Автореферат (1104201), страница 5

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 5)

Экспериментально исследован туннельный электронный транс­порт через одиночные малые (2 – 4 нм) золотые наночастицы, вшироком диапазоне температур (77 – 300 K). Впервые продемон­стрирован одноэлектронный характер проводимости такой систе­мы, обладающей высокой зарядовой энергией (75 – 125 мэВ), вэтом диапазоне температур, включая возможность управления то­ком через такой одноэлектронный транзистор с помощью электри­ческого поля при температурах 77 – 220 К.4. Разработана технология изготовления кремниевых нанопроводовшириной менее 30 нм из неравномерно легированного кремния наизоляторе.

Впервые продемонстрировано, что при температуре4.2 К транспорт через такие нанопровода осуществляется однимиз следующих способов: нанопровода с омическим сопротивлени­ем, одноэлектронные транзисторы на основе острова размером бо­лее 10 нм, одноэлектронные транзисторы на основе отдельных при­месных атомов. Разработан метод последовательного уменьшенияпоперечного сечения этих нанопроводов до состояния, когда элек­тронный транспорт в них проходит через 1 – 3 примесных атомаи имеет коррелированный (одноэлектронный) характер.5.

Высокое значение зарядовой энергии ≈ 10−15 мэВ полученныходноэлектронных транзисторов на основе одиночных примесныхатомов фосфора в кремнии позволило впервые наблюдать коррели­20рованное туннелирование электронов в одноатомном транзисторепри температуре 77 К.Публикации автора по теме диссертацииВ рецензируемых журналах, индексируемых Scopus и Webof Science1. Dagesyan S., Stepanov A., Soldatov E. Snigirev O. Properties ofExtremely Narrow Gaps Between Electrodes of a Molecular Transistor.Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 28, 787—790(2015).2. Дагесян С., Солдатов Е., Степанов А.

Изготовление предельно ма­лых зазоров в металлических нанопроводах и исследование их ха­рактеристик. Известия Российской академии наук. Серия физиче­ская 78, 211—211 (2014).3. Dagesyan S., Shorokhov V., Presnov D. et al., Sequential reductionof the silicon single-electron transistor structure to atomic scale.Nanotechnology 28, 225304 (2017).В рецензируемых трудах конференций4. Dagesyan S., Stepanov A., Soldatov E., Zharik G. High temperaturesingle-electron transistor based on a gold nanoparticle. Proc.

of SPIEVol 9440, 94400P—1 (2014).Тезисы докладов на международных конференциях5. Дагесян С., Солдатов Е. Степанов А. Изготовление предельно ма­лых зазоров в металлических нанопроводах и исследование их ха­рактеристик. Труды XIV Всероссийской школы-семинара «Физикаи применение микроволн», Красновидово, 2013 (2013).6. Дагесян С., Галстян А., Солдатов Е. Снигирев О. Использованиеметода электротреппинга для создания одноэлектронных транзи­сторов. Сборник трудов XV Всероссийской школы-семинара «Вол­новые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова(«Волны-2016») (2016).7. Presnov D., Shorokhov V., Amitonov S. et al.

Arsenic dopant singleatom single-electron transistor. International Conference “Micro- andNanoelectronics – 2014” Book of Abstracts (2014), P2—02.8. Galstyan A., Dagesyan S., Soldatov E. Snigirev O. Dielectrophoresismethodforsingleelectrontransistorscreation.InternationalConference “Micro- and Nanoelectronics – 2016” Book of Abstracts,(2016), 171.219.

Galstyan A., Dagesyan S. Soldatov E. Creating the single-electrontransistors by electromigration and electrotrapping. Proceedings of21the 26th International Conference "Microwave TelecommunicationTechnology (CriMiCo’2016) 7 (2016), 1520—1526.10. Dagesyan S., Stepanov A., Soldatov E. Zharik G. High-temperaturesingle-electron transistor based on a gold nanoparticle.

InternationalConference “Micro- and Nanoelectronics – 2014” Book of Abstracts(2014), P2—01.11. Dagesyan S., Stepanov A., Soldatov E. Snigirev, O. Properties ofextremely narrow gaps between electrodes of molecular transistor. 4thInternational Conference on Superconductivity and Magnetism 2014Abstract Book (2014), 908.12. Dagesyan S., Shorokhov V., Presnov D. et al. Single-electron transistorbasedonsinglemoleculesandatoms.VInternationalScientificConference STRANN 2016 Abstracts (2016), 16, 17.13. Dagesyan S., Shorokhov V., Presnov D. et al.

