Отзыв научного руководителя-консультанта (1104194)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Научного руководителя о диссертационной работе Дагесяна С.А. "Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией", представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 "Физическая электроника". Диссертационная работа посвящена разработке лабораторной методики создания одноэлектронных транзисторов на основе объектов молекулярного (наночастицы золота 2 4 нм) и атомарного (примесные атомы в решетке кремния) масштаба, их воспроизводимому изготовлению, экспериментальному исследованию транспорта электронов в изготовленных устройствах при различных температурах, в том числе высоких для одноэлектронных эффектов (77 - 300 К) и физической интерпретации полученных экспериментальных данных.

В ней автором разработаны лабораторные технологии изготовления планарных электродов молекулярного транзистора на основе электронно-лучевой литографии и метода, использующего эффект электромиграцин атомов в тонких пленках, исследована динамика формирования нанозазора путем разрыва нанопровода в результате контролируемого проведения процесса электромиграции, исследованы электрические и структурные характеристики полученных электродов, разработаны лабораторные технологии встраивания в полученный нанозазор между электродами наночастиц золота (2 - 4 нм), в широком диапазоне температур ~77 - 300 К) исследованы электрические характеристики полученных в результате этого одноэлектронных транзисторов молекулярного масштаба, разработана технология изготовления кремниевых нанопроводов с сужением менее 50 нм из неравномерно легированного кремния-наизоляторе (КНИ), исследован электронный транспорт в таких нанопроводах при температуре 4,2 К, разработана технология контролируемого уменьшения размера кремниевого нанопровода ло состояния, когда электронный транспорт проходит через 1- 3 примесных атома и исследованы электрические характеристики полученных однозлектронных транзисторов на основе одиночных примесных атомов при температуре 4.2 К и 77 К.

Научную работу С.А. Дагесян начал еще студентом в 2008 году, когда он пришел в лабораторию криоэлектроннки. Эта работа после окончания с отличием физического факультета МГУ переросла в работу над темой представленной диссертации в аспирантуре физического факультета МГУ в 2013 - 2017 годах, которая успешно завершена к настоящему времени. За время работы над диссертацией С.А. Дагесяном выполнен большой объем исследований, результаты которых опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и представлены на российских и международных научных конференциях. В результате проведенных исследований: 1.

Впервые изучена при комнатной температуре временная динамика проводимости квантового провода, образующегося в результате проведения процесса электромиграции и содержащего в поперечном сечении в месте наибольшего сужения менее 20 атомов золота. Продемонстрирована квантовая природа проводимости в таком проводе.

2, Исследованы электрические характеристики нанозазоров менее 5 нм между золотыми электродами. Впервые продемонстрировано влияние контаминации, образующейся под электронным лучом во время сканирующей электронной микроскопии, на проводимость нанозазора. 3, Разработана оригинальная методика контролируемого встраивания малых наночастиц золота (2 — 4 нм) из раствора в нанозазор между металлическими электродами с помощью эффекта диэлектрофореза. 4. В широком диапазоне температур (77 300 К) исследован туннельный электронный транспорт через одиночные золотые наночастицы.

Впервые продемонстрирован одноэлектронный характер проводимости такой системы во всем диапазоне температур, а также возможность управления током через систему с помощью электрического поля при температурах 77 — 220 К. 5. Разработана оригинальная методика изготовления кремниевых нанопроводов с сужением менее 50 нм из неравномерно легированного кремния-на-изоляторе, 6. Впервые разработана методика контролируемого постепенного уменьшения размера кремниевого нанопровода, обеспечивающая постепенный переход от провода с омическим сопротивлением к одноэлектронному транзистору на одиночных примесных атомах.

Продемонстрировано коррелированное туннелирование электронов в созданной одноатомной системе при температурах 4.2 и 77 К. Диссертационная работа С,А, Дагесяна существенно расширяет экспериментальные знания как о процессах. происходящих при формировании металлических наноструктур предельно малого (атомарного) размера, так и о закономерностях туннельного транспорта электронов через такие наноструктуры. Автором в итоге исследований разработан полный цикл операций по изготовлению, диагностике и измерению структурных и электрических характеристик уникальных планарных туннельных наноструктур с суб-5 нм размерами, т.е. в наиболее проблемной для современной наноэлектроники области размеров.

Им при этом предложен и реализован целый ряд тонких оригинальных вспомогательных методик для изготовления и диагностики этих наноструктур, таких, как регистрация атомарно-квантового характера заключительной стадии формирования предельно узких нанозазоров даже при комнатной температуре, технология размещения и закрепления в подобных нанозазорах малых (2 - 3 нм) наночастиц золота, последовательное уменьшение числа квантовых (атомных) каналов проводимости в кремниевом нанопроводе до 1-3. Предельная малость использованных нанообъектов позволила наблюдать одноэлектронный режим работы нанотранзисторов при температуре 77 К и даже при комнатной температуре, Полученный результат весьма актуален, поскольку именно на эффекте коррелированного (одно элек ! ронного) туннелирования возможно создание принципиально новых устройств нанаэлскгроники. Все это характеризует С.А.

Дагесяна, как высококвалифицированного физика-экспериментатора, а его диссертационную работу позволяет считать заметным вкладом в чрезвычайно актуальное на сегодняшний день формирование физико-технологических основ создания нового поколения наноэлектронных устройств атомарно-молекулярного уровня, В целом работа содержит богатый и разнообразный материал, получены новые результаты, представляющие существенный фундаментальный и практический интерес.

В процессе работы над диссертацией С.А. Дагесян зарекомендовал себя как инициативный, творческий, разносторонний исследователь, являющийся квалифицированным специалистом, способным к самостоятельным научным исследованиям. Его характеризуют широкий физический кругозор, любознательность, умение работать с научной литературой, настойчивость в достижении поставленной цели, Считаю, что С.А. Дагесян вполне заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — «Физическая электроника».

Научный руководитель кандидат физико-математических наук, l .' ст. научный сотрудник Ф Солдатов Е.С. Подпись ст. научного сотрудника Солдатова Е,С. заверяю. Ученый секретарь Ученого совета физического факультета МГУ, профессор Караваев В.А. .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации