Москатов Е.А. Источники питания (2011) (1096749), страница 2
Текст из файла (страница 2)
114 ... //5 ... /17 .! 18 ... 1/9 . 120 . /20 . 121 ... /26 ... 127 .!29 . /31 ... /32 . 134 .... 136 .138 ..., 138 . 138 .... 139 .... 140 .... 143 ... 144 .... 144 .... /45 .... 146 .... /48 .... 149 7.3.2. Наладка. 15В 7.4. ДВУХТАКТНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ С ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТЬЮ НЕ БОЛЕЕ 2 КВТ . 158 7А, 1.
Конструкция... /б5 7.4.2. Настройка и регулировка... /бб 7.5. ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ С МОЩНОСТЬЮ НАГРУЗКИ ДО 600 ВТ ДЛЯ УМЗЧ .............,.... ! 66 7.5. 1. Назначение компонентов... /бВ 7 5 2. Марки компонентов и возможные замены. .......,... ....... /69 7.5.3. Настройка и регулировка... 170 7.6. ОПТИЧЕСКИЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ . 171 ГЛАВА 8. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ ... 8.1. ПРЕДОСТЕРЕЖЕНИЕ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ СИМУЛЯТОРОВ ...................................... 172 8.2. ИЗМЕРЕНИЕ НЕКОТОРЫХ ПАРАМЕТРОВ МАГНИТОПРОВОДОВ.......,........,.................. 173 8,2. I.
Нахождение магнитной проницаемости.. !73 В.2.2. Измерение индукции насыщения и напряженности поля магнитопровода 173 8.3. Спосовы охлАжДения компонентов типовых источников питАния........... 175 8.4. СПОСОБЫ ОХЛАЖДЕНИЯ КОМПОНЕНТОВ СПЕЦИАЛЬНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ... 1 76 8.5. СРЕДСТВА И СИСТЕМЫ ЗАЩИТЫ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ.............,......,...............
! 77 8.6. ТРЕБОВАНИЯ К МОНТАЖУ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ПОМЕХИ . 180 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.. 184 ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ.. 198 Предисловие Перед вами книга, отражающая основы дисциплины "Источники питания". Помимо разделов курса, она включает в себя многочисленные дополнительные сведения и, кроме теории, содержит принципиальные схемы некоторых практических устройств. Материал книги изложен кратко, чтобы не увеличивать объем за счет сведений, которые можно найти в других изданиях. Все особенности проектирования источников питания и их компонентов охватить в одной книге невозможно, поэтому текст сопровождается многочисленными ссылками на литературу. В списке литературы перечислены издания, которыми следует пользоватъся как при изучении курса, так и при решении практических задач.
Все рассмотренные в книге схемы даны сугубо для изучения принципа действия электропитающих устройств. Описанные конструкции не предназначены для повторения, а собранные устройства могут вообще не работать или работать не правильно. Может также последовать выход из строя компонентов, и не исключены убытки иного характера.
В случае нарушения правил техники безопасности возможно поражение электротоком, которое способно нанести вред здоровью илн даже привести к смертельному исходу. Во всех этих и других случаях автор книги не несет какой-либо ответственности за действия или бездействие читателей. Все действия читатели осуществляют по своей воле и желанию и на свой страх и риск. Я заранее приношу извинения за возможные неточности и ошибки, избежать которых в изданиях подобного рода почти невозможно, и надеюсь, что книга "Источники питания" будет для вас полезной.
В случае возникновения вопросов, а также для высказывания отзывов и пожеланий можно воспользоваться соответственно форумом и гостевой книгой на сайте автора лавр: //аюв ха со~. лагос~. ги. Автор, имжемер, Евгемий Москатов Перечень условных обозначений и принятых сокращений Асоге — внешний диаметр магнитопровода, мм  — магнитная индукция, Тл Всоге — внугренний диаметр кольцевого магнитопровода, мм Вэфф — эффективная индукция магнитопровода, Тл С вЂ” емкость конденсатора,Ф Ссоге — высота магнитопровода, мм соз у — коэффициент мощности Сел — число слоев провода в обмотках Ск — емкость колебательной системы, Ф Сф — емкость конденсатора сглаживающего фильтра, Ф д — диаметр одной жилы в проводе с учетом толщины изоляции, мм дк — расстояние между обкладками конденсатора, см Рпр — эквивалентный диаметр многожильного провода, мм е — основание натурального логарифма Е(!) — электродвижущая сила à — частота, Гц Ро — резонансная частота фильтра, Гц Рн — частота потребляемого нагрузкой тока, Гц Н вЂ” напряженность магнитного поля, А/м Нэфф — эффективная напряженность магнитного поля, А/м йп — статический коэффициент передачи тока для конкретной схемы включения транзистора !о(!) — ток через силовую шину пояса Роговского, А 16 — ток базы транзистора, А 1г — ток через первичную обмотку, связанный с потерями в магнитопроводе на гистерезис, А 1к — ток коллектора транзистора, А ! н — постоянный ток через нагрузку, А 1подм — ток подмагничивания или намагничивания сердечника, А 1ст — ток через стабнлитрон, А !эфф — эффективный ток, А 3 — плотность тока, А/мм г кб — коэффициент близости йз.