювых ИС по ф)национальном) назначснюо, виду и гигу логики приведена в табл. 30 К сгьовнь,м злекг1-нческнм параметрам аналоговых ИС относят коэффициент передачи, входное и выходное сонрознв:ения, пало у чало", а для схемы рслакса)оров — диапазоны длительностей имгульсз, чзстоп~ повторения, амплитуды. Многие схемы усилителей и преобразователе) строя~ел на базовой схеме олерадионны усилите.юв.. Класснфпхщкяя ааалоговь:х ИС по функциональному назначению и виду пр~ велена в табл..'1, По степени интеграции количеству схемных элементов и ком~ оиентов М в крпстачлс нлн на г:озложке — ИС подразделяю~ на ИС1, ИС, ИС3 с)геленой. Сьепень пнтегрщгни определяется формулой й'.=- 1й)ч,, гте 183 ТаГ дица 10 Еаассификициа цифровых Ис." вироиосо цриысисииа цо фрииционацьнои1 ииаиа ~сюоо, вирр и аицу лосзаси Г".
х сс си ос Пссир сис в„. :сс хсос !!л 1-1! ТТ!'.с! ГТ '1 Лос!яссхцс хссысохы ' Й ыр! Л.'1 , '. !1ЛП сЕСо *1 А 1с ар! — 11Е» «КЛИ -Г!Ь ' ТТЛ ЭСЛ ВГ1Л 1рцпсры !Юц И.1 .Л К !1 : Сос~чикц '!" ГЛ ' !Сц! !!СТЛМ Л! иф рос и ры Лс Б л« !!!ыс:ц! г! ТЛ 'П ! .к Л Г11! ВП. ! Т 1:1 НС ГЛМ ТТЛ "1С Л НС"ГЛМ ВПЛ !СЛ г1г.,ргвгнясг ге кннв г. 30 11г,. "ы сг ка 1 Л ' и'Фся.сары г ~ 1й' 1Л14 Кг сгбгггггг1ясгг:.нгиыв 1 1гг 'яСЛ Кс 1ЛМ Ен.а-яон Ияггирнгясггг и гнг~ ивн ягввггггя и внсррнг Ф«рягн1гсявн г .гн 1 ня;ыу.,лс1гм гг гяян 1 "1 ы, ян Сксгнг гннерикг; 11,ис и:..'~ ис и 1 "ся нггг ыв г1гс «и: ', РР.1 , 'Б1:11 1г Ы 1Р Ь11 .
'11 ИР1Л:; в1гяяг'ОФИгагггггн ' и»' 11гнргг вг *\.' гии сг;исг й рнис ~а ни:. 1 Р1.1 — г1 ы .:. «1ян р, > ня, гя я. ынв,'1,1 . г1,, наг рниа ягггоа ' . гггг ивася .вя .«. гас 1 им рнияяиг,-яга агни . с н* як рагс е„ноя «яг""вг. и а1гяи.гвяс Ива", В11Л гнвоксовр г,вая яо вгы, !л игн ы лнснгнг гоыв.. гсгро1кггг РЪ Рна с«гггнаг и с ряв сггвяг РМ. РВ - бсг гксяг аи в квн» Иягг~а гнснгг иряы ~Иг гя- 1 ' с'1-.ггв И1 ~ 11.,1 Р 11 1 НС 11111 1с 11 '1 а б: п па т1, Кяасснфнка!вав аналоговых НС шнрокого прнменення пн 4ауыкаьчпназ1ьноьау назначенцы н валу Бум ахннсх нан:на ее не Ь лая н:» 'в на" Вна ) К ллз '..- У1 УД), рьл уд 'а'!!.
УБ) у!! у Г ! Сцсрлцх!.ОваЪ Н, УС1~! хенн УС!- Г> сны му В. Ъ С ' дсц.лкц Наборы !"С ; 'заел!с!азов К11' 1!Спрявеннн Овтозсекгрон цы реле Импульсов са.е сна т! ной 4нзрлзы Ал нвпыс Резисторы Кояленсаторы Трпа!аистовы Диоды ГА сс Схемы се- , лекцнн и срав. Аып зцтхляые хЗ астоз цые , !зС Н11 ; Г!Д Лреоо! а-! зсватея е Ча О1ы Нагряце~ нз Д п тек масс гн УГ, ввк цспаы М цхл офунл! цлюналы.ы* ' скелеты Аып тих улныс Кх лхбввнрован гп к: Нрочае к!о,зу- ЛЯЗОРЬ ,:!А Схемы кн- ДГ ! !'ячных всзс'чДоа янков Дх.ел зовы Гтебплиза жры в пряжевня Влшрямнтелп ЕН К вЂ” ло.зф*!ы цна: с!Спею! пито!рани;!.
Округленный до ближайшего большом шсцв. Нш!ример, ИГ5 солерамы !Оа ! !Оз злемснаов н компонентов. Обычпо полупроводниковые ИС4, 1Ы 5 льзывазоз большимп интегральными схемами 1ЬИГ)„а нк ко цпонов!"з ца подлозлкцх — большиьп! гибрвднымн няасгральными схемзмн !Ы ИГ). Интегралыц|с схемы зшзрокогг гразмснсння чаше !кого выпускззсг! в с !с. ! "арт цьх корпусах н прпменяк'т в мнкрозлектронной а!шара уре ГМ ЗА) тостьего поко!!ения !цл неватных платах). Стандартные коргуса разде;яют на пять ышов. чрс ювно зп ххСю.зпа !аюг' слелуцлцвм образом !'.ерв:я ци!',раз — !Сц кс!пхсз, т! и пОследу!О!дих — ПОдзип кор гуса и юо гнг!Оразлзер.
сц !ее !цос: е толь!!) цифры. Обо цмя:хь цнс коалчсцтао выводов Яь;!ример. корпус 4;564ц —,с!верта!о зила, прямо!тонный, керамический, с 48 вьшо !ами. Конструкции некоторых из них лапы на рнс 1?4,а-лс. К пя!Смх зилу относятся бхзвьшодныс корпуса с залузкенными пазами !лристаззлодсрвза!Сди), алел грпчеслое соешзнение которых с ме- л тапкпаИРОВаННЫХШ Лкаитцк-.НЬГ~Л! ПЛОШалцаын ОСУЩЕСГВЛЯЕтСЯ ПО ПЕРИМС- т!зу кор!!уса. Рнс.
124. Корпуса ИС п,ирскгяо првк,е~ сппя. а, à — 1 ~ела к. г . и тяпа, д — Ш тчяж к, ж — 1т тяпа Для МЭА гетвертого поколения нспользугог бескорпусные пояусроводниковыс ИС, усганав ~ивасмь:с на подложках микросборок. ~ б8. Интегральные схемы частного применения К инзегральным схемам частного применения относят аналоговые н цифровые гибридные ИС ~микросборкий разраба гываемыс на заводахжготовиз елях радномтпара.гуры зля конкретных ьгнхрозлектронных устройств. Конструкция цифровой хзнкросборкн показава на рнс, 125. Все рас аисты плене ~~ьгх элементов, проводников и ьонтггктиых плопгадок П-.",8) проводятся по тем же правилам, что и дга гнбрилныл ИС спирского применения. При размегцении элементов н компонентов на подложке гибридных ИС' стремятся наиболее годно назользовать плогнадь подложки с учетом допустимых тепловых напряженностей на нен оз выделяемой элементами и компопенгами теплоты, а также взаимпглх спаратптных наволока.
Ъ гои .а;огня:.о:,гмэ 11х. час~ного прпмспснигг яьяян ся мггкросхемы х'11х1. ною хг,рсхнкс ойьгч:о ь спгппа ~ьиои с пмр, ~урс С гаяаартичггрглм.ь пяи хрнпфнгггрсвахь их консппхх.о~ хрх, гю, и.х как мсхтрпчссьпс н гсо, х рн е. м;с .юрамсгрьг .агисяг о. 1-ягоочгй я "нны волны и г рохогдпгях чсрс~ хн:кросс.,юсхо гмс ягююх х!онгнггстсй. 1..м.с 11С исполь31гох в прпсмегчо 1сяак~1 ~ИА мо.о .я, тспиг!с~ роаю о гагапаюйа по.'гн и обы то с~рояг на оснл с ггссихгк сгрг чнгг.- г; яосковы' пиний 1рггс.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
