Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si-H (1105262), страница 5
Текст из файла (страница 5)
А., Ормонт Н. Н. //Прыжковая ε2 –проводимостьлегированныхборомпленокa-Si:H,подвергнутыхвысокотемпературному отжигу в водороде.// ФТП, 2006, т. 40, вып. 1, стр. 112-116.7.Курова И. А., Нальгиева М. А. //Влияние высокотемпературного отжига в водороде наоптические свойства легированных бором пленок a-Si:H.// Сборник научных трудовнаучной сессии "МИФИ – 2006", 2006, т.4, стр.188-190.8.Курова И. А., Нальгиева М. А.
//Влияние высокотемпературного отжига в водороде наоптические свойства легированных бором пленок a-Si:H.// Вестник МГУ, серия 3,Физика. Астрономия, 2006, №3.ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА.1.Yamaguchi M., Morigaki K. //Effect of hydrogen dilution on the optical properties ofhydrogenated amorphous silicon prepared by plasma deposition.// Phil. Mag. B, 1999, v.
79,№ 3, p. 387 − 407.2.Zabrodski G. //Phil. Mag. B, 2001, v. 81, p. 1153.3.Swanepoel R. //Determination of the thickness and opticаl constants of amorphous silicon.// J.Phys. E : Instrum., 1983, v. 16, № 12, p. 1214 − 1222.4.Swanepoel R. //Determination of surface roughness and optical constants of inhomogeneousamorphous silicon films.// J. Phys. E: Sci. Instrum. Vd, 1984, v. 17, p.
896.