Белов Л.А. Устройства формирования СВЧ-сигналов и их компоненты (2010) (1095867), страница 21
Текст из файла (страница 21)
б ., '! лБ), ь:и'ъл«-«": тернстиьу в орехе:ах ог 5 до 20 Г1ц с мощностью насьппсння ::,::: +Ь22дБМВ, КПД до 24%> при напряжении питания ' 5 В Дяя усилительных модулей поверхностного монтажа возмож'-: ности повышения выходной мощности ограннчнвакпся значением ; теплового сопротивления переход--подложка. В малошумящсй .модели Я М.2ОТ фирмы «Ягепяа (РгМ!3)» зто значение составляет ',, 250 'С Вт, а для модели БВИ-5089 этой же фирмы она снижена до :.::70 «С~Вт. Усилители серии НЕЕЛ фирмы «Мпц-С!гсш!ь» выполнены !';-"как двухтакгные с мостовой схемои с.юження мощностей, что обес.-::::::, печило номинальну!о выходную мощносгь до 1 Вт Усилительный ,;:;транзистор Я !э2083СУ. фирмы «Ягепха (ВРМ!3)» на полосу частот 0,3-- 2.7 ГГц выполнен по ) !ЭМОБ технологии в керамическом кор': пусе размером 2,! «1,1 мм, имеет чрезвычайно низкое тепловое сопротивление йг — 4 "С7Вт, коэффициент усиления ! 8 дБ, выходную мощность в линейном режиме до ! О Вт, встроенную защиту оз ' 'статического заряда до 500 В и отличается высоким КПД - — 47 "'о Среди усилителей повышенной мощности (табл.
2.!!) терлюком',:-!':; пенсированная микросхема СНА7010 фирмы «()паев Мюгова«е !-"::,: Зепйсопг)цс!ог» на полосу частот 8,4 !0,4 ГГц выполнена на под„.', ложке размером 4,7«4,4 мм. где размещены четыре транзистора пер :"',"::.кого каскада и восемь транзисторов второго каскада, выходная мош;-' .ность которых суммируется. он отличается высоким КПД -- около !;; 35%>.
Эта же фирма выпускав~ бескорпусную модель СНА5297 с 'к' высокой для диапазона миллиметровых волн (37- -40 ГГц) выходной мощностью Р„мгц в =- 28 дБмВз, которая использует трехкаскадную ,. схему на арсеиид-галлиевых РМ-НЕМТ-транзисторах, размещенных :, иа кристалле размером 4,1«2,6«0,05 мм: в первом каскаде использо,", -ван один транзистор, во втором — два и в третьем --- четыре с мосто', выми сумматорами. Предназначенный для С!эМА-перелаз чиков уси:,' лительный модуль БСОА-1960-43В обеспечивает линейное усиление 'и 60 дБ в полосе частот 1,86 — -1,99 ГГц с выходной мощностью 10 Вт при неравномерности амплитудно-частотной характеристики АЧХ ,":::;" "це более 30,5 дБ и уровне интермодуляционных искажении не более --70 дБ.
Усилительный модуль ББРЛ24.0-32.0-20 фирмы «Аег)!ег Соппп» обеспечивает в полосе частот 24 — 32 Г1 ц линейное уси ~ен ие 40 дБ с коэффициентом шума !0 лБ„Р, „, „,, составляет 20 Вт„)ро"::: вень высших гармоник менее -40 дБ, включение-выключение сиг:.... нала напряжением питания произво,.ится за 500 нс. . Усилитель мощности ()АРЕ65БС фирмы «Сеп!ейах» отличается -'.
!зскв!очи~ельпой шнрокополосностью (полоса частоз 0,04 — 65 Г и), мощность насыщения составляет 21 24 дБмВт, блокировочные ~« ~" )Е с ~ М „=. с « «« с Е. с « о с. с с~ с «« « « «с Е й « с. Я Е а а с Ы С) Р~ ,Б,о ~с, ~< «о ь О Е Е й С « с с « » ао =« з Е й Е Е с Е ~Е с со $Б $ Е Еб « Е с « ) Е ~ЕЕ > ~с 3 с с ~Е ~с «;с ~Е ~Е Е » 1 1Е,'3 — 1 ..—.1 ... '-(Е ~Е ~Е ~ ф (Е ~Е~~~ с ! ~о Е1 ~у-~ с.
с 1 2 а с « Е с ЕБ с с 8 М с ~- « « й Е" В Ф ,-' 8 с « « Е « й « с с Е СО ' « «« м » с с « 2'=, «л Е Е « г-Ф с С "М о « с с. '= 2 « Ш «Х й ":=-. .Е « «Е « с. ~ с ~Р « « 'с Е « с ~а с й 'с в« » О с. 3 х Я с й,Я с «с« с я $ Э 1$3 ЕИ Ж о У кьи выполню(ы 1ю (ттг«эллин РСРХ (Рльызс !л в !'1«с)непг) еХ(еп*: 1оп) с поло~ой п)хн1ускания до 40 МГц., он нмес1 вс1роенныи детекюр уровня выходной мощности с температурной стабилиза инеи и ультраплоское бескорпусное исполнение. Групповое запаздывание сип(ала в этом усилителе составляет т, - 35 + 3 пс для частот Г1З 5 --40 !Тц. При токе потребления 103 мА коэффициент шума не превышает 4 дБ.
Миниатюрный модуль ХР9003-МВ фирмы «Мцшх Вгоа(1Ьапдн (рис 2.42) размером 40х36 мм отличается высокой выхо.шой мощностью 30 Вт на частоте 1,6 ГГц при коэффициенте усиления 42 дБ и КПД 30оуо. В мо(иные усилители серии РВЕ)4 фирмы М1ТЕЯ встроены гармониковые фильтры, полавляющие вторую и третькз гармоники в выходном сигнале. Усилитель БРА!560! 6 фирмы «Раггап Тесйпо!ойу» имеет высокую мощность 1 Вт в полосе частот 55 — 65 ГГц. Модель НМС-АРН577 фирмы «Нйтпеи развивает большую для усилителей миллиметрового диапазона (частота 8! --83 ГГц) выходную мощность — — свыше ! Вт. Усилитель модели 4053-бС8515КВВ фирмы «Етрозое(тбз при усилении 56 дБ развивает выходную мощность Р„ы„)ав -- 500 Вт в линейном режиме на частоте 2,5 ГГц: в нем используются мостовые схемы сложения мощностей 16 каналов. Сверхмощные усилители КА%5080 фирмы «Лг-%от)ото!Ое» (1,5 кВт на част(не 1 ГГц) и МРКМ-!4500(Гс фирмы «Тпро!и( С!оЬа!а (500 Вт на частоте 14,5 ГГц) используют сложение мощное~и 8 — 16 транзисторных субблоков и снабжены развернутыми подсистемами управления, модуляции, расширения динамического диапазона — 20 0 0.5 1 1.5 2 2.5 А ГГп 6) Рис.
2.42. Внеговиа вна (а) н ампавтлаио-частогнан (6) таРакгеРнстнка зло(3) )сиаителн хР9003-а(В фирмы ем!го1о Вгоааьапд» (иа частоте 1620 хигп козффинвевт тснлевин Со =- 30 ' 0,5 лвз Р,„„1еа = 30 Вт в имнкаьсез Ео = 9 В( (о = 2,9 гц винное н выходное сопротивление оо 90 Ом( размеры евх36 мм) )28 '.,йинсйпосз и Мощпын выс1эколигп инь й;си ",и гель мил ьпметроноп: ' диапазона 4(П26О40А концерна БАТСОМ 1ес1шо!окраски (45 Вт пз :::Частоте 40 Г ц) испо" ьзует в выход:~ом каскаде сложение мощное ~ ей ;,Восьми арсенал-галлиевых транзисторов Усилитель на транзисторе ;,ХРТ25!00. выг|олне о по ОаН- е.
