Диссертация (1143140), страница 35

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 35)

5-8), глобальный минимум коэффициента шума которой достигается присопротивлении источника сигнала примерно 2 кОм и составляет 13 дБ. Для остальныхматериалов – танталата лития, оксида цинка и кварца минимально достижимый коэффициентшума принимает большие значения и равен 25, 31 и 44 дБ соответственно. Исследование наулучшение характеристик при использовании однонаправленных ВШП в данном случае неимеет смысла, так как однонаправленность не действует в таком широком диапазоне частот(полагать, что w = 1, нельзя).F, дБ; параметры оптимизаци20178301510F, дБ; параметры оптимизации2552000,050,51510530300,5Ri, кОм5550минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 40 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мА5025Рис.

5-10. Зависимостькоэффициенташума и оптимальных параметровминимизированныйкоэффициент шума,дБ(при уровнеподавлениятрёхпролётногоэхо-сигнала40дБ)узкополосной РЛЗ (полоса пропускания 5 %) на танталате литияминимизированный коэффициент шума, дБот сопротивленияисточникасигнала20(при уровне подавления трёхпролётногоэхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШП15количество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мАF, дБ; параметры оптимизации00,05Ri, кОм1025F, дБ; параметры оптимизации52000,0515Ri, кОм550минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 40 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мА10500,050,50,5Ri, кОм550Рис.

5-11. Зависимостькоэффициенташума и оптимальных параметровминимизированныйкоэффициент шума,дБ(при уровне подавленияэхо-сигнала 40 дБ)преобразователями на ниобате литияузкополоснойРЛЗ трёхпролётногос однонаправленнымиминимизированный коэффициент шума, дБот сопротивлениясигнала(при уровне подавления трёхпролётногоэхо-сигнала 60 источникадБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мАF, дБ; параметры оптимизаци2017930151025F, дБ; параметры оптимизации52000,050,5Ri, кОм55015минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 40 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мА10500,050,5Ri, кОм550Рис.

5-12.минимизированныйЗависимостькоэффициенткоэффициенташума, дБ шума и оптимальных параметров узкополосной РЛЗ с(при уровнеподавления трёхпролётного эхо-сигнала40 дБ)однонаправленнымипреобразователямина танталате литияминимизированный коэффициент шума, дБотсопротивленияисточникасигнала(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)Для количествоузкополоснойРЛЗ(полосапропускания 5 %) на рис. 5-9 ÷ 5-12 приведеныпар электродоввходногоВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертураВШП, ммзависимостиминимумовкоэффициента шума и соответствующих минимуму коэффициентаток эмиттера транзистора, мАшума значений параметров оптимизации от сопротивления источника сигнала для материаловниобата лития и танталата лития, с использованием дву- и однонаправленных ВШП.Минимальный коэффициент шума имеет одинаковый уровень для обоих материаловпрактически во всём диапазоне значений Ri и составляет примерно 10, 12 и 19 дБ приподавлении трёхпролётного сигнала на 40, 60 и 80 дБ соответственно.

При использованииоднонаправленных преобразователей можно добиться снижения коэффициента шума до 5, 9и 18 дБ соответственно. Для материалов танталата лития, оксида цинка и особенно кварцанаблюдается сужение участка постоянного коэффициента шума, который возрастает прималых сопротивлениях источника сигнала ввиду достижения верхнего предела ширины ВШП.На рис. 5-13 и 5-14 изображены зависимости минимального коэффициента шума иоптимизационных параметров от относительной полосы пропускания для пьезоподложки изниобата лития.F, дБ; параметры оптимизаци20180F, дБ; параметры оптимизации20151051500,050,5105302010152025550минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 40 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мА2530, %минимизированный коэффициент шума, дБ20(приуровнеподавлениятрёхпролётногоэхо-сигнала 40 дБ) шумаРис.5-13.Зависимостькоэффициентаиминимизированный коэффициент шума, дБРЛЗна ниобателитияот относительной(при уровнеподавлениятрёхпролётногоэхо-сигнала60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ) 15количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, мм10ток эмиттера транзистора, мАF, дБ; параметры оптимизации05Ri, кОмоптимальных параметровполосы пропусканияF, дБ; параметры оптимизации51500,0510Ri, кОм550минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 40 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)минимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество пар электродов выходного ВШПапертура ВШП, ммток эмиттера транзистора, мА5050,51015202530, %минимизированный коэффициент шума, дБРис.

5-14. Зависимость коэффициента шума и оптимальных параметров(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 40 дБ)РЛЗ с коэффициентоднонаправленнымипреобразователями на ниобате литияминимизированныйшума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 60 дБ)ототносительнойполосы пропусканияминимизированный коэффициент шума, дБ(при уровне подавления трёхпролётного эхо-сигнала 80 дБ)количество пар электродов входного ВШПколичество парширинеэлектродов выходногоПри большойполосы ВШПпропускания минимально достижимый коэффициентапертура ВШП, ммток эмиттератранзистора, мАшума возрастает.Использованиеоднонаправленных ВШП даёт ощутимый выигрыш при неочень жёстких ограничениях на уровень трёхпролётного эхо-сигнала. Для остальныхматериалов коэффициент шума начинает возрастать при значительно меньших значенияхширины полосы пропускания из-за достижения верхнего предела апертуры ВШП, что вызванона порядок меньшим значением коэффициента электромеханической связи.

Убывающий ход181зависимостей количества электродов вызван ограничением на полосу пропускания: узкаяполоса получается при использовании большого количества электродов, широкая – малого.5.4 Шумовое согласование фильтров на поверхностных акустических волнах врадиоэлектронных трактах.Фильтры на поверхностных акустических волнах (ПАВ) находят широкое применение врадиоэлектронных трактах обработки сигналов, обеспечивая высокий уровень селективностирадиотракту. Необходимость улучшения параметров систем с применением приборов на ПАВтребует тщательного согласования устройств на ПАВ с другими компонентами радиотракта(прежде всего усилителями) по шумовым характеристикам. Как указывалось, выше,использование широкополосной противошумовой коррекции на стыке усилителя с фильтромпозволяет снизить шум усилителя настолько, что спектральная плотность мощности шумавстречно-штыревого преобразователя (ВШП) в несколько раз превосходит значениеспектральной плотности мощности шума собственно усилителя.В данном разделе исследуется шумовое согласование фильтров на ПАВ врадиоэлектронных трактах, обеспечивающее максимальный динамический диапазон всегорадиоэлектронного тракта при минимальных нелинейных искажениях.К фильтрам на ПАВ предъявляются такие технические требования, как заданная полосапропускания, коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики (АЧХ),уровень селективности по боковым лепесткам и неравномерность АЧХ в полосе прозрачностифильтра.

Характеристики

Список файлов диссертации