И.П. Жеребцов - Основы электроники (1115520), страница 110
Текст из файла (страница 110)
Для того чтобы проверить выводы электродов на отсутствие обрывов, надо в схеме на рис. 26.5 поочередно включать мнллиамперметр в разрыв провода от каждого электрода (на схеме места вялючения показаны косыми крестиками). При отсутствии обрыва вывода прибор покажет наличие тока в проводе данного электрода. Поскольку главный параметр усилительных ламп крутизна, то весьма желательна ее проверка. Если крутизна имеет нормальное значение, то, как правило, лампа исправна. Для определения крутизны на электроды подают номинальные питающие напряжения (при этом, конечно, нельзя прсвышать предельные токи и мощности).
В анодной Рис. 26.5. Простейшая схема ддв проверки выводов лампы и эмиссии катода 347 цепи должен быть миллиамперметр. Изменив напряжение управляющей сетки на 1 или 1,5 В, например включив в цепь сетки один сухой элемент, замечают изменение анодного тока. По этим данным легко находят крутизну. Другой способ состоит в том, что в анодную цепь дополнительно включают резистор нагрузки с небольшим сопротивлением (например, 100 Ом), а на управляющую сетку полают синусоцдальное переменное напряжение, значение которого известно. Усиленное напряжение на резисторе нагрузки измеряют.
Разделив его на сопротивление резистора, получают значение переменного анодного тока. После этого уже легко определить крутизну. Ионные приборы тлеющего разряда, т. е. неоновые лампы, стабилитроны, тнратроны, знаковые индикаторы и другие, следует проверять по напряжению возникновения разряда и появленИю свечения. При этом необходимо включать ограничительный резистор, чтобы тлеющий разряд не перешел в дуговой.
Поскольку ток приборов тлеющего разряда обычно составляет несколько миллиаыпер, то сопротивление ограничительного резистора можно всегда ориен- тировочно рассчитать по закону Ома: взять для примера ток 2 — 3 мА и разделить разность между напряжением источника и рабочим напряжением данного прибора на это значение тока. Электроника развивается быстрыми темпами. Разрабатываются новые приборы для более высоких частот, мощностей, температур, причем возможно меньших размеров. 'Большое внимание уделяется повышению надежности, долговечности, стабильности, механической прочности, температуростойкости и радиационной стойкости.
Особенно быстро развивается микроэлектроника и квантовая электроника. Ряд специальных направлений электроники получает все более широкое применение. Многие направления современной электроники являются результатами выдающихся достижений физики твердого тела и квантовой физики. Несомненно, что в области электроники произойдет еще много интереснейших открытий, которые будут содействовать научнотехническому прогрессу. 1. Аксененко М.
Дч Бараиочннков М. Л., Смолин О. В.Микроэлектронные фотоприемные устройства. Мл Энергоатомиздат, 1984. 2. Внкулнн И. М., Викулива Л. Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. 3. Деиискин Ю. Д., Жнгарев А. А., Смирнов Л. П. Элекзронные приборы. М,; Энергия, 1980. 4. Джоллн У. П. Криоэлектроника. М.: Мир, !975. 5. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И, Микроэлектроника.
М.: Высшая школа, 1987. 6. Жнгарев А. Ач Шамаева Г. Г. Электронно-лучевые и фотоэлектронные приборы. Мл Высшая школа, 1982. 7. Квантовая электроника. Маленькая энциклопедия. М.. Советская энциклопедия, 1969. 8. Коган Л. М. Полупроводниковые све- 348 СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ тоизлучаюшие диоды. Мл Энергоатомиздат, 1983. 9. Красильников В. А., Крылов В. В. Поверхностные акустические волны. М.: Знание, 1985. !О.
Лавриненко В. В. Пьезоэлектрические трансформаторы. Мл Энергия, 1975. !1. Морозов А. И., Проклов В. В., Стаи- ковский Б. А. Пьезоэлектрические преобразователи дла радиоэлектронных устройств. Мл Радио и связь, 198!. 12. Морозова И. Г. Физика электронных приборов. Мл Атомиздат, !980. 13.
