Диссертация (1150798), страница 23
Текст из файла (страница 23)
— Конспект лекций.105. Observation of the coupled exciton-photon mode splitting in a semiconductorquantum microcavity / C. Weisbuch [и др.] // Phys. Rev. Lett. — 1992. —Дек. — Т. 69, вып. 23. — С. 3314—3317.106. Resonant Faraday rotation in a semiconductor microcavity / A. V. Kavokin [идр.] // Phys. Rev. B. — 1997.
— Июль. — Т. 56, вып. 3. — С. 1087—1090.107. Negatively charged polaritons in a semiconductor microcavity / R. Rapaport [идр.] // Phys. Rev. B. — 2001. — Т. 63, вып. 23. — С. 235310.108. Galbraith I., Dawson P., Foxon C. T. Optical nonlinearities in mixed type I-typeII GaAs/AlAs multiple quantum wells // Phys. Rev. B. — 1992. — Т. 45, вып.23. — С. 13499—13508.109. Exciton and trion spectral line shape in the presence of an electron gas inGaAs/AlAs quantum wells / A. Manassen [и др.] // Phys. Rev.
B. — 1996. —Окт. — Т. 54, вып. 15. — С. 10609—10613.110. Калашников С. Г., Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников (изд. 2-е,перераб. и доп.) / под ред. Э. М. Эпштейна. — М.: Наука, 1990. — ISBN5020140325.111. Universal behavior of the electron factor in GaAs/Al Ga1− As quantum wells /I. A. Yugova [и др.] // Phys. Rev. B. — 2007. — Июнь. — Т. 75, вып. 24. —С. 245302.121112. М. Борн Э. В. Основы оптики / под ред.
Г. П. Мотулевич. — М.: Наука,1973.113. Глазов М. М. Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене: дис. д-ра физ.-мат. наук / Глазов М. М. — СПб: Физико-техническийинститут им. А. Ф. Иоффе, 2012.114. Born M., Wolf E. Principles of Optics: Electromagnetic Theory of Propagation,Interference and Diffraction of Light. — Cambridge University Press, 1999. —ISBN 0521642221.115. Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света:Пер. с англ.
/ под ред. Ф. В. Карпушко. — М.: «Мир», 1988.116. McCall S. L. Instability and regenerative pulsation phenomena in Fabry-Pérotnonlinear optic media devices // Applied Physics Letters. — 1978. — Т. 32, №5. — С. 284—286.117. Regenerative pulsations from an intrinsic bistable optical device / J. L. Jewell[и др.] // Applied Physics Letters. — 1982. — Т. 40, № 4. — С. 291—293.118.
Optical bistability in semiconductor microcavities / A. Baas [и др.] // Phys. Rev.A. — 2004. — Февр. — Т. 69, вып. 2. — С. 023809.119. Optical bistability in semiconductor microcavities in the nondegenerateparametric oscillation regime: Analogy with the optical parametric oscillator /A. Baas [и др.] // Phys. Rev. B. — 2004. — Окт. — Т.
70, вып. 16. — С. 161307.120. Гоноровский И. С. Радиотехнические цепи и сигналы: Учебник для вузов. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1986.121. Поляков В. Т. Техника радиоприёма: простые приёмники AM сигналов. —М.: ДМК Пресс, 2001. — ISBN 5-94074-056-1.122. Salis G., Moser M. Faraday-rotation spectrum of electron spins in microcavityembedded GaAs quantum wells // Phys. Rev. B.
— 2005. — Сент. — Т. 72,вып. 11. — С. 115325.123. Low-temperature spin relaxation in n-type GaAs / R. I. Dzhioev [и др.] // Phys.Rev. B. — 2002. — Дек. — Т. 66, вып. 24. — С. 245204.122124. Electron-spin relaxation in bulk GaAs for doping densities close to the metalto-insulator transition / M. Römer [и др.] // Phys.
Rev. B. — 2010. — Февр. —Т. 81, вып. 7. — С. 075216.125. Giant photoinduced Faraday rotation due to the spin-polarized electron gas in an-GaAs microcavity / R. Giri [и др.] // Phys. Rev. B. — 2012. — Май. — Т. 85,вып. 19. — С. 195313.126. Nondestructive Measurement of Nuclear Magnetization by Off-ResonantFaraday Rotation / R. Giri [и др.] // Phys. Rev. Lett. — 2013. — Авг.
— Т.111, вып. 8. — С. 087603.127. Полтавцев С. В. Оптическая методика характеризации гетероструктур сквантовыми ямами // Шестая всероссийская молодёжная конференция пофизике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. — Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Санкт-Петербург: Издательство Политехнического университета,2004. — С.
