Автореферат (1105342), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Наблюдалась как положительная, так иотрицательнаяфотопроводимость.Показано,чтоположительныйсигналявляетсядоминирующим во всем диапазоне температур. Отрицательный сигнал обнаружен только при15длинах волн лазерного импульса 90 и 148 мкм при температурах выше 80 К. Так же, как и вPb0.75Sn0.25Te(In) [A1,A2], положительный фотоотклик обусловлен возбуждением электроновс примесных состояний в зону проводимости. При повышении температуры примесныйуровень приближается к дну зоны проводимости, и положительный фотоотклик возрастает(Рисунок 5). Отрицательный сигнал связан с разогревом электронного газа при прохождениилазерного импульса.λ = 90 мкм0,1200∆σ, мС1505080,00 ,000 2t, µ s0 ,000 10 ,0-0,10,00,20,40,60 ,20 ,40,80 ,61,0t, мксРисунок 5.
Изменение проводимости при прохождении лазерного импульса с длиной волныλ = 90 мкм при различных температурах. Цифры у кривых – температура T в K. Стрелкауказывает момент времени, соответствующий началу прохождения импульса. На вставкепоказана форма лазерного импульса.В заключении сформулированы основные результаты, полученные в процессепроведенных исследований.Диссертационнаяработа выполнена на физическом факультете Московскогогосударственного университета имени М.В. Ломоносова.16Публикации по теме диссертации:1.
Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовомспектральном диапазоне / А. И. Артамкин, А. А. Добровольский, А. А. Винокуров идр. // Физика и техника полупроводников. — 2013. — Т. 47. — С. 293–296.2. Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца / А.
И. Артамкин, А.А. Добровольский, А. А. Винокуров и др. // Физика и техника полупроводников. —2010. — Т. 44. — С. 1591–1595.3. Deep impurity levels in vanadium-doped Pb1 − xMnxTe solid solutions / A. A. Dobrovolsky,A. I. Artamkin, P. Dziawa et al. // Semiconductor Science and Technology. — 2008. — Vol.23, no. 5. — P. 055004.4. PbTe-VTe2 phase diagram and properties of (PbTe)1 − x(VTe2)x solid solutions / A. A.Vinokurov, A. I. Artamkin, S. G. Dorofeev et al. // Inorganic Materials. — 2008. — Vol. 44,no.
6. — P. 576–581.5. Continuous focal plane array for detection of terahertz radiation / A. Artamkin, A. Nicorici,L. Ryabova et al. // Proceedings SPIE. — Vol. 6257. — 2006. — P. OB–1–OB–5.6. Features of energy spectrum of Pb1 − xMnxTe doped with V / A. I. Artamkin, A. A.Dobrovolsky, P. Dziawa et al. // Acta Physica Polonica A. — 2006. — Vol. 110, no. 2. — P.151–156.7.
Synthesis and properties of vanadium-doped lead telluride / A. A. Vinokurov, S. G.Dorofeev, O. I. Tananaeva et al. // Inorganic Materials. — 2006. — Vol. 42, no. 12. — P.1318–1325.Тезисы научных конференций:1. A. I. Artamkin, M. Arciszewska, W. D. Dobrowolski, T. Story, E. I. Slynko, V. E. Slynko,L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov. The influence of native defects on the clusterization of Mnin PbTe. 34 International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec,Poland, 4-10 June 2005, Abstracts, p. 60.2.
А. И. Артамкин,M. Arciszewska,W. D. Dobrowolski,T. Story,Е. И. Слынько,В. Е. Слынько, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов. Влияние собственных дефектов накластеризацию марганца в Pb1 − xMnxTe. 7 Российская конференция по физикеполупроводников, Москва-Звенигород, 18-23 сентября 2005, тезисы докладов, с. 304.3. А. И. Артамкин, Т. В. Ганжина, Е. И.
Слынько, В. Е. Слынько, T. Story, P. Dziawa,Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов. Транспортные свойства Pb1 − xMnxTe(V). XVI Уральскаямеждународная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 27 февраля –4 марта 2006г., тезисы докладов, с. 159.174. A. I. Artamkin, A. A. Dobrovolskiy,P. Dziawa,T. Story,E. I. Slynko,V.
E. Slynko,L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov. Features of Energy Spectrum of Pb1 − xMnxTe Doped with V.XXXV International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec,Poland, June 17-23, 2006, Abstracts, p.183.5. A. I. Artamkin, A. A. Dobrovolskiy,P. Dziawa,T. Story,E. I. Slynko,V. E. Slynko,L. I. Ryabova, D. R.
Khokhlov. Transport properties of PbTe(Mn) and PbTe(Mn,V). 28thInternational Conference on the Physics of Semiconductors. Vienna, Austria, July 24-28,2006, Program, p.297.6. A. Artamkin, A. Nikorich, V. Shklover, L. Ryabova, D. Khokhlov. Continious focal-planearray for detection of Terahertz radiation. 28th International Conference on the Physics ofSemiconductors. Vienna, Austria, July 24-28, 2006, Program, p.253.7. A. Dobrovolsky, A.
Artamkin, P. Dziawa, T. Story, E. Slynko, V. Slynko, L. Ryabova,D. Khokhlov. Magnetic and transport properties of Pb1 − xMnxTe solid solutions doped withV. 13 International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Guildford, Great Britain, 812 July 2007, Abstracts, p.94.8. А. А. Добровольский,В. Е. Слынько,А. И.
Артамкин,Л. И. Рябова,P. Dziawa,Д. Р. Хохлов.T. Story,Е. И. Слынько,Импеданс-спектроскопиятвердыхрастворов PbTe(Mn,V). 8 Российская конференция по физике полупроводников,Екатеринбург, 30 сентября – 5 октября 2007, тезисы докладов, с. 58.Список цитированной литературы:A1. Gelbstein Y., Dashevsky Z., Dariel M. P. High performance n-type PbTe-based materials forthermoelectric applications. // Physica B. – 2005. – V. 363. I. 1–4. – P.
196–205.A2. Равич Ю. И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидамсвинца PbTe, PbSe и PbS / Равич Ю. И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. – Москва : Наука,1968. – 384 c..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
