Протокол приема к защите, сведения о ведущей организации и оппонентах (1102625)
Текст из файла
lluucvmcmsoeanu: n. KaIIIKapOB Hasen KOHCT~HTHHOBHS,A. BacHJIbeB Ane~caHnpHH~onaesHs,K. E@EIMOB~heKCaH~pa~ I B ~ H o B AH. ~Benxe~,A H ~ T oBnanm~po~HS,J~A. ~ P S L H O B C K MkneKCaH~p~~EOPHCOBHS,A. AMHTPH~Bh e ~ c e f i BJI~~HMHPOBWI,A. Ko3no~ Ceprefi H~~onaeskis,n.K O H C T ~ H ~ HEnk~sasmaOB~kneKCaHnpOB~a, n. K y n b 6 a r ~ ~ c ~Bnanmkip~fiA~aT0nbeBki.1,A.
HHKHTHHCeprefi ~ ~ K c ~ H ~ P o BA.H nep0Bs,Hkl~onaii CepreeBHS, a. ~JIOTHHKOB r e ~ ~ ~C ~ M ~ H O Bn.H~YP Y, J W H K O BBaneptifi HH~onaesw,n. CKEIH~T~OBEsre~klii~~BJIOBHS,n. @0pIIIl k i e nAH~TOJI~~BMS,n. XOXJIOB&HTpHfi P~MOBMS,llocmanosunu:npkim~bK 3anurre w c c e p T a m fle H.T.Y T B ~ ~ IIpeAJImeMbIXWT~o$liQHlUib~bIXOlIllOHeHTOB H BenyrsyIo OpTaHH3aHIO.Ведущая организацияФедеральное государственное учреждение «Федеральный научно-исследовательский центр«Кристаллография и фотоника» Российской академии наук», Ведомственная принадлежность:Федеральное агентство научных организацийПочтовый адрес: 119333, Россия, Москва, Ленинский проспект, дом 59адрес официального сайта в сети «Интернет»: http://kif.ras.ru/Телефон: 8 (499) 135-63-11Адрес электронной почты: office@crys.ras.ruСписок основных публикаций работников подразделения ведущей организации, в котором будетдокладываться диссертация, по теме диссертации за последние 5 лет:1.
Alshits V.I., Darinskaya E.V., Morozov V.A., Kats V.M., Lukin A.A. Resonant dislocation motion innacl crystals in the epr scheme in the earth's magnetic field with pulsed pumping// Physics of the Solid State. -2013. Т. 55. № 11. С. 2289-2296.2. Petrzhik E.A., Ivanova E.S., Alshits V.I. Changes in the microhardness and dielectric permittivity oftgs crystals after their exposure to a static magnetic field or ultralow crossed fields in the epr scheme //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics.
-2014. Т. 78. № 10. С. 1052-1057.3. Zhigalina V.G., Sulyanov S.N., Kiselev N.A., Lizunova A.A., Ivanov V.V. Dimensional and phasecharacteristicsofaluminumoxideandtitaniumdioxidenanoparticles//Nanotechnologies in Russia. -2014. Т. 9. № 9-10. С. 492-501.4. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Koldaeva M.V., Minyukov S.A., Petrzhik E.A., Morozov V.A., KatsV.M., Lukin A.A., Naimi E.K. Resonance magnetoplasticity in the epr scheme under ultralow magneticfields Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. -2014.
Т. 78. № 10. С. 1041-1051.5. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А., Шведченко Д.О. Подвижностьдислокаций в кристаллах NaCl с примесями Ni и Ca в постоянном магнитном поле и в схеме ЭПРрадиодиапазона // Вестник Тамбовского университета. Серия: Естественные и технические науки.-2013. Т. 18.
№ 4-2. С. 1802-1804.ОппонентыГерасименко Николай Николаевич – доктор физико-математических наук, (01.04.10 – физикаполупроводников и диэлектриков), профессорМесто работы: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшегообразования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электроннойтехники»Должность: начальник научно-исследовательской лаборатории радиационных методов,технологии и анализаАдрес: 124498, г.
Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1Телефон: +7 916 925 7504Адрес электронной почты: nng1938@mail.ruСписок основных публикаций по теме диссертации за последние 5 лет в рецензируемых научныхизданиях:1. N.N. Gerasimenko, D.I. Smirnov, N.A. Medetov, O.A. Zaporozhan.
Influence of Size Effects on theRadiation Stability of Nanocrystalline Materials // Semiconductors, -2014, - т. 48, № 13. - с. 1751–1756.2. D. Smirnov, R. M. Giniyatyllin, I. Yu. Zyul'kov, N.N. Gerasimenko. Problems in measurements ofparameters of elements and structures in modern micro- and nanoelectronics considering TiN/Ti diffusionbarrier structures as an example // Technical Physics Letters. -2013. -т. 39(7).
-с. 640-643.3.Н.Н. Герасименко, Д. И. Смирнов, А.Г. Турьянский Новые рентгеновские измерительныесистемы с микрофокусными источниками для диагностики твердотельных микро- и наноструктур.// Наноиндустрия. -2015. -вып. 2. -с. 58–69.4.Н. Н. Герасименко, А. Н. Михайлов, В. В. Козловский, О. А. Запорожан, Н. А. Медетов, Д.И. Смирнов, Д. А. Павлов, А. И. Бобров. Структура и люминесценция кремния, облученногопротонами // перспективные материалы. -2013 № 8. -с.18-23.Васильевский Иван Сергеевич, кандидат физико-математических наук, (01.04.09 - физиканизких температур), доцентМесто работы: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшегопрофессионального образования «Национальный ядерный университет «МИФИ»Должность: доцент кафедры № 67 "Физика конденсированных сред"Адрес: 115409, г.
Москва, Каширское шоссе, д. 31Телефон: +7 916 210 7418Адрес электронной почты: ivasilevskii@mail.ruСписок основных публикаций по теме диссертации за последние 5 лет в рецензируемых научныхизданиях:I S Vasil'evskii, A N Vinichenko, D I Rubakin, I A Bolshakova and N I Kargin , High accuracy1.magnetic field sensors with wide operation temperature range // IOP Conf. Series: Materials Science andEngineering. - 2016. -Т. 151.
-с. 0120292.Kasuni Nanayakkara, Ivan S. Vasil'evskii, Igor S. Eremin, Olga S. Kolentsova, Nikolay I. Kargin,Tunable configurational anisotropy of concave triangular nanomagnets // Journal of Applied Physics. 2016. -т. 119. -с. 233906.3.N. Vinichenko, V. P. GladkovN. I. KarginM. N. StrikhanovI. S. Vasil’evskii Increase of theelectron mobility in HEMT heterostructures with composite spacers containing AlAs nanolayers //Semiconductors. -2014. -т.48.
-с. 1619.Садовьев Ю.Г., Мартовицкий В.П., Клековкин А.В., Сарайкин В.В., Васильевский И.С.,4.Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs иSi методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП. - 2015. - Т.49. №12. -с. 1612-1618.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
