материалы к семинарам по неорганической химии (3) (1106924), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

nH2O[HBiO3]сила кислотрКа1-1.32.152.254.40окислительная способностьЕ0 НNO3/NO=0.96 BЕ0 Н3AsO4/H3AsO3=0.56 BЕ0 Н3PO4/H3PO3= - 0.27 BЕ0 BiO3-/BiO+=1.8 BЕ0 Sb2O5/Sb2O3=0.70 BСвойства оксокислот элементов подгруппы азотав степени окисления +3HNO2H3PO3As2O3 . nH2O(H3AsO3)Sb2O3. nH2OBi(OH)3кислотные свойстварКа1 3.31.519.2----восстановительные свойства42----Семинары «Углерод, кремний, бор» и «Элементы IV группы(подгруппа германия)»Элементы подгруппы бораРадиусы атомов и ионовr, Ǻ1.81.711.661.61.431.41.51.41.311.21.541.481.391.210.970.80.620.530.60.750.620.270.40.470.390.20.11В0AlInTlGaМеталлический радиусИонный радиус М3+, (кч=4)Ковалентный радиусИонный радиус М+Ионный радиус М3+, (кч=6)χ0.880.8Электроотрицательность по Полингу2.12.0121.91.821.81.71.61.51.491.471.441.4ВAlGa43InTlПотенциалы ионизацииПИ,кДж/моль7000ПИ1ПИ2ПИ3Сумма ПИ688060005519500051325433508436574000300024222962274018142000801100057828752702197818241968579559590InTl0ВоТ, С3500AlGaТемпературы плавления и кипенияпростых веществТплТкип36583000250020752000246724032024150014571000660.450029.75156.78303.60ВGaAl44InTlИкосаэдр В12 и часть слоя решетки α-ромбоэдрического бораФрагмент структуры β-ромбоэдрического борапоказан центральный икосаэдр B12, расположенный в центре икосаэдра, в вершинахкоторого находятся икосаэдры B12, изображенные частично45Строение борана В2Н6Структуры некоторых боранов46Структура аниона буры Na2[В4О5(ОН)4]*8Н2ОСтруктура некоторых борат-анионов3-4-(3-)2пп47Элементы IV группыАтомный радиус1.61.51.41.31.21.110.90.80.70.6R, Å1.41.171.461.220.77CSiGeSnPbПервый потенциал ионизации атомовПИ,кДж/моль1200110010861000900786800760707715SnPb700600CSiGe48Сродство к электрону атомовE,кДж/моль1401341221161201161008060354020CSiGeSnPbЭлектроотрицательность элементов поПолингуχ2.72.552.52.332.32.11.92.011.961.91.71.5CSiGe49SnPboT, C4000Температура плавления простых веществ38273500300025002000142315009451000500232327SnPb0CSiGeТемпература кипения простых веществT, oC48275000450040003300350028503000262325001744200015001000CSiGe50SnPbСтандартная энтальпия образованиягидридов∆fH°298,кДж/моль300250250163200150100500-50-10090.233.4-75.2CH4CH4SiH4SiH4GeH4GeH4SnH4SnH4PbH4PbH4Длина связи Э-H в гидридах1.8l, Å1.71.71.61.531.481.51.41.31.21.11.091CH4CH4SiH4SiH4GeH4GeH451SnH4SnH4Энергия связи Э-H в гидридахE,кДж/моль440414390318340309297290240205190CH4CH4SiH4SiH4GeH4GeH4SnH4SnH4PbH4PbH4Температура кипения гидридовT, oC-20-40CH4SiH4GeH4SnH4-52-60-80-88-100-112-120-140-160-162-180CH4SiH4GeH452SnH4.

Характеристики

Список файлов семинаров