заключение совета (1102512), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Показано, что, изменяя величины давления и индукции внешнего магнитногополя,можноуправлятькакзначениямиконцентрациииэффективнойтемпературы электронов, так и их радиальным распределением. Максимальная6область однородности плазмы составляет величину порядка 20 см и достигаетсяпри давлении аргона порядка 0.1 Тор. При наложении внешнего магнитного полямаксимальная область однородности плазмы достигается при давлении аргонапорядка 0.1–4 мТор и составляет величину порядка 30 см, что соответствуетсовременным достижениям в создании плазменных реакторов для технологиймикроэлектроники.3. Экспериментально показано, что при рабочей частоте ВЧ генератора 2 МГц,давленияхинертныхгазовитемпературахэлектроннойкомпоненты,соответствующих частоте столкновений электронов с атомами 3х106 – 3х107 с-1разряд носит преимущественно индуктивный характер, поглощение мощностиимеетстолкновительныйхарактер.Припараметрахплазмыразряда,соответствующих частоте столкновений более 108 с-1 возрастает вклад емкостнойсоставляющей разряда в эквивалентное сопротивление плазмы, при этомнаибольший вклад при той же частоте столкновений наблюдается в тяжелыхинертных газах.4.
Проведенное численное моделирование процессов в индуктивном ВЧ разряденаходитсявсогласиисрезультатамиэкспериментовиподтверждаетправильность выбранной модели разряда.Теоретическая значимость исследования обоснована тем, что изученыосновныефизическиемеханизмы,определяющиепараметрыплазмыиндуктивного высокочастотного разряда и их зависимость от внешних условийразряда.Значение полученных соискателем результатов исследования для практикиподтверждается тем, что определены условия получения плазмы индуктивноговысокочастотного разряда с почти однородным радиальным распределениемтаких параметров как концентрация и температура электронов, плотностьионного тока и т.п., важных для многих технологических приложений.Результаты диссертационного исследования могут быть использованывследующих организациях, проводящих исследования в области физики ВЧ.