Мочалов В. Д. Магнитная микроэлектроника. Мл Советское радио, !977. 14. Носов Ю. Р. Оцтоэлекгроника. М.: Советское радио, 1977. !5. Носов Ю. Р., Сидоров А. С.Оптроны и их применение. Мл Радио и связь, !981. 16. Пасынков В. Вч Чиркин Л. К. Полулроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. 17. Речицкий В. И. Акустоэлектронные рапиокомпопенты.
М.: Радио и связь, 1987. !8. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств/Под общ. ред. А. А. Куликовского. М.: Энергия, !977. 19. Стеианеино И. П. Основы микроэлектроники. Мл Советское радио, !980. 20. Степаненко И. П.
Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд. Мл Энергия, 1977. 21. Стрнжевсиий И. В., Дмитриев В. Ич Финкельшгейн Э. Б. Хемотроника. Мл Наука, 1974. 22. Тарасов Л. В. Лазеры и их применение. М.: Радио и связь, 1983. 23. Терехов В. А. Задачник по электронным приборам.— 2-е изд. М.: Энергоатомиздат, 1983.
24. Трейер В. В. Электрохимические приборы. М.: Советское радио, 1978. 25. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. — 2-е изд. Мл Советское радио, 1969. ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие Введение . 3 4 В.!. Электроника в народном хозяйстве . В.2. Краткие сведения по истории электроники . В.З. Требования к электронным элементам РЭА . В.4. Полупроводниковые приборы в электронике .
В.5. Движение электронов в однородном электрическом поле . В.б. Движение электронов в неоднородном электрическом поле В.7. Движение электронов в однородном магнитном поле 5 9 !1 13 16 17 ГЛАВА ПЕРВАЯ. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.1. Электроны в твердых телах . !.2. Собственная электронная и дырочная электропроводносгь. Ток дрейфа 21 !.3. Примесная электропроводность......... ° ° ° ° ° ° ° ° 26 !.4.
Диффузия носителей заряда в полупроводниках.......... 29 ГЛАВА ВТОРАЯ. ЭЛЕКТРОННО-ДЪ|РОЧНЫЕ И МЕТАЛЛОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ........................ 31 2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения . 2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении . 2.3, Электронно-дырочный переход при обратном напряжении . 2.4. Переход металл — полупроводник .
33 35 37 ГЛАВА ТРЕТЬЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 38 3.!. Вольт-амперная характеристика 3.2. Емкость 3.3. Температурные свойства . 3,4. Рабочий режим 3.5. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного 3.6. Последовательное и параллельное соединение . 3.7. Импульсный режим . 3.8.
Основные типы 42 тока 44 50 51 52 ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ . 4.!. Общие сведения 4.2. Физические процессы 4.3. Усиление с помощью транзистора . 4.4. Основные схемы включения 4.5. Схемы питания и стабилизации режима . 4.6. Транзистор в усилительных каскадах и в генераторе 60 65 67 71 74 349 РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА И СПЕЦИАЛЬНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ........................... !9 76 5.1. Характеристики 5.2. Параметры и эквивалентные схемы 82 114 120 123 143 С инжекционным 164 166 167 169 17! 173 174 175 176 350 ГЛАВА ПЯТАЯ.
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАН- ЗИСТОРОВ. ГЛАВА ШЕСТАЯ. РАБОЧИЙ РЕЖИМ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ . 6.1. Расчет рабочего режима . 6.2. Влияние температуры 6.3. Частотные свойства . 6.4. Импульсный режим . 6.5. Преобразование частоты полупроводниковыми приборами 6.6. Собственные шумы транзисторов и диодов . 6.7. Основные типы биполярных транзисторов ГЛАВА СЕДЬМАЯ. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 7.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом 7.2.
