Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники (5-е изд.,1998) (1151957), страница 35
Текст из файла (страница 35)
2.1 приведены параметры груп '','!,-::,» пы малосигнальных гранзист оров, злнро,!':,;"'.„,'~) ко используемых на практике. соотвезст.:,":;;:,'-( вУюшие нм гРафики зависимости козффв."..-'",;:.';:!(в циентов усиления по току от коллекторно...'-'„,"Ф го тока представлены на рис.
2.78. См'!!'-'::;*,,а также приложение К. СХЕМЫ. НЕ ТРЕБУЮ(ВНЕ ПОЯСНЕНИЙ '".""'а 1фФ 2.24. Удачные схемы На рис. 2.80 показаны два проекта схеммяа,,",,а с использованием транзисторов 2.25. Негодные схемы ,о о Как известно, учатся на ошибках. и своих,43.,'" и чужих. В этом разделе вашему анима-$"-,';~', нию прелложсна пелая серия грубых ошя-'2~.,'.," бок.
допущенных при разработке схем',',,",!"'-', (рис 2.81). Внимательно рассмот (тите,;.:~.",з представленные с хемы, полумаите. какиекв,,~ Таз. кволы, в тралзвоторы .Грал з, гз*-:.: '!:*,* '" '. й ыт лкфрового лмвлаокозо аагвораа,,„',:!(з ";.ф а а х -'.$'=й~ о 8 аж ~ о о в Негодные схемы 'Нпгс е15 В ". ''""";~~'(4Ф!!'сй х о О а го Е О -1ЬВ кт Вк ский +11кк '50 агруз Упазуые схемы Ь.п — — Ф и — — бых оФ" Ф- Вг, хг" х й с о оум следоаез еям, -емп коьи ° — ньюс и:1 Вж:1 Вход- ,' ая..е-гг. ф, ' '. езоа~* а~ оаы Ссаг.з*.еьмх ' лн~ а~ ххласиха.
сне~ заоь нн о Раз л х йх ' з г з = 1" й 2. !0 1 мкА 10 мкА 100 мкй 1 мА 10 мА 100 мА 1А 1холлекпзорнын пзок Рис 78 1 рафики зависимосгн коэффипненга усиления по гокх й,ы оз комеьзориого гока !, лля ~руопц,~~~~хг 2 гранзисгороа. параме~ры ьагорых приаелсны в. :абл. 2 ' (оо паиным фирм изгозоаоелей; Возьхожеиз сознало.;,",'"~, гизескнй разброс о изображ нных гнноаых зна*гений а прелелах + ~УВМ вЂ” Зй".~, зб В 1 ,Наггузкн х"м 1хб 1х. кбм кбм Рнс 'хо ~ .лфферсгнмальаьо сизы .*.-: .меьинкем оьсооема ~ пмег еу еа я 1 ".пера ыкыи хола;" госжге и; сакам ос оейеьз наом ом жаба гнза1оР мзгзРЯже~ иа — В. - аххмкгнын исго,ннь гока. о:зегзехзкзза ем .хы омъая«зокоа., ла ххескьлнгай усзмкгеяь зх лифуонлате» .. поа1орн.*ель г пхлеаым смеыеннем...
ускзгь ~оп. переменного ~оьа с бозылнм усиления, (20 Глава 2 ДОПОЛНИТЕЛЬНЬ$Е УПРАЖНЕНИЯ (П Разрабогаиге схему гранзисзорно г перекл ючагеля, «оторва позволила оы нозключш к земле две нагрузки через насышенные транзисторы — р л-гипа Прн .замыкании ггереызючалеля А обе нюрузки должны находиться пол напряжеаием, при замыкании пере«лючатезя Б мошносгь должна пере гавагься галь«с в одну нагрузку Подсказка ггспользуй~е в схеме .гиоды П! Рассмотрите источник гока. изображенный на рис 1 эз. (а! Определи е гоь 1„.„Чему равен рабочий диапазон схемыэ Считайте, что иапряжени 1'„э составляет О,б В (б) Каь будез изменяться выходной ток, если при изменении коллекгорного напряжения в пределах выходного лиапаэона коэффициент Ьм, изменяется ог 50 до П(бэ (При решении э'ои задачи слелуез учесть лва эффекта.)(в) Как будет изменяться ток нагрузки ь пределах рабочего диапазона, есшг известно, что изменение напряжения Паэ описывае шя зависимостью бььз = — 000!ЬП э (эффек Эрли)" (г) Чему равен температурный коэффициенг выхолного юка, есян прелполоиизь, чп коэффипыеш 6, не мэ зависит ог темпера1урыч Чему равен температурный коэффициент выхолного тока.
