Суворова Е.А., Шейнин Ю.Е. Проектирование цифровых систем на VHDL (2003) (1095892), страница 89
Текст из файла (страница 89)
Моделирование устройств памяти Моделирование устройств памяти в Роппда11оп Ехргезз отражает их реальную работу достаточно подробно. Моделируется и фактическое хранение значений данных (представляются в шестнадцатеричных кодах) в моделируемом устройстве памяти. Данные могут быть в действительности записаны в моделируемую память и считаны из памяти при выполнении соответствуюших циклов обмена.
Содержимое моделируемой памяти хранится в структурах данных системы моделирования, и, при значительных объемах адресного пространства моделируемого устройства памяти, может занимать большой объем оперативной памяти инструментальной машины. Если размер моделируемой памяти составляет 1 Мбайт, то лля ее моделирования занимается ! Мбайт оперативной памяти компьютера. Однако в большинстве случаев при моделировании фактически требуется содержимое только фрагмента памяти.
В Роыпда11оп Ехргевв предусмотрена возможность моделирования хранения информации не во всем моделируемом устройстве, а только в некоторой его части. Моделируется хранение данных в двух областях адресного пространства моделируемой памяти — в нижней области адресного пространства, и в верхней области адресного пространства (рис.
7.8). Размеры моделируемых, с точностью до содержимого, участков адресного пространства задает пользователь. Для указания этих параметров используется вкладка Я1шп!а11оп диалогового окна Ргетегепсев. На ней, в области Мешогу гапяе, можно задать значения параметров 1,отгег Мет Аоогевв (Граница нижней области памяти) и Юррег Меш Аоогевв (Граница верхней области памяти). Параметр Еопег Проектирование СБИС на языке МНО~ в среде Еоилг)адол Екргеаа 4БЗ Мев Апогеей определяет количество байтов, начиная с адреса О, которые будут моделироваться; иначе говоря — верхнюю границу моделируемой области адресного пространства, от адреса О до адреса Еотгег Мепт Аоогеая — 1. Параметр 0ррег Мев Аоогева определяет количество байтов, начиная от самого старшего адреса адресного пространства памяти, которые будут промоделированы; иначе говоря — нижнюю границу верхней моделируемой области адресного пространства (рис.
7.8). На рисунке серым цветом отмечены моделируемые области памяти. Старший адрес Старший адрес памяти — Оррегмегл 'ьсаег Мел| Рис. 7.8. Определение моделируемых (с точностью до содержимого) областей памяти Если в моделировании участвует несколько блоков памяти, то для них эти параметры имеют одни и те же значения. Возможен также просмотр и редактирование состояний памяти. Для выполнения этой операции необходимо воспользоваться подпунктом Ее!1 пункта Мевогу Соп1епв меню Реу1се. Загрузка и сохранение содержимого блоков памяти в файлах В моделируемый элемент памяти можно загрузить содержимое шестнадцатеричного файла.
Для загрузки содержимого файла в моделируемый кристалл памяти (вевогу сЫр) необходимо выполнить следующие действия. В меню Ренее надо выбрать пункт Мепюгу соп1еп1в, а в нем — подпункт 1оао Сопгепгв, в результате чего появится диалоговое окно Ве1ес1 Мепюгу С)пр, где, в списке Всап Н!егагспу необходимо выбрать уровень иерархии, на котором находится элемент памяти. Затем, в списке СЫр Яе!есаоп выбрать нужный элемент памяти, после чего надо нажать кнопку Ве!ес1. В результате появится диалоговое окно 1,оао Нех Е11е, в котором можно выбрать загружаемый файл.
Глава 7 Для загрузки содержимого файла в моделируемый блок памяти необходимо выполнить следующие действия: в меню Ренее выбрать пункт Мегпогу соп- 1епЬ, а в нем — подпункт хоай В1осй Соп1епЬ. В появившемся диалоговом окне Бе)ес1 шепюгу Ыосй, в списке В!осй Бе!есаоп надо выбрать наименование нужного блока, если он уже определен.
После того как выбран блок памяти, в который будет загружаться информация из файла, открывается диалоговое окно Еоай Нех Ейе. В нем можно выбрать имя файла, содержимое которого будет загружено в блок. Для того чтобы выполнить определение нового блока памяти, необходимо воспользоваться кнопкой Рейпе В!оск в диалоговом окне Бе)ес1 тешогу Ыоск. В результате появится диалоговое окно Рейпе Мешогу В!осй, в котором необходимо определить имя блока (Мепюгу Ыосй паве), количество слов, входящих в блок (й)пшЬег от погоа) и длину слова (Еепй1Ь оГ пего).