Полевые транзисторы с изолированным затвором ГЛАВА ВОСЬМАЯ. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 8.1. Тиристоры . 8.2. Туннельные диоды . 8.3. Полупроводниковые днолы для СВЧ . 8.4. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна 8.5. Приборы с гетерогенными переходами 8.6. Однопереходный транзистор 8.7. Полупроводниковые резисторы 8.8. Приборы на аморфных полупроводниках 8.9. Тензоэлектрнческие полупроводниковые приборы . 8.10. Термоэлектрические полупроводниковые приборы ГЛАВА ДЕВЯТАЯ.
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА . 9.1. Общие сведения 9.2. Пленочные и гибридные интегральные схемы . 9.3. Полупроводниковые интегральные схемы . 9.4. Интегральные схемы на приборах с зарядовой связью и питанием . 9.5. Интегральные схемы для СВЧ . 9.6. Надежность интегральных схем ГЛАВА ДЕСЯТАЯ. ПЬЕЗОЭЛЕКТРОНИКА И АКУСТОЭЛЕКТРОНИКА 10.!. Физические основы пьезоэчектроники 10.2. Приборы пьезоэлектроники . 10,3. Физические основы акустоэлектроники 10.4.
Приборы акустоэлектроники ГЛАВА ОДИННАДЦАТАЯ. МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКА 11.1. Гистерезисные магнитные элементы 11.2. Цилиндрические магнитные домены . 11.3. Преобразователи Холла . 11.4. Магниторезисторы . ! 1.5. Магнитодиоды 11.6, Магнитотранзисторы и магнитотиристоры ГЛАВА ДВЕНАДЦАТАЯ. КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА . 12.1. Физические основы .
12.2. Принцип работы лазера . 12.3. Свойства чазерного излучения . !2.4. Основные типы лазеров . !2.5. Применение лазерного излучения . 12.6. Мазеры . 12.7. Квантовые парамагнитные СВЧ-усилители 95 97 99 101 105 108 128 133 136 138 !39 140 141 !41 144 147 159 161 163 177 178 179 182 183 184 186 ГЛАВА ТРИНАДЦАТАЯ. ОПТОЭЛЕКТРОНИКА ГЛАВА ЧЕТЫРНАДЦАТАЯ.
КРИОЭЛЕКТРОНИКА, ХЕМОТРОНИКА, МОЛЕ- КУЛЯРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 198 14.!. Криоэлектроника 14.2. Хемотроника . !4.3. Молекулярная электроника 200 203 РАЗДЕЛ ВТОРОЙ. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ . ГЛАВА ПЯТНАДЦАТАЯ. ПРИНЦИП УСТРОЙСТВА ВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ !5.!. Общие сведения, классификация . !5.2, Устройство и работа диода 15.3.
Устройство и работа триода . 15.4. Электронная эмиссия . 15.5. Термоэлектронные катоды . 15.6. Особенности устройства электронных ламп . И РАБОТЫ ЭЛЕКТРО- 207 209 211 215 218 ГЛАВА ШЕСТНАДЦАТАЯ. ДВУХЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ 220 221 222 223 ГЛАВА СЕМНАДЦАТАЯ. ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ 224 !7.!. Физические процессы . !7.2. Токораспределение . !7.3. Действующее напряжение и закон степени трех вторых !7.4, Характеристики !7.5. Параметры. 226 227 230 ГЛАВА ВОСЕМНАДЦАТАЯ. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ТРИОДА 235 18.1. Особенности . !8.2.
Усилительный каскад с триодом . ! 8.3. Параметры усилительного каскада . !8.4. Аналитический расчет и эквивалентные схемы !8.5. Графоаналитический расчет режима усиления ! 8.6. Генератор с триодом . 18.7. Межэлектродные емкости . !8.8. Каскады с обшей сеткой и общим анодом' 18.9. Недостатки триодов . 18.10.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