«сзн прелположы гг,. что коэффнциегп !гз, увели гивается швосигелыю номинальною значения !00 на 0.4аю С' (3) Разрабогайге схему уси:ги~еля г обшим эмигшром на основе транзистора . — р — и-гила по следув шим исходным данным: коэффициент усиления цо напр« жению равен 15, напряжение пишвия 1.'„, равно !5 В, колаекзорный ток!. Равен 05 мА траюис ~ор.зогшев быть смешен та«. чтобы погенцназ коллектора был равен О 5 П, а ж чке — 3 зь должна соогаегс,вове гь частот 100 Гп (4г Прелусмогриге в гре»ыдъшей гхемг* следядгую связь дм увели гены« вхсдыо.о импеланса Правы 1ьн.
опрелезыге гочгу спала усилегогя при сснлашен связи 15! Разрабшаиге сыму лифф реипиа гьно.г силию !я го связями по по . олином г ~ оку п э с.клуюшнм ысло ) ным ланиым «озяьфньэген~ усиления . напряжению равег 50 гэьгя однополюсного аыхоза прн вхолных сюяалах с напряженным близким «догснпя г земли, ыс.ючннки цыганах обесн *и ваю~ ы пряжение 111 В .ок г окая в «ажлом гранзнсгоре равен О ! мА В эмз гг риой лгпи мполюуй~с исзо ши«,ока. а в ьачесзве выходного каскада эмыггернмв повзорнге и 6 Выпо1эгнвзг пражненге ььгп"э ш„,сил м м ыззряжени м:ь» ! .,: к.зе:м г.шаеп .
г Рис ' 82 (!як вв ' '; ВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лым,: '!:;:::!ь 'АЯ, Кранзисгоры (ПТ) — это транзис В йк(иуйстаа которых совершенно озОт свойств рассмотренных а й главе обычных транзисто ,'.''й()яьигаемых также биполярными Г;:~:-НьпдиеряиутЬ ИХ ОТЛИЧИЕ Ог ПТ ном толковании, однако они ""' ' ого общего, так что нх можно -П33 ' ' ', Как приборы управляемые за цв'р"«вгь."'.В "(яйз06(уих случаях мы имеем прибор ьспользуемая в высококач огненных ОЪ Ф";'1 "",.тньгиодами.
В котором проводи- двумя электролами зависит мошью позевых транзисторов! (и! Сг ач!ша оазрабо-,'."".".,,„ ';:,д~." "'"'' дь ре1улируется нап)зяжснисм, стоРое Испозьзуйте источник пи ганна с напР«жеыиеы ге-".„"; . М К тРЕтЬЕМУ 111РалэгЧЮЩЕМ1 — 15 В Колле«1орыын и «1, ыьз««авэо. ра~ зиспьэз.;-Д па) лолжег бы!ь равен! мА а сопро ига хенн хол гек-ч(. эфтом, чем они отличакэтся друг Пглсчигвйш коэффиггггев~ зеиления л. наппюьеыию -',.; ".6 биполярном п — р - п-транзис прн условии чго одын .: входов заземл.н Оо !гп рь е"'; од коллектор — оазы смещен а .направлении и обьр!но гок че н змизгерноя гг ги можно сыч: угзразлл», »":.
гцмез,',*, сглав* прнб.и.,".: гыюе""ЧЧ выражены завнсвмосги кгэффициен х -с с*.ев ь гл ер напряжения около 0.6 В ушэавзюоыгег. напряженая В реазьв.и:хсв .чаво..";:!~х . ггпотеппнальный барьер» г р:эус'гоге ть '. э: лн ' ггп угюавэяемы . г~ч- '-",.;".''.":-'г ",' ' щюдя к поступлению .1лектрониьов зля г, *, пабы ск мвенг.прона.. сзз,,евяе „;-..' Всть базы, где они испьпыпают : си зевая. нли ы» ьюжн:: вклю ги~ г, сх з, г епв !* 1!*,„" „',притяжение сО стО)зоны «Оллско шп «ась«э с лгг)хэереггггыызгиым вх э*м б ':г,;:,',, Окя при этом '!срез базу булс!' ' Н» КЕМЯ Г1рыгчэ юные Ьоа К ВЫДЫМ СОВЕТ:.:. Ь' ГО- !,":;,-*,", НСКОГОРЫЙ ГОК, ООЛЬШИНС1Я )зй)уда кнеосновных носитслсиг заГа !Мы Л.,: Х„и.
гэ,.г,„,., эз ,','!), „'гиощтекторныгг го!С УпРайллсмый по величине) гок, м !!азы (ок "меер: 'хрьггкр зю пге~ рель,: мнзисг, ! п,р,чэег,(,*' '„', .НСОСНОВНЫХ нг1СИтСЛСЙ в бяэ) ь Г"ягм ыаськцег ия Валяется экспоненпиальнои которы«орэелн.нонны:: лег:г нонны" ' "" ',:-',!~., "." разности потешщалоя базы (уравнение Эб рс М зза) Вг! ва« «рис -' ' ' г, .ро';.::;: доь;",:,„„,:„... „„, „, ':.'я ..' '; транзистор можн рассмггтрилчффереыцн-, жн .: оглы,." ы,. нмме рн шы ь ~ .',;:,;, „., усилитель 'ока (е г гр' блею!: 1:м. л1эю'х, . *элвина выслали гыс .аьжг гюг,*.:"МфЩВВЬВИ коэффишв."игом ' си11сння нн-е.
югк Работы. схема Заме*гана тРаызисг«г'« ', ';Нэжж :-(Гяэти как г!рибор-преобразователь Полсказка вспомнит о ~оковах зеркалах 'р(пвняявэййВ)япети (Эбсрс В полевом транзисторе. как следует из его названия. проводимостью капа.та управляет электрическое пале. Создаваемое приложенным к затвору напряжением. Здесь нет прямосмещенных р-и- переходов. так что ток через затвор не течет и это, возможно, наиболее важное преимушество ПТ перед бнполярньтми транзисторами. гхак и последние, ПТ быяают двух полярностей: и-канальные (с проводимостью за счег электронов) и р-канальныс (с дырочной проводимосгьнг) Э !н полярности аналогичны уже известным нам соответственно п — р — и и р и-р-транзисторам биполярного типа.
Однако разнообразие ПТ этим не отраннчиваегся, что может приводить к путанипе. Во-первых.ПТ могут изготавливаться с затворами двух различных типов (в результате мы имеем ПТ с р- и-перекопом и ПТ с изолированным затвором, гак пазываемые МОП-транзисторы), а вовторых. двумя типами легнрования канала,'что г!ает ПТ обогащенного и обедненного гнпы) Рассмотрим акратне возможности предоставляемые ПТ различного типа. Прелварим, однако, это рассмоз рение несколькими замечаниями общего плана Наибольше важной характеристикой ПТ является г тсутствие гока затвора ПолхЧаГЗМГ С.
МгК СЛЕЛСГПИЕ 11О! 11, СЬЮОКОЕ ВХГ нОс НОлнг1с сг'п)эг'1иялснис !Оно м!'Жс" бы ь бгхтыпс (!! ' Ом: г ущесгпенпо я. многих применениях и в любом, 1: ае упрощает проектирование схем В качссгвс аналогопых переключатслен и уснли:елен сг: сверхвысоким входным полным с, пр. !Няленнем ) П' не имею; себе равных. Сами по себе нпи п сочетании с би!юлярнымн транзисторами онн легко встраиваются п интегральные схемы В г ЛСДУ1ОШЕИ; Лавв МЬ г ВР.1ИМ. Нас«ОЛЬКГ )спешно зто сделано при создании близ- 122 Глава 3 ких к совершенству (и фактически простых в использовании) операционных усилителей. а в гл Б — !! булет гпжазано, как интегральные схемы на МОП-транзисторах революционизировали шгфровую электронику.
Так как на малой плошади в ИМС может быть размещено большее число слаботочных ПТ, то они особенно плезны для создания больших интегральных микросхем (БИС), применяемых в цифровой технике, таких как микрокалькуляторы, микропроцессоры и устройства памяти. Плюс к тому недавнее появление сильноточных ПТ (30 А или более) позволяет заменить биполярные транзисторы во многих применениях, зачастую получая более простые схемы с улучшенными параметрами. 3,01.
Характеристики наневых транзисторов Иной новичок буквально «впадает в столбняк», впрямую сталкиваясь с обескураживаюшим разнообразием типов ПТ (см., например, первое издание этой книги!), разнообразием. возникающим как следствие возможных комбинаций полярности (п- и р-канальные), вида изоляпии затвора (ПТ с полупроводниковым переходом или МОП-транзисзары с изолятором в виде окисла), а также типа легирования канала (ПТ обогащенного илн обедненного типа). И.г восьми имеюшнхся в результате этих комбинаций возможностей шесть могли бы бьшь реализованы. а пять †реализова на практике. Основной интерес представляют четыре случая из этих пяти Чтобы понягь. как работает ГГГ ги исходя из злравога смыслаг.
булег правильно если мы начнем галька с одного типа. тачнс гак, как мы слслалн с биполярным ггри-транзистором. Хорошо разобравшись с ПТ выбранного типа. мы в дальнейшем будем иметь минимум трьлнагтей в изучении остальных членов згаг.г семейсгва Входные харвктерисзини !П'.
Рзссмогрим вначале и-канальный МОП-транзисгор обогашенног а тигш. биполярным аналогом которого является п- р- гг-транзис- Полевые трянзнсторы !23 25 що ази=тВ З.З Сток Х оллвль"", гзи = глж В Попложка База ЗатВор 1,90 50 1,85 2,25 2,1 199 1.80 гд5 '„го Исток гмкттвр 0,1 0,2 аои Б а и — 0,9О В 10 75 0,85 ,65 О,БО 025 О О,г 0,2 а ,61 ,59 е и И и твара равен Ч'1 г г смотреть нч ПТ как нз Рис.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