51.128. Звелто О. Принципы лазеров / под ред. Т. А. Шмаонова. — 3-е перераб. идоп. изд. — Москва: Мир, 1990. — ISBN 503001053X.129. Optically oriented and detected electron spin resonance in a lightly doped n GaAs layer / J. S. Colton [и др.] // Phys. Rev. B. — 2003. — Апр. — Т. 67,вып. 16. — С. 165315.130. Brillouin L. A Theorem of Larmor and Its Importance for Electrons in MagneticFields // Phys. Rev. — 1945. — Апр.
— Т. 67, 7-8. — С. 260—266.131. Kavokin K. V. Spin relaxation of localized electrons in n-type semiconductors //Semiconductor Science and Technology. — 2008. — Т. 23, № 11. — С. 114009.132. Sussman B. J. Five ways to the nonresonant dynamic Stark effect // AmericanJournal of Physics. — 2011. — Т. 79, № 5. — С. 477—484.133. Smirnov D. S. Spin noise of localized electrons interacting with optically coolednuclei // Phys.
Rev. B. — 2015. — Май. — Т. 91, вып. 20. — С. 205301.134. Abragam A. Principles of Nuclear Magnetism. — Oxford Science Publications,Oxford, UK, 2002.135. Nuclear Spin relaxation mediated by Fermi-edge electrons in n-type GaAs / M.Kotur [и др.] // JETP Letters. — 2014. — Т. 99, № 1. — С.
37—41.123136. Paget D. Optical detection of NMR in high-purity GaAs: Direct study of therelaxation of nuclei close to shallow donors // Phys. Rev. B. — 1982. — Апр. —Т. 25, вып. 7. — С. 4444—4451.137. GaAs — Gallium Arsenide. Basic Parameters at 300 K [электронный ресурс] /Физико-технический институт имени А.
Ф. Иоффе РАН. — URL: http : / /www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/basic.html.138. Intrinsic Spin Fluctuations Reveal the Dynamical Response Function of HolesCoupled to Nuclear Spin Baths in (In,Ga)As Quantum Dots / Y. Li [и др.] //Phys. Rev. Lett. — 2012. — Май. — Т. 108, вып. 18. — С. 186603.139.
D. F. Walls G. J. M. Quantum optics. — Springer-Verlag Berlin Heidelberg,2008.140. Giant optical Faraday rotation induced by a single-electron spin in a quantumdot: Applications to entangling remote spins via a single photon / C. Y. Hu [идр.] // Phys. Rev. B. — 2008. — Авг.
— Т. 78, вып. 8. — С. 085307.141. Glazov M. M. Coherent spin dynamics of electrons and excitons innanostructures (a review) // Physics of the Solid State. — 2012. — Т. 54, №1. — С. 1—27.142. Pershan P. S., Ziel J. P. van der, Malmstrom L. D. Theoretical Discussion ofthe Inverse Faraday Effect, Raman Scattering, and Related Phenomena // Phys.Rev.
— 1966. — Март. — Т. 143, вып. 2. — С. 574—583.143. Bir G. L., Pikus G. E. Symmetry and Strain-induced Effects inSemiconductors. — Wiley/Halsted Press, 1974.144. Vurgaftman I., Meyer J. R. Band parameters for nitrogen-containingsemiconductors // Journal of Applied Physics. — 2003. — Т. 94, № 6. —С. 3675—3696.145. Ünlü M. S., Strite S. Resonant cavity enhanced photonic devices // Journal ofApplied Physics. — 1995. — Т. 78, № 2. — С. 607—639.146. Ivchenko E. L. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures.
— AlphaScience, Harrow UK, 2005.124Список рисунков2.12.22.32.42.52.62.7Спектральные зависимости показ. преломления и к-та поглощения .Некоторые виды сигналов, их АКФ и спектральные разложения . . .Схема простейшей шумовой магнитооптической установки . . . . .АКФ и плотность мощности шумового сигнала в геометрии ФарадеяАКФ и плотность мощности шумового сигнала в геометрии Фохта. .Схема балансного фотодетектора . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . .Зависимость сигнала от геометрии пучка . . . . . . . . . . . . . . . .242729333337393.13.23.33.43.53.63.7Варианты реализации геометрии ВПЭ . . . . . . . . . . . . . . . . .Графическое изображение закона Малюса . . . . . . . .
. . . . . . .Зависимость отношения сигнал-шум для некоторых . . . . . . . .Установка спектроскопии шумов фарадеевского вращения . . . . .Экспериментальный пример спектра спиновых шумов . . . . . . . .Зависимость спектров СШ от длины волны в стандартной геометрииЗависимость спектров СШ от плотности мощности света вгеометрии ВПЭ . . .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