ос — коэффициент заполнения обмотки проводом в осевом направлении 'кп коэффициент пульсации напряжения Кп1 — коэффициент заполнения окна магнитопровода Кс — коэффициент сглаживания фильтра кт — коэффициент теплопроводности материала охладителя, Вт/('С см ) йф — коэффициент формы напряжения или тока 1, — индуктивность обмотки, Гн 1.з — протяжеость немагнитного зазора, мм Еср — усредненная длина витка провода,м 1.ср.л — длина средней линии, см Ек — индуктивность колебательной системы, Гн Еф — индуктивность дросселя сглаживающего фильтра ~п — число фаз питающей сети или число, отражающее, во сколько раз частота основной гармоники выше, чем частота питающей сети в1 — масса магнитопровода, г 1Ч вЂ” число жил в проводе Ракт — активная мощность, ВА Рвихр — мощность потерь на вихревые токи, Вт Рг — мощность потерь на гистерезис, Вт Кдин — динамическое сопротивление, Ом Рзг — мощность, отдаваемая задающим генератором, Вт Рк — мощность, рассеиваемая коллектором транзистора, Вт Рн — мощность, потребляемая нагрузкой, Вт Ром — мощность омических потерь в обмотке, Вт Рполн — полная мощность, ВАР Руд — удельная мощность полных потерь в магнитопроводе для конкретного значения индукции и частоты, Вт/кг о — число немагнитных зазоров на пути прохождения магнитного потока Π— коэффициент сглаживания одного звена фильтра Оз — полный заряд затвора, Кл Ок — заряд конденсатора, Кл Ох — общий коэффициент сглаживания всех звеньев фильтра г — внутреннее сопротивление, Ом К вЂ” сопротивление резистора, Ом К„с/Кос — коэффициент добавочных потерь Квн — внутреннее сопротивление, Ом гдин — динамическое сопротивление, Ом гдиф — дифференциальное сопротивление стабилитрона, Ом Ккр — тепловое сопротивление транзистора корпус-радиатор, 'С / Вт Кн — сопротивление нагрузки, Ом Кпк — тепловое сопротивление переход - корпус транзистора, 'С / Вт Кпс — тепловое сопротивление переход - окружающая среда, 'С / Вт Б — площадь обкладки конденсатора, см 2 Бс — площадь сечения, см г Бо — площадь окна магнитопровода, см 2 Зв — сечение провода вторичной обмотки, мм Зп — сечение провода первичной обмотки, мм Т вЂ” период повторения импульсов, мкс ТК~3 — температурный коэффициент стабилизации напряжения, ',4 / 'С Токр — максимальная температура окружающей среды, 'С Тн — температура нагрева, 'С Тп — максимальная температура перехода транзистора, 'С 0-вх — амплитуда напряжения пульсации на входе фильтра, В 0-вых — амплитуда напряжения пульсации на выходе фильтра, В Ввх.макс — входное максимальное напряжение, В Бвх.мин — входное минимальное напряжение, В 13вх.ном — входное номинальное напряжение, В 0зи — напряжение затвор-исток, В 1О Перечень условных обозначений и принятых сокращений 1/к — напряжение на обкладках конденсатора, В Юнас — напряжение насыщения ключевого транзистора, В 0н.ампл — амплитуда напряжения на нагрузке, В 0н.макс — максимальное выходное напряжение, В он.мин — минимальное выходное напряжение, В 13н.ном — номинальное выходное напряжение, В Уст — напряжение стабилизации, В Ч вЂ” обьем магнитонровода, см з % — число витков обмотки Ф вЂ” магнитный поток т — длительность импульса, мкс у — коэффициент заполнения импульсов з5 — глубина проникновения тока в толщу Проводника, мм Ыст — приращение тока через стабилитрон, А ЬТокр — изменение температуры окружающей среды, 'С М~вх — приращение входного напряжения, В М/вых — приращение выходного напряжения, В Л1/ст — приращение напряжения стабилизации, В а — диэлектрическая проницаемость т1 — коэффициент полезного действия р — относительная магнитная проницаемость, Гн/м ро — магнитная постоянная вакуума, равная 4 я 1О ' Гн/м рз — магнитная проницаемость материала немагнитного зазора, Гн/м 1зм — магнитная проницаемость сердечника, Гн/м рэкв — эквивалентная магнитная проницаемость магнитопровода с немагнитным зазорол», Гн/м рэфф — эффективная магнитная проницаемость магнитонровода, Гнlм Б — число звеньев фильтра л — число Пи с бесконечным числом знаков после десятичной запятой: 3,14159265358979...
р — удельное электрическое сопротивление материала, Ом м рф — плотность феррита, г/см у — относительная ширина многожильного провода в осевом направлении чз и <р — параметры в формуле Доуэлла Чз — потокосцепление, Вб вз — круговая частота, радиан / с соо — собственная круговая частота фильтра, радиан / с à — скважность импульсов 6 — длина обмотки пояса Роговского, м 8о — протяженность тороидального магнитопровода вдоль осевой линии, м 6у — расстояние, на которое смещается луч вдоль ординаты, см 6х — расстояние смещения луча по абсциссе, см КПД вЂ” коэффициент полезного действия УГΠ— условное графическое изображение ЭДС вЂ” электродвижушая сила Введение Общеизвестно, что любые электронные устройства, выполненные на активных компонентах, от простейших радиоприемников до компьютеров и радиолокационных станций нуждаются в источниках питания.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
