Отзыв оппонента Горбацевича (1097803), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Показано, что проводимость анизотропного (обладающего анизотропией формы нанокристаллов) ПК вдоль кристаллографического направления [1101 значительно выше проводимости вдоль направления 1001). Методом импедансспектроскопии обнаружено. что отношение значений проводимости вдоль кристаллографических направлений 1! ! 01 и 10011 уменьшается с увеличением частоты переменного сигнала. однако, остаегся достаточно большим (»1) даже при частотах -10 Мрц. Предложена эквивалентная схема исследованных структур, позволяющая объяснить наблюдаемые частотные зависимости проводимости слоев анизотропного пористого кремния, и описана модель переноса носителей заряда в анизотропном ПК.
В шестой главе также показано. что аншюгично случаю пс-%!а-Я:Н, рекомбинация неравновесных носителей заряда в анизотропном ПК происходит в результате процесса туннелирования носителей заряда сквозь барьер с предварительной термической активацией. Седьмая аяиви посвящена исследованикэ влияния поверхностного покрытия кремниевых нанокристаллов на перенос носителей заряда в ПК с размером нанокристаллов 10-30 нм. Из анализа спектров ИК поглощения определены концентрации свободных дырок и электронов в исследованных образцах ПК и изучено влияние на значения указанных концентраций адсорбции активных молекул.
Из полученных значений проводимости и концентрации свободных носителей заряда рассчитаны значения подвижности по проводимости. Установлено, что изменение поверхностного покрытия нанокристаллов в ПК за счет адсорбции активных молекул, приводит к значительному изменению как концентрации носителей заряда, так и их подвижности. В конце седьмой главы даны результаты исследования влияния кратковременного термического окисления на проводимость ПК, Показано.
что при высокотемпературном от>ките ПК на воздухе значения проводимости как вдоль, так и перпендикулярно поверхности ПК существенно уменьшаются. а анизотропия проводимости значительно увеличивается. Диссертация П.А. Форша не свободна от недостатков, значительная часть которых, впрочем, носит стилистический характер. К числу недостатков можно отнести следующие моменты: 1.
Автором выбран формаз построения диссертации. при котором литературный обзор в традиционном понимании отсутствует и сведения по литературе приводятся в соответствующих тематически близких главах, что, скорее, уместно для монографии, претендующей на систематическое изложение предмета„чем для диссертации, задача которой показать собственный вклад автора. За связность изложения приходится платить недостаточной четкостью как в постановке задачи собственного исследования, так и в описании собственных результатов. Кроме того. при постановке задачи автор был лишен возможности развернуто подчеркнуть выигрышный момент своей работы, связанный с синтезом различных направлений исследования кремниевых наноматериалов (лазерный отжиг, пористый кремний.
квантовые точки), находившихся в центре внимания последние десятилетия. 2. Недостаточно четко сформулирована физическая картина наноструктурирования при фемтосекундпом лазерном отжиге 1электронный механизм трансформации или плавлениеу). В целом в диссертации недостаточно подробно описаны и проанализированы механизмы наноструктурирования, которые представляют собой важный элемент общей физической картины. Отсутствует информация о взаимосвязи геометрических характеристик колонн в пс-Я/а-%:Н с механизмом роста.
3. В главе 2 диссертации отсутствуют иллюстрации в виде энергетических диаграмм, которые наглядно поясняли бы результаты оптических экспериментов. 4. При описании подавления эффекта Стеблера-Вронского при наноструктурированин (важный результат лля практических приложений) отсутствуют данные по зависимости результатов от объемной доли нанокристаллитов. 5. Изложение было бы более полным, если бы в диссертации были также представлены результаты исследований образцов, различающихся по толщине пленок пс- 81/а-31:н. б, Имеются также отдельные неточности при изложении материала диссертации: три представления о различных механизмах нанокристаллизации (стр.
94), трактуемые в диссертации как альтернативные, относятся к различным объемным долям нанофазы, т.е. служат взаимодополняюшими, модели, упоминающиеся в диссертации тоже как альтернативные (стр. 214), относятся к различным технологическим режимам и структурам, что не обязательно предполагает существование единой модели. Указанные недостатки никоим образом не снижают в целом положительной оценки диссертации, которая, несомненно, представляет собой законченное научное исследование, удовлетворяющее всем требованиям, предьявляемым к диссертациям на соискание ученой степени доктора физико-мьпематических наук по специальности 01.04.10 - физика полупроводников. Диссертации достаточно исчерпывающе завершает важный цикл исследований наноструктурнрованных материалов и ставит новые задачи, такие как, например, моделирование нанокристаллнтов в аморфной матрице.
Автор безусловно заслуживает присуждения искомой степени, ~А.А.Горбацевич/ Официальный оппонент, д.ф.-м,н.. чл.-кор. РАН Подпись Гл. н.с, ФИАН, д.ф.-м.н,, чл.-кор. РАН Ученый секретарив(яктАН~1~~ч~~ Ф " ~ж~~~р е ф~~~'~ +~ А.А.Горбацевича удостоверяю: д.ф.-м.н /Н.Г.Полухина1 .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
