Отзыв официального оппонента 2 (1104196), страница 2
Текст из файла (страница 2)
В качестве примесных атомовиспользовался фосфор, находящийся в кристаллической решётке кремния. Однако стоитзаметить, что метод является достаточно универсальным, и в принципе может быть применёни для других материалов.Как уже было сказано в главе 1, наиболее актуальной является задача созданияодноатомных устройств на основе широко используемых в полупроводниковой индустриитехнологий. Идея разработанного метода заключается в следующем.
Первым шагом спомощью стандартных литографических процедур создаётся кремниевый нанопровод,электронный транспорт в котором осуществляется параллельно через большое количествопримесных атомов, затем поперечное сечение нанопровода постепенно уменьшается спомощью коротких сеансов реактивно-ионного травления до достижения желаемыхэлектрических характеристик образца.Далее следует последовательная реализует данного метода, систематизация и анализполученных результатов.По итогам Главы 4 в основные результаты работы вынесено 2 пункта:4.
Разработана технология изготовления кремниевых нанопроводов шириной менее 30нм из неравномерно легированного кремния на изоляторе. Впервые продемонстрировано, чтопри температуре 4.2 К транспорт через такие нанопровода осуществляется одним изследующих способов: нанопровода с омическим сопротивлением, одноэлектронныетранзисторы на основе острова размером более 10 нм, одноэлектронные транзисторы наоснове отдельных примесных атомов. Разработан метод последовательного уменьшенияпоперечного сечения этих нанопроводов до состояния, когда электронный транспорт в нихпроходит через 1 – 3 примесных атома и имеет коррелированный (одноэлектронный) характер.5. Высокое значение зарядовой энергии EC ≈ 10−15 мэВ полученных одноэлектронныхтранзисторов на основе одиночных примесных атомов фосфора в кремнии позволило впервыенаблюдать коррелированное туннелирование электронов в одноатомном транзисторе притемпературе 77 К.и 2 пункта сформулированы как положения, выносимые на защиту:4.
Разработанная технология изготовления и контролируемого уменьшения размеракремниевого нанопровода с помощью коротких сеансов реактивно-ионного травления (5 – 10с) позволяет получать экспериментальные образцы для исследования туннельного транспортаэлектронов через несколько (1 – 3) примесных атомов.5. Коррелированное туннелирование электронов через сформированное сужение вкремниевых нанопроводах с единичными примесными атомами фосфора имеет место как притемпературе 4.2 К, так и при 77 К.Диссертационная работа Дагесяна С.А. содержит большой экспериментальныйматериал. Здесь особо следует отметить, что им впервые при комнатной температуреисследована временная динамика квантового провода, образующегося в процессеэлектромиграции; впервые продемонстрировано влияние контаминации, образующейся подэлектронным лучом во время сканирующей электронной микроскопии, на электропроводность3нанозазора; разработана оригинальная методика контролируемого встраивания малых (2…4нм) наночастиц золота в нанозазор между металлическими электродами с помощью эффектадиэлектрофореза; исследован туннельный электронный транспорт через одиночные золотыенаночастицы, а также через несколько наночастиц в широком диапазоне температур (77…300K); впервые продемонстрирован одноэлектронный характер проводимости такой системы вовсём диапазоне температур, а также возможность управления током через наночастицы спомощью электрического поля при температурах до 77…220 К; разработана оригинальнаятехнология изготовления кремниевых нанопроводов с сужением менее 50 нм из неравномернолегированного кремния на изоляторе; впервые разработана методика контролируемогопостепенного уменьшения размера кремниевого нанопровода, обеспечивающая постепенныйпереход от провода с омическим сопротивлением к одноэлектронному транзистору наодиночных примесных атомах.
Интерпретация полученных экспериментальных данныхвыполнена с помощью физически корректных моделей.Результаты диссертационной работы опубликованы в 13 печатных изданиях, 3 изкоторых изданы в журналах, индексируемых Scopus и Web of Science, 1 - в рецензируемыхтрудах конференции, 9 - в тезисах докладов.Автореферат диссертации полностью соответствует ее содержанию.К работе имеются следующие замечания:1. В тексте работы имеется ряд опечаток, например:стр. 23, строка 8 – … на некоторое время (пропущено) помещается;стр. 42, строка 7 – опечатка в степени при указании величины плотности тока, а такжестилистические погрешности, например, вместо термина «проводимость» было бы уместнееиспользовать «электропроводность».2. При исследовании процессов электромиграции и самопроизвольной релаксации вовторой главе было бы уместно обсудить влияние гранулированности напыленных золотыхпроводников.3.
Автор не указал, влияло ли на характеристики одноэлектронных транзисторов приизменении температуры изменение размера зазоров за счет температурных коэффициентоврасширения подложки и электродов.Указанные недостатки не носят принципиального характера и не умаляют научной ипрактической значимости диссертационной работы Дагесяна С.А. Разработка методикисоздания одноэлектронных транзисторов на основе объектов молекулярного и атомарногомасштаба, а также их воспроизводимое изготовление, исследование транспорта электронов визготовленных элементах при различных температурах, в том числе высоких дляодноэлектронных эффектов, их структурные исследования, направлена на решение задачи,имеющей важное значение для развития элементной базы одноэлектроники.
Кроме того, вработе изложены новые технологические решения и разработки, имеющие существенноезначение для развития страны.Диссертационная работа Дагесяна Саркиса Арменаковича «Одноэлектронныетранзисторы с высокой зарядовой энергией» полностью соответствует критериям,установленным «Положением о присуждении учёных степеней в Московскомгосударственном университете имени М.В.Ломоносова», а ее автор Дагесян СаркисАрменакович заслуживает присвоения ему степени кандидата физико-математических наук поспециальности «01.04.04 – Физическая электроника».Старший научный сотрудник лаборатории «Физических основ нанокомпозитныхматериалов для информационных технологий» ФГБУН Институт радиотехники и электроникиим.
В.А. Котельникова РАН, кандидат технических наукФионов А.С.Подпись Фионова А.С. удостоверяюУченый секретарь ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН,кандидат физико-математических наукЧусов И.И.4Фионов Александр СергеевичКонтактная информацияПочтовый адрес: 125009, Москва, ул. Моховая, дом 11, строение 72.Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники иэлектроники им. В.А.
Котельникова РАН (ИРЭ им. В.А.Котельникова РАНEmail: fionov@cplire.ruРабочий телефон: +7 (495) 629-33-685.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
