Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, модифицированного фемтосекундным лазерным излучением (1104686), страница 6
Текст из файла (страница 6)
Новиков, П.А.Форш, М.В. Хенкин «Исследование спектральных зависимостей коэффициентапоглощения в тонких пленках гидрированного кремния методом постоянногофототока с модулированным возбуждением»// Электроника и связь, 2012, том 67, вып.2, стр. 5 – 9.А5.D.M. Zhigunov, A.V. Emelyanov, V.Yu. Timoshenko, V.I. Sokolov, V.N. Seminogov“Percolation effect in structures with amorphous and crystalline silicon nanoclusters”//Physica Status Solidi C, 2012, vol. 9, pp.
1474-1476.А6.А.В. Емельянов, Н.В. Швыдун, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Семиногов,П.К.Кашкаров«Исследованиезависимостифотолюминесцентныхсвойствкремниевых нанокластеров от их объемной доли в матрице оксида кремния»//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, том6, стр. 80-84.А7.Д.М.
Жигунов, Н.В. Швыдун, А.В. Емельянов, В.Ю. Тимошенко П.К. Кашкаров, В.Н.Семиногов «Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и23кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксидакремния различной стехиометрии»// ФТП, 2012, том 46, стр. 369-375.А8.A.V. Emelyanov, M.V. Khenkin, A.G. Kazansky, P.A. Forsh, P.K. Kashkarov, E.V.
Lyubin,A.A. Khomich, M. Gecevicius, M. Beresna, P.G. Kazansky “Structural and electrophysicalproperties of femtosecond laser exposed hydrogenated amorphous silicon films”//Proceedings of SPIE, 2012, Vol. 8438, pp. 84381I – 84381I-8.А9.А.В. Емельянов, Н.Н. Петрова «Структурные и электрические свойства пленокаморфного гидрогенезированного кремния, подвергнутых фемтосекундной лазернойобработке».
IX Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, 2011,Сборник тезисов, с. 123.А10. А.В. Емельянов, Н.Е. Костров«Исследование структурных свойств пленокполиморфного кремния методамиЭПР ирамановскойспектроскопии».IXКурчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, 2011, Сборник тезисов, с.111.А11. А.В. Емельянов, А.Г.
Казанский, П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, П.А. Форш«Структура и парамагнитные центры полиморфного гидрогенезированного кремния».Аморфные и микрокристаллические полупроводники VIII, Санкт-Петербург, 2012,Сборник трудов, с.120-121.А12. А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.К. Кашкаров, П.А. Форш, М.В. Хенкин, P.Kazansky«Электрофизическиепараметрыпленокa-Si:H,обработанныхфемтосекундным лазерным излучением». Аморфные и микрокристаллическиеполупроводники VIII, Санкт-Петербург, 2012, Сборник трудов, с.401-402.А13.
А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.К. Кашкаров, П.А. Форш, М.В. Хенкин«Электрическиесвойствапленокаморфногокремния,обработанныхфемтосекундным лазерным излучением», Международная балтийская школа пофизике твердого тела и магнетизму, Калининград, 2012, Тезисы докладов, с. 29-31.А14. A.V. Emelyanov, P.K. Kashkarov, A.G. Kazanskii, P. Kazansky, M.V. Khenkin, P.A. Forsh“Structural, optical and photoelectric properties of a-Si:H films treated by femtosecond laserpulses”. 6th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics,Chisinau, Moldova, 2012, Book of Abstracts, p.
197.А15. Н.Е. Костров, А.В. Емельянов, Н.Н. Петрова «Электрические и фотоэлектрическиесвойства тонких пленок аморфного кремния, облученных лазерным излучением». 10Курчатовская молодежная научная школа, Москва, 2012, Сборник аннотаций работ, с.77.24А16. Н.Е. Костров, А.В. Емельянов, Н.Н. Петрова «Влияние фемтосекундной лазернойобработки пленок аморфного кремния на их фотолюминесцентные свойства». 10Курчатовская молодежная научная школа, Москва, 2012, Сборник аннотаций работ, с.88.А17. А.В.
Емельянов, М.В. Хенкин, А.Г. Казанский, П.А. Форш, П.А. Перминов, С.В.Заботнов, П.К. Кашкаров, P. Kazansky «Влияние фемтосекундного лазерногооблучения на структурные и оптические свойства аморфного кремния». V-аяВсероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и ихприменение» им. Ю.В. Дубровского, Черноголовка, 2012, Сборник тезисов, с. 30 – 31.А18. А.В. Емельянов, А.П.
Федотова, М.В. Хенкин, Д.М. Жигунов, П.А. Форш, А.Г.Казанский,П.К.Кашкаров«Фотолюминесценцияаморфногокремния,модифицированного фемтосекундным лазерным излучением». 14 Всероссийскаямолодежнаяконференцияпофизикеполупроводниковинаноструктур,полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2012, Сборниктезисов докладов, с. 7.А19. A.V.
Emelyanov, A.G. Kazanskii, M.V. Khenkin, P.A. Forsh, P.K. Kashkarov, M.Gecevicius, M. Beresna, P.G. Kazansky, “Luminescence down shifter effect inhydrogenated amorphous silicon modified by femtosecond laser radiation”, SPIE PhotonicsWest 2013 Technical Summaries, San-Francisco, USA, 2013, p. 130-131.А20. P. Forsh, A. Emelyanov, A. Kazanskii, M. Khenkin, S. Zabotnov, P. Kashkarov, M.Gecevicius, M. Beresna, P. Kazansky, “Down-Shifter Luminescent Features Engineering inAmorphous Silicon by Femtosecond Laser”, ICNBME-2013 Proceedings, Chisinau,Moldova, 2013, p. 294-297.А21.
А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, М.В. Хенкин, П.А. Форш, С.В. Заботнов, П.К.Кашкаров, P. Kazansky «Фемтосекундная лазерная кристаллизация аморфногокремния для применения в фотовольтаике». I Всероссийская научная конференцияНаноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечныхэлементов 3-го поколения, Чебоксары, 2013, Сборник материалов, с. 60-62.Работа выполнялась при частичной финансовой поддержке гранта РФФИ № 12-02-33033.25.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
