Л.С. Стильбанс - Физика полупроводников (1127392), страница 2
Текст из файла (страница 2)
также вырождение) 35, 89, 227, 357, 407— ковалентные 41, 89— невырожденные 40, 41, 92, 237, 418— примесные 20, 31— — дырочные 23, 24, 36, 232— —электронные 21, 31,35, 232— с атомной решеткой 96, 98— с ионной решеткой 41, 89, 96, 97— собственные 20, 32Полярон 192—194, 249Потенциал ионизации (ионизационный) 11, 55, 56, 145—147, 166— решетки периодический— 195—198, 200—206, 210, 214, 412— химический (см. также уровень Ферми) 222, 223— — приведенный 226, 241, 304— —, уровень 33, 35, 57, 58, 71, 78, 80, 166, 227, 241, 294, 309, 381, 396, 431— электростатический 157, 222Поток тепла 46, 98, 245, 318, 321, 326, 355—энергии 245, 270, 329Преломления показатель (коэффициент) 112, 400, 401Приближение почти свободных электронов 198—206— сильно связанных электронов 206—209Прилипание (см.
также ловушки) 414—, уровень 105Прицельное расстояние 248, 258Проводимость ионная 171— 175Процессы нормальные («N» при фонон-фононных взаимодействиях) 321, 323, 326— переброса (umclapp) 321— 324, 326Работа выхода 55—58, 62, 64, 70, 78, 373Распределение фононов — см. Бозе— — неравновесное 322, 323, 325, 329— электронов по волновым векторам 266— — — — —, неравновесная добавка 269—270, 296— — — — —, — функция 266, 270, 315— — — скоростям 262, 263, 344— — — —, изменение поддействием градиента температуры 313, 314— — — —, — — — электрического поля 262, 263, 312, 313, 344— — — —, неравновесное 263—265, 312, 313, 345Рассеяние фононов 319— — на фононах 319, 321, 324— электронов 39— — межзонное 310— — на дефектах решетки 39, 245, 247, 314— —на тепловых колебаниях решетки 40, 54, 81, 89, 261. 263, 274—278, 281, 282,316— — примесное 40, 81, 89, 97, 248, 251, 258, 261, 263, 271—274, 277, 281, 282, 394Рекомбинация 18, 45, 72, 74, 101, 104, 363,378,392,397, 413—421, 426— безызлучательная 104—, вероятность 102, 106— излучательная 104— квадратичная 414— линейная 414— поверхностная 72, 409,424, 426,— прямая (межзонная) 101, 104.
105— ударная 106— через центры 101, 104, 105. 416— экситона 112Риги — Ледюка эффект 98, 355—356Симметрия кристалла 198— трансляционная 111, 157, 158, 192, 193, 198, 209—211Скорость дрейфа электронов 37, 38, 69— теплового движения электронов 37, 39, 40, 78— — — — средняя 43, 68, 254, 279Скрещенные электрическое и магнитное поля 334, 335Слой объемного заряда 63, 71, 383— — — на контакте металл — полупроводник 64— — —, толщина 380Столкновение 248—251Столкновения, вероятность 219, 246— межэлектронные, неупругие, упругие, почти упругие 251, 252, 254—258, 268,269,283, 284, 314—316Столкновения фононов с дефектами, с фононами 54, 219, 320— — — —, 2-3-и 4-фононные 320—, частота 219, 246— электронов сфононами 54, 251, 253, 254, 258Тепловое возбуждение электрона 15, 20— — —, частота следования 15, 18Теплоемкость решетки 43, 49, 50, 52, 184—189, 317— фотонная 329— электронного газа 44, 311Теплопроводность 244, 256, 270, 271— решеточная 14, 43, 46— 49, 219, 317—329, 351— фотонная 311, 329—330— электронная 43—44, 46, 257,264,311—316, 351, 356— —, отношение к электропроводности 44, 45Термомагнитные коэффициенты 257, 270Термомагнитные явления 83, 85, 98—100, 244, 331, 334, 355—357Термоэлектрические явления 75, 76, 78, 82, 100,244, 264 292—311,315, 351,422—423Томсона коэффициент 77— соотношения 76—77— теплота 77— явление 75, 77, 79Туннельный диод 165, 280, 286, 364, 396—399— эффект 11, 59, 62, 66, 193, 285, 363, 368, 373, 392, 396Увлечение электронов фононами 299—304Уровень (энергетический) см.
энергетическийУровень Ферми (см. также потенциал химический) 33, 34, 59, 71, 80, 81, 105, 433— — в невырожденном полупроводнике 82, 229—232, 234— — в невырожденном полупроводнике, температурная зависимость 35, 36,232,233— —, температурная зависимость 35, 36Фазовая скорость 177, 179, 180, 253Фазовое пространство 265—267, 328Ферми — Дирака статистика 199, 431— интегралы 241, 243, 299— поверхность 314, 339, 342— распределение 32—34, 224—226, 328, 417, 431Фонона энергия 53, 104, 118, 253—255Фононы 49, 54, 104, 118, 186, 187, 255, 299—303, 317, 318, 324, 405—407—, групповая скорость 317Фотовольтаические эффекты 421—426Фотодиод 425, 426Фотоионизация 384Фотоноситель 100, 413, 421Фотопроводимость 100—103, 108, 409—421— примесная, собственная 410—412— стационарная 103Фоточувствительность 107, 109, 110, 409, 410Фото-э.
д. с. 421Фотоэффект 100, 109— вентильный 423—426—, квантовый выход 423—, красная граница 410— примесный 409—«собственный» 409Фундаментальное поглощение, см. поглощениеХимическая связь 143—147Холла постоянная 87—91, 347, 349—352— э. д. с. 90, 341, 349— эффект 86, 92, 341—352, 356Холловское поле 87, 90, 91, 346, 351, 354Центр рекомбинации примесный 101, 105, 110Цепочка двухатомная 180—182Циклотронный резонанс 334, 426—430Шокли — Рида статистика рекомбинации 416—421Шредингера уравнение 128—134, 190, 274— — для нестационарных процессов 131—138— — для электронов в адиабатическом приближении 192— — — — в одноэлектронном приближении 195— — невозмущенное 135Эйнштейна соотношение 69, 174, 370Экситоны 106, 111,196,407— 409Экстракция 75Электрическое поле сильное 278-291, 362Электронный газ, вырожденное состояние 30—32, 34, 237—239, 256, 262, 406,407, 435— —, невырожденное состояние 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 238, 239, 256, 262, 299— — невырожденный, статистика (для полупроводников) 226—231— —, плотность 36Электронный газ, сохранение теплового равновесия с кристаллом 257Электрон-фононное взаимодействие 255Электрохимический потенциал 79, 224, 293Элементарная ячейка — см.
ячейкаЭллипсоид энергии 216Энергетический уровень захвата 416— — электрона в кристалле 236Энергетический спектр электронов в кристалле 10—13, 20, 209, 236, 244, 249Энергия активации 11, 19, 27, 31, 172, 339, 341, 407— —оптическая 410, 412,413— — примесных электронов 22, 35, 120, 166, 233, 287, 368, 373— — термическая 410, 412, 413— тепловых колебаний атомов кинетическая средняя 49, 52— — — — потенциальная средняя 50— электронов в направленном потоке средняя 40, 80, 81, 293— — тепловая (кинетическая) средняя 40, 242—243Эттингсгаузена эффект 91, 92, 349—351Ячейка (решетки кристаллической) элементарная 111, 152—155, 157, 160, 183.