Если работа с этим окном завершается нажатием ОК, то открывается диалоговое окно Мешогу Сопййпга1ог — конфигурирование блока памяти. Для того чтобы сконфигурировать блок памяти, необходимо выполнить следующие действия: для выбора кристаллов памяти для данного блока — Бе1ес1, в результате чего появится диалоговое окно Бе!ес1 СЫра Гог шегпогу Ыоск, в котором можно сделать этот выбор. Выбранные кристаллы помещаются в список сЫрв 1ог спггеп1 Ыосй, расположенный в левой части диалогового окна.
Оттуда их можно перетаскивать в таблицу, которая соответствует блоку памяти. Она расположена в правой части диалогового окна (уже использованные кристаллы помечаются синим цветом). Кнопка Меч позволяет определить новый блок. Кнопка Н!егагсйу служит для отображения иерархии проекта. Просмотр и редактирование содержимого кристаллов и блоков памяти Для просмотра и редактирования содержимого кристаллов памяти и блоков памяти необходимо выбрать подпункт Ей(1 пункта Меп1огу соп1епЬ в меню Ренее. В результате, откроется диалоговое окно Бе1ес1 В!оскс/СЫр !ог еевогу Еп((ог, в котором можно выбрать блок или кристалл памяти, содержимое которого необходимо просмотреть или отредактировать.
После выбора объекта открывается диалоговое окно Мешогу Ей(1ог. Отображение содержимого памяти организовано в виде строк слов памяти. В левой части каждого ряда отображается адрес первого слова, входящего в этот ряд. Длина слова зависит от ширины окна Мепюгу ео11ог на экране Для того чтобы изменить значения слова памяти, надо дважды щелкнуть по нему мышью, затем ввести новое значение, после чего нажать клавишу Епгег. Кнопка РЬр!ау позволяет открыть диалоговое окно РЬр!ау Ориопа, в котором можно менять следующие настройки отображения памяти. Содержимое Проектирование СБИС на языке УНР!.
в среде Еоопт)а!!оп Ехртевв 485 памяти может отображаться в бинарном или шестнадцатеричном представлении (переключатель Мешогу: Ипату/Ьехайес(ша!); адреса памяти могут быть представлены в бинарном или шестнадцатеричном представлении (переключатель Адйгевв: Ипату/Ьехайес(ша!); отображение может осуществляться в виде обычного содержимого памяти или управляющих слов (команд) (переключатель !)Вр!ау: тепюгу соптепв/сов!го! погйв). Кнопка Хеп позволяет открыть новое окно редактора. Режимы моделирования В зависимости от стадии проектирования моделирование может осуществляться в различных режимах.
Возможны следующие режимы моделирования: С! Еппс((опа! — функциональное моделирование; при моделировании в этом режиме задержки распространения сигнала предполагаются равными О; О Т(ш!и(! — временное моделирование; при моделировании в этом режиме можно получить наиболее точные временные характеристики; (".! 6)асЬ вЂ” функциональное моделирование с регулируемой единичной задержкой (аазиесаь1е асье с!е1ау); 0 ()и(! — функциональное моделирование с елиничной задержкой, устанавливаемой по показателям изготовителя СВИС (гесессу-еес асье сзе1еу).
Если программа просмотра запускается с помощью кнопки диаграммы проекта, то тип моделирования определяется автоматически. Пользователь может также выбрать режим моделирования вручную, с помощью выпадающего списка, присутствующего в панели инструментов программы моделирования. Изменение режима моделирования мгновенно отражается на процессе моделирования схемы: фрагмент временной диаграммы, получаемый после изменения режима, формируется в соответствии с выбранным режимом, Фрагмент временной диаграммы, предшествующий изменению режима, модификации не подвергается.
Функциональное моделирование (г <лойола!) При функциональном моделировании изменение сигналов на входах схемы мгновенно отражается на ее выходах. Этот режим позволяет проанализировать работу схемы достаточно быстро и просто, но только в самом общем виде. Если значения с какого-либо выхода схемы поступают на вход этой же схемы, то возникают осцилляции.