lection 3 (2009) (1128551), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Полупроводники p- и n-областей вырожденные (большаяконцентрация примесей), поэтому очень малые сопротивления p- и n-областей иочень малая ширина обедненного слоя. Уровень Ферми располагается не взарпрещенной зоне, а в разрешенных зонах. Энергетическая диаграмма показана нарис. Носители зарядов могут переходить из одной области в другую без измененияэнергии, то есть, не преодолевая потенциальный барьер.Генераторные диоды (диоды Ганна) – предназначены для генерации СВЧколебаний. Они также представляют собой двухполюсники, однако, в отличие оттуннельных диодов, участок ВАХ с отрицательным сопротивлением проявляетсятолько на высоких частотах, но не в статическом режиме.Фотодиоды – фотоэлектрические приборы с одним p-nпереходом.
Используется явление внутреннего фотоэффекта, то есть,процесса ионизации атомов кристаллической решетки основногополупроводника или примеси квантами света, сопровождающийсяобразованием подвижных носителей заряда.18Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки. Омический контакт.19.