Single-electron transistorbased on several dopant atoms в International Conference “Micro- andNanoelectronics – 2016” Book of Abstracts, (2016), 172.Список литературы[1][2][3]Intel. (2016). Xeon Processor E5-2699 v4 (55M Cache, 2.20 GHz), url:http://ark.intel.com/products/91317/Intel- Xeon- ProcessorE5-2699-v4-55M-Cache-2_20-GHz.S. M. George, “Atomic layer deposition: An overview”, Chemical reviews,vol. 110, no.

1, p. 111–131, 2009.A. Pirati, R. Peeters, D. Smith и др., “ Performance overview andoutlook of EUV lithography systems”, вSPIE Advanced Lithography,International Society for Optics и Photonics, 2015, 94221P—94221P.[4]I. Servin, N. A. Thiam, P. Pimenta-Barros и др., “ Ready for multi-beamexposure at 5kV on MAPPER tool: lithographic and process integrationperformances of advanced resists/stack”, вSPIE Advanced Lithography,International Society for Optics и Photonics, 2015, с. 94231C—94231C.[5][6](2016).

GlobalFoundries Press Release, url: http : / / www .globalfoundries.com/newsroom/press-releases/globalfoundriesextends-roadmap-to-deliver-industry-s-leading-performanceoffering-of-7nm-finfet-technology.D. Averin и K. Likharev, “ Single electronics: A correlated transfer ofsingle electrons and Cooper pairs in systems of small tunnel junctions”,Mesoscopic phenomena in solids, т.

30, с. 173—271, 1991.[7]T. A. Fulton and G. J. Dolan, “Observation of single-electron chargingeffects in small tunnel junctions”, Physical review letters, vol. 59, no. 1,p. 109, 1987.22[8]K. K. Likharev, “Single-electron devices and their applications”, Proceedings of the IEEE, vol. 87, no. 4, p. 606–632, 1999.[9]J.

Kauppinen, K. Loberg, A. Manninen, et al., “Coulomb blockade thermometer: Tests and instrumentation”, Review of scientific instruments,vol. 69, no. 12, p. 4166–4175, 1998.[10]J. P. Pekola, O.-P. Saira, V. F. Maisi, et al., “Single-electron currentsources: Toward a refined definition of the ampere”, Reviews of ModernPhysics, vol. 85, no. 4, p. 1421, 2013.[11]V. Krupenin, D.

Presnov, M. Savvateev, et al., “Noise in al single electrontransistors of stacked design”, Journal of applied physics, vol. 84, no. 6,p. 3212–3215, 1998.[12]Y. Wei, J. Weis, K. v. Klitzing, and K. Eberl, “Edge strips in the quantum hall regime imaged by a single-electron transistor”, Physical reviewletters, vol.

81, no. 8, p. 1674, 1998.[13]S. Kubatkin, A. Danilov, M. Hjort и др., “ Single-electron transistor ofa single organic molecule with access to several redox states”,Nature,т. 425, № 6959, с. 698—701, 2003.[14]P. M. Koenraad and M. E. Flatté, “Single dopants in semiconductors”,Nature materials, vol. 10, no. 2, p. 91–100, 2011.[15]D. Goldhaber-Gordon, H.

Shtrikman, D. Mahalu, et al., “Kondo effect ina single-electron transistor”, Nature, vol. 391, no. 6663, p. 156–159, 1998.[16]E. Soldatov, V. Khanin, A. Trifonov, et al., “Single-electron transistorbased on a single cluster molecule at room temperature”, Journal ofExperimental and Theoretical Physics Letters, vol. 64, no. 7, p. 556–560,1996.[17]Y. A. Pashkin, Y. Nakamura, and J. Tsai, “Room-temperature al singleelectron transistor made by electron-beam lithography”, Applied PhysicsLetters, vol. 76, no. 16, p. 2256–2258, 2000.23Дагесян Саркис АрменаковичОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ЗАРЯДОВОЙЭНЕРГИЕЙАвтореф. дис.

на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наукПодписано в печать... Заказ №Формат 60×90/16. Усл. печ. л. 1. Тираж 100 экз.Типография.

Характеристики

Список файлов диссертации