Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1104202), страница 22

Файл №1104202 Диссертация (Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией) 22 страницаДиссертация (1104202) страница 222019-03-14СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

2581—2590, 1963.[114]M. Payne и J. Inkson, “Measurement of workfunctions by tunnelling and theeffect of the image potential”, Surface science, т. 159, № 2-3, с. 485—495,1985.[115]R. H. Fowler и L. Nordheim, “Electron emission in intense electric fields”, вProceedings of the Royal Society of London A: Mathematical, Physical andEngineering Sciences, The Royal Society, т. 119, 1928, с.

173—181.[116]A. Mangin, A. Anthore, M. Della Rocca и др., “Reduced work functions ingold electromigrated nanogaps”, Physical Review B, т. 80, № 23, с. 235 432,2009.[117]F. Schulte, “A theory of thin metal films: electron density, potentials andwork function”, Surface Science, т. 55, № 2, с. 427—444, 1976.[118]S. Meepagala и F. Real, “Detailed experimental investigation of the barrier­height lowering and the tip-sample force gradient during STM operation inair”, Physical Review B, т.

49, № 15, с. 10 761, 1994.116[119]G. Binnig, H. Rohrer, C. Gerber и E. Weibel, “Tunneling through acontrollable vacuum gap”, Applied Physics Letters, т. 40, № 2, с. 178—180,1982.[120]O. Y. Kolesnychenko, O. Shklyarevskii и H. Van Kempen, “Giant influence ofadsorbed helium on field emission resonance measurements”, Physical reviewletters, т. 83, № 11, с. 2242, 1999.[121]L. Olesen, M. Brandbyge, M. R. Sørensen и др., “Apparent barrier height inscanning tunneling microscopy revisited”, Physical review letters, т. 76, № 9,с. 1485, 1996.[122]A.

Ennos, “The origin of specimen contamination in the electron microscope”,British Journal of Applied Physics, т. 4, № 4, с. 101, 1953.[123]J. Wardell, “Preparation of thiols”, The Thiol Group: Volume 1 (1974),с. 163—269, 1974.[124]H. B. Akkerman, P. W. Blom, D. M. De Leeuw и B. De Boer, “Towardsmolecular electronics with large-area molecular junctions”, Nature, т. 441,№ 7089, с. 69—72, 2006.[125]T. Jones, “Electromechanics of particles, Cambridge Univ”, Press,Cambridge, 1995.[126]A. Einstein, Investigations on the Theory of the Brownian Movement.Courier Corporation, 1956.[127]V.

Krupenin, V. Zalunin и A. Zorin, “The peculiarities of single-electrontransport in granular Cr films”, Microelectronic engineering, т. 81, № 2,с. 217—221, 2005.[128]Y. Gerasimov, V. Shorokhov и O. Snigirev, “Electron Transport ThroughThiolized Gold Nanoparticles in Single-Electron Transistor”, Journal ofSuperconductivity and Novel Magnetism, т.

28, № 3, с. 781—786, 2015.[129]D. L. Klein, R. Roth, A. K. Lim и др., “A single-electron transistor madefrom a cadmium selenide nanocrystal”, Nature, т. 389, № 6652, с. 699—701,1997.[130]T. Li, Y. A. Pashkin, O. Astafiev и др., “Low-frequency charge noise insuspended aluminum single-electron transistors”, Applied Physics Letters,т. 91, № 3, с. 033 107, 2007.117[131]С. Амитонов, Д. Преснов и В. Крупенин, “Кремниевый транзистор с ка­налом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоля­торе.”, Радиотехника, т. 5, 2013.[132]A.

B. Zorin, F.-J. Ahlers, J. Niemeyer и др., “Background charge noise inmetallic single-electron tunneling devices”, Physical Review B - CondensedMatter and Materials Physics, т. 53, № 20, с. 13 682—13 687, 1996.[133]V. O. Zalunin, V. A. Krupenin, S. A. Vasenko и A. B. Zorin, “Simulationof single-electron transport processes in thin granulated chromium films”,JETP Lett., т. 91, № 8, с. 402—406, 2010. url: http://dx.doi.org/10.1134/S0021364010080084.[134]V.

A. Krupenin, A. B. Zorin, M. N. Savvateev и др., “Single-electrontransistor with metallic microstrips instead of tunnel junctions”, J. Appl.Phys., т. 90, № 5, с. 2411—2415, 2001. url: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/90/5/10.1063/1.1389758.[135]K. Thompson, P. L. Flaitz, P. Ronsheim и др., “Imaging of arsenicCottrell atmospheres around silicon defects by three-dimensional atom probetomography”, Science, т.

317, № 5843, с. 1370—1374, 2007.[136]M. Usman, J. Bocquel, J. Salfi и др., “Spatial metrology of dopants in siliconwith exact lattice site precision”, Nature nanotechnology, т. 11, с. 763—768,9 2016.[137]M. Gasseller, M. DeNinno, R. Loo и др., “Single-electron capacitancespectroscopy of individual dopants in silicon”, Nano Lett., т. 11, № 12,с. 5208—5212, 2011.[138]S. M. Sze и K. K. Ng, Physics of semiconductor devices. John Wiley & Sons,2006.[139]L. P. Kouwenhoven, D.

Austing и S. Tarucha, “Few-electron quantum dots”,Reports on Progress in Physics, т. 64, № 6, с. 701, 2001.[140]H. Sellier, G. P. Lansbergen, J. Caro и др., “Transport spectroscopy of a singledopant in a gated silicon nanowire”, Phys. Rev. Lett., т. 97, № 20, с. 206 805—206 808, 2006. url: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.97.206805.[141]D. Moraru, A. Samanta, T. Mizuno и др., “Transport spectroscopy of coupleddonors in silicon nano-transistors”, Sci.

Rep., т. 4, № 6219, с. 1—6, 2014.118[142]K. Yokoi, D. Moraru, T. Mizuno и M. Tabe, “Electrical control of capacitancedispersion for single-electron turnstile operation in common-gated junctionarrays”, Journal of Applied Physics, т. 108, № 5, с. 053 710, 2010.[143]E. Hamid, D. Moraru, J. C.

Tarido и др., “Single-electron transfer betweentwo donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors”,Applied Physics Letters, т. 97, № 26, с. 262 101, 2010.[144]J. R. Conrad, J. Radtke, R. Dodd и др., “Plasma source ion-implantationtechnique for surface modification of materials”, Journal of Applied Physics,т. 62, № 11, с. 4591—4596, 1987.[145]M.

Klymenko, S. Rogge и F. Remacle, “Multivalley envelope functionequations and effective potentials for phosphorus impurity in silicon”,Physical Review B, т. 92, № 19, с. 195 302, 2015.[146]J. K. Gamble, N. T. Jacobson, E. Nielsen и др., “Multivalley effective masstheory simulation of donors in silicon”, Physical Review B, т.

91, № 23,с. 235 318, 2015.[147]M. Y. Fathany, S. Fuada, B. L. Lawu и др., “Modelling and simulation ofparallel triangular triple quantum dots (TTQD) by using SIMON 2.0”, в AIPConference Proceedings, AIP Publishing, т. 1725, 2016, с. 020 018.[148]M. Niklas, A. Trottmann, A. Donarini и M. Grifoni, “Fano stability diagramof a symmetric triple quantum dot”, arXiv preprint arXiv:1610.08447, 2016.[149]M. Kotzian, F. Gallego-Marcos, G. Platero и R. Haug, “Channel blockadein a two-path triple-quantum-dot system”, Physical Review B, т. 94, № 3,с.

035 442, 2016.[150]J. Lekner, “Capacitance coefficients of two spheres”, Journal of Electrostatics,т. 69, № 1, с. 11—14, 2011.[151]D. E. Presnov, S. V. Amitonov, P. A. Krutitskii и др., “A highly pH-sensitivenanowire field-effect transistor based on silicon on insulator”, Beilsteinjournal of nanotechnology, т. 4, № 1, с. 330—335, 2013.[152]V. Shorokhov, D. Presnov, S.

Amitonov и др., “Single-electron tunnelingthrough an individual arsenic dopant in silicon”, Nanoscale, т. 9, № 2, с. 613—620, 2017..

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
А знаете ли Вы, что из года в год задания практически не меняются? Математика, преподаваемая в учебных заведениях, никак не менялась минимум 30 лет. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
7028
Авторов
на СтудИзбе
260
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее