Распыление твердых тел ионами инертных и химически активных газов при фазовых превращениях (1097871), страница 8
Текст из файла (страница 8)
Ионно-стимулированныепроцессы в пленках Ni на Al в области температур, включающей точку Кюри. - Матер. 12Межд. конф. ВИП, Москва 1995, т.1, с.18-21.12. Colligon J.S., Farrel G., Bachurin V.I., Yurasova V.E. RBS/Ion implanter facility for in-situion-surface studies. – Radiat. Eff., 1996, v.
138, p. 195-202.13. Бачурин В.И., Лепшин П.А., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Исследование процессаформирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. - Матер.13 Межд. конф. ВИП, Москва 1997, т.2, с. 317 – 319.14. Бачурин В.И, Лепшин П.А., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Исследование процессаформирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота.
Известия РАН, сер. физ., 1998, т.62, с.703 -709.15. Бачурин В.И, Лепшин П.А., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Инфракрасная спектроскопияповерхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота. - Письма в ЖТФ,1998, т.24, с.16 – 23.16. Bachurin V.I., Churilov A.B., Potapov E.V., Smirnov V.K., Makarov V.V., Danilin A.B.Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N2+ ion bombardment.- NIMB,1999, v. 147, p.316 – 319.3417. Смирнов В.К., Бачурин В.И., Лепшин П.А., Потапов Е.В., Чурилов А.Б.
Исследованиеприповерхностного слоя в кремнии, облученном ионами низких энергий. - Труды VIIIМежнац. совещ. “Радиационная физика твердого тела“, Москва, 1998, с. 126 –130.18. Бачурин В.И., Потапов Е.В., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Формирование тонкихнитридных пленок облучением поверхности кремния низкоэнергетичными ионами азота. Тез. докл. Всеросс. конф.
“ Микро- и наноэлектроника”, Москва, 1998, с. Р 1-38.19. Смирнов В.К., Лепшин П.А., Бачурин В.И., Кибалов Д.С., Потапов Е.В., Данилин А.Б.Геометрия и внутреннее строение индивидуальной волны волнообразного микрорельефана поверхности кремния. – Тез. докл. Всеросс. научно-техн. конф. “Микро- инаноэлектроника 98”, Москва, 1998, Р 3-28.20. Бачурин В.И., Лепшин П.А., Смирнов В.К. Угловые зависимости распыления кремнияионами азота.
- Матер. 14 Межд. конф. ВИП, Москва 1999, т.1, с.62-65.21. Смирнов В.К., Кибалов Д.С., Лепшин П.А., Бачурин В.И. Влияние топографическихнеоднородностей на процесс образования волнообразного микрорельефа на поверхностикремния. – Матер. 14 Межд. конф. ВИП, Москва 1999, т.1, с.70-73.22. Смирнов В.К., Кибалов Д.С., Лепшин П.А., Бачурин В.И. Влияние топографическихнеоднородностей на процесс образования волнообразного микрорельефа на поверхностикремния. – Известия РАН, сер. физ., 2000, т. 64, с. 626-631.23.
Bachurin V.I., P.A.Lepshin, Smirnov V.K. Angular dependences of surface composition,sputtering and ripple formation on silicon under N2+ ion bombardment. - Vacuum, 2000, v. 56,p.241 – 245.24. Бачурин В.И., Смирнов В.К. Исследование распыления диоксида кремния ионамиазота и аргона. - Матер. 15 Межд. конф. ВИП, Москва, 2001, т.1, с. 93 - 96.25. Биркган С.Е., Бачурин В.И., Рудый А.С., Смирнов В.К. Моделирование развитияповерхностной топографии кремния при ионном распылении. - Матер. 15 Межд. конф.ВИП, Москва, 2001, т.1, с.97-100.26.
Биркган С.Е., Рудый А.С., Смирнов В.К., Бачурин В.И.Моделированиенестационарного распыления твердых тел. - Матер. 16 Межд. конф. ВИП, Москва, 2003,2003, с. 69-72.27. Бачурин В.И., Миннебаев К.Ф., Насретдинов А.А.Температурная зависимостьвторичной ионной эмиссии никеля. - Матер. 16 Межд.
конф. ВИП, Москва, 2003, т.1, с.339-342.28. Кривелевич С.А.,Цырулев А.А., Бачурин В.И. Моделирование ионного синтезаскрытых диэлектрических слоев. - Матер. 16 Межд. конф. ВИП. Т.2. – Москва, 2003. - С.94-97.3529. Birkgan S.E., Bachurin V.I., Rudy A.S., Smirnov V.K. Modelling of surface topograghydevelopment during ion sputtering of solids.
- Rad. Eff. & Defects in Solids, 2004, v.159, p. 163-172.30. Бачурин В.И., Миннебаев К.Ф., Насретдинов А.А.Температурная зависимостьвторичной ионной эмиссии никеля. - Известия РАН, сер. физ. 2004, т.68, с.390 – 392.31. Кривелевич С.А.,Цырулев А.А., Бачурин В.И.Моделирование ионного синтезаскрытых диэлектрических слоев.
- Поверхность, 2004, N5, с. 40-43.32. Бачурин В.И., Вишняков В.М., Коллигон Д.С,, Миннебаев К.Ф.,Юрасова В.Е.Упрочняющие покрытия на основе тройных соединений. – Поверхность, 2005, №4, с. 106110.33. Бачурин В.И, Кривелевич С.А. Ионно-индуцированное фазообразование в системе AlNi. - Матер. 17 Межд.
конф. ВИП. Т.1. – Москва, 2005, c.91-94.34. Кривелевич С.А., Бачурин В.И., Бучин Э.Ю.,Денисенко Ю.И.,Селюков Р.В. Ионныйсинтез скрытых изолирующих силикатных слоев. - Матер. 17 Межд. конф. ВИП. Т.2. –Москва, 2005, c.175-178.35. Vishnyakov V.M., Bachurin V.I., Minnebaev K.F., Valizadeh R., Teer D.G., Colligon J.S.,Vishnyakov V.V., Yurasova V.E. Ion assisted deposition of titanium chromium nitride. – ThinSolid Films, 2006, v. 497, p.189-195.36.
Rudy A.S., Bachurin V.I., Smirnov V.K.Nanoscale model of surface erosion by ionbombardment. - Rad. Eff. & Defects in Solids, 2006, v. 161, p. 319-329.37. Кривелевич С.А., Бачурин В.И., Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Селюков Р.В. Ионныйсинтез скрытых изолирующих силикатных слоев. – Поверхность, 2006, т. 70, с. 883-885.38. Бачурин В.И., Кривелевич С.А., Потапов Е.В., Чурилов А.Б. Изучение взаимодействияионов аргона и азота с поверхностью диоксида кремния.
- Поверхность, 2007, №3, с. 1923.Цитируемая литература1. Onderdelinden D. Single crystal sputtering including the channeling phenomenon. –Can. J. Phys., 1968, v.46, p. 739-745.2. Sigmund P. Collision theory of displacement damage, ion range and sputtering. – Rev.Roum. Phys., 1972, v. 17, p. 823-1105.3. Schroeer J.M., Rhodin T.N., Bradley R.C. A quantum mechanical model for ionizationand excitation of atoms during sputtering. – Surf. Sci., 1973, v. 34, p. 571-580.4. Carter G. The physics and application of ion beam erosion.
– J. Phys. D: Appl.Phys.,2001, v. 34, p. R1-R22..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
