Автореферат (1145325), страница 9
Текст из файла (страница 9)
Яковлев, Патент на изобретение RU 224 7759, Композиция для поглощенияэлектромагнитного излучения и способ получения композиции, от 19 марта 2004 г.313. Е.В. Грибанова, В.И. Иванова, Н.А. Лукьянова, Л.В. Луцев, А.А. Николаев, В.В. Шуткевич,С.В. Яковлев, Патент на изобретение RU 224 7760, Состав для поглощенияэлектромагнитного излучения и способ получения состава, от 19 марта 2004 г.4. С.В.
Яковлев, Л.В. Луцев, Патент на полезную модель RU 66 612 U1, СВЧ элемент наэпитаксиальной структуре, от 29 ноября 2006 г.5. С.В. Яковлев, Л.В. Луцев, Г.А. Николайчук, В.В. Петров, А.В. Алферов, Н.П. Милевский,Патент на изобретение RU 2363714 С2, Электромагнитное поглощающее покрытие, от 19сентября 2007 г.6. Л.В. Луцев, Г.А. Николайчук, В.В. Петров, С.В. Яковлев, Патент на полезную модель RU84161 U1, Радиопоглощающее покрытие, от 24 декабря 2008 г.7.
М.C. Aндpющенкo, C.B. Кoзыpев, B.П. Кyдpявцев, Л.B. Лyцев, B.A. Cлyгин, И.М.Cтapoбинец, Е.A. Штaгеp, Патент на изобретение RU 2 502 766 C1, Радиопоглощающийматериал и способ получения радиопоглощающего покрытия, от 1 июня 2012 г.Цитируемая литература.[1] Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 1 // Ed. Nalwa H.S.; American ScientificPublishers: Valencia, CA, 2004.[2] Handbook of Theoretical and Computational Nanotechnology // Eds.
Rieth M., Schommers W.;Atomistic Simulations - Algorithms and Methods}, Vol. 2; Quantum and Molecular Computing, andQuantum Simulations, Vol. 3; American Scientific Publishers: Valencia, CA, 2006.[3] Maier T., Jarrell M., Pruschke T., Hettler M.H., Quantum cluster theories // Rev. Mod. Phys. 2005,77(3), 1027-1080.[4] Kakehashi Y., Electron correlations and many-body techniques in magnetism // Adv. Phys. 2004,53(4), 497-536.[5] Изюмов Ю.А., Кассан-оглы Ф.А., Скрябин Ю.Н., Полевые методы в теорииферромагнетизма; Наука: Москва, 1974, 224 с.[6] Гуревич А.Г., Мелков Г.А., Магнитные колебания и волны; Наука: Москва, 1994, 464 с.[7] Wang W.-N., Jiang Z.-S., Du Y.-W., Ferromagnetic resonance study on Fe-SiO2 granular films //J.
Appl. Phys. 1995, 78(11), 6679-6682.[8] Butera A., Zhou J.N., Barnard J.A., Ferromagnetic resonance in as-deposited and annealed FeSiO2 heterogeneous thin films // Phys. Rev. B 1999, 60(17), 12270-12278.[9] Vyshenski S.V., Possible self-selection of tunnel channels with reproducible electrical parameters// Письма в ЖЭТФ 1995, 61(2), 105-111.[10] Шкловский Б.И., Эфрос А.Л., Электронные свойства легированных полупроводников, М.:Наука, 1979, 416 c.[11] Глазман Л.И., Матвеев К.А., Неупругое туннелирование через тонкие аморфные пленки //ЖЭТФ, 1988, 94(6), 332-343.32[12]ВарфоломеевА.Е.,СедоваМ.В.,Эффектбольшогоположительногомагнитосопротивления в слабых магнитных полях в металл-диэлектрических нанокомпозитах// ФТТ 2003, 45(3), 500-504.[13] Boff M.A.S., Geshev J., Schmidt J.E., Flores W.H., Antunes A.B., Gusmao M.A., Teixeira S.R.,Bias dependence of magnetoresistance in Fe–Al2O3 granular thin films // J.
Appl. Phys. 2002, 91(12),9909.[14] Sankar S., Dender D., Borchers J.A., Smith D.J., Erwin R.W., Kline S.R., Berkowitz A.E.,Magnetic correlations in non-percolated Co-SiO2 granular films // J. Magn. Magn. Mater. 2000,221(1-2), 1-9.[15] Аронзон Б.А., Варфоломеев А.Е., Ковалев Д.Ю., Ликальтер А.А., Рыльков В.В., СедоваМ.А., Проводимость, магнитосопротивление и эффект Холла в гранулированных пленках Fe/SiO2 // ФТТ 1999, 41 (6), 944-950.[16] Akinaga H., Magnetoresistive switch effect in metal/semiconductor hybrid granular films:extremely huge magnetoresistance effect at room temperature // Semicond. Sci. Technol. 2002, 17(4),322-326..