юлогшп при выходной щ 'ности ло 125 Вт имеет КПД 62 еь Среди российских мощных твердотельных усилителеи можно ':. отметить телевизионные передатчики СИГМА могцносгью до 1 кВт в :::дециметровом диапазоне длин волн, созданные специалистами -'отдела систем телевидения и радио Московского технпчссьшо уни;.верситета связи и информатики, 2.3.3. Широкополосные твердотельные усилители Рассмогрим примеры имеющихся на рынке моделей твердотель. .,ных широкополосных усилителей. Примеры таких усилите; еи прел- " ставлены в табл.
2.!2. Корпорация вМ1пйС1гсщьая представляет на рынке серию сдвоен-:::„:ных широкополосных согласованных усилителей для поверхност'":,ного монтажа МЕКА 533, МЕКА-556, МЕКА-7433„МЕКА-7456. :,:,Усилители предназначены для использования в двухтактных, сннфаз.ных или квалратурных каналах усиления в полосе частот до 4 ГГц с ',-':сопротивлением 50 Ом по входу и выходу, обеспечивают усиление 18 — 25 дБ в зависимости оз модели.
Разбалансировка каналов по :: амплитудам не более 0,3 дБ. по фазе не более 2'; коэффициент шума ;:-2,7---3,5 дБ. Они выполнены на основе арсенид-индиевых (!пбаРНВТ) 'кристаллов с высокой выходной мощностью (до з 19 дБмВт) и низ:::-кими нелинейными искажениями (уровень выходной мощности в '::точке!Р3 составляет Р,м„тдэ -- '36 дБмВт, КСВН по входу ! .2:1, по :::,выходу 1,4:!). Эти микросхемы потребляют ток 65- — 80 мА при ;: 'напряжении '-4.8 — — 4,9 В; имеют низкое тепловое сопротивление :,",'(около 130 'С(Вт): размещены в корпусах размером 3,25х3.25х0,9 или 4,9к6,0х0,9 мм с восемью выводами. Преобразующие сопротивления СШП усилители фирмы ибпепхая ."предназначены для обработки двухуровневых вилеоимпульсных сиг;::.'палов в сос1аве волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Для :.'модели БЕГ-0200 рабочая полоса частот составляет !!.5 ГГц, а лля .'перспективной модели БЕГ-9100 она увеличена до 45 ГГц (рис, 2 43).
,.Такие усилители отличаются высоким значением произведения коэф:фициента усиления на полосу. В качестве основных параметров для 'ннх используют коэффициент дифференциального усиления, измеря-:емый в децибелах на ом 1дБ Ом)„и минимальную входную мощ:,ность (чувствительность) Р,„,„. измеряемую в депибелах на мичли- 129 В~г~с Ы с ф~с Е ~~Д !~ЕО Е ~У)3 3 4 Е с Е -=, Ф~ '-; Р~с' с .а Е с О с У К с с:с с 2 с. с. о с с с г :с > с сс л с- $ с с ьс с О. = м Й С О.
Е х Й ' Е '-- , с с 'Ф сс с О '- з :с и '$- с ~г с с < Я с Ф с с а Ъ с с 'Е Ф с~ с. с с Ес с 3 с с с ~с Ю Е Е с. й.. с-- С с Эи о„. М с Е с ", .6. с О М «" Е Е :с И Л 2 с с Ф ОИ с с И Е *с з " *" Ы с' с. Е с ссс ЕЕ Я Е д й Е .С О.О -. Р = Е Осс ~ с ~- С 1ЗО 6О ЗШО)ОО Я=Ш1ОО 4О О 7 2 4 7 !О ЗО 40 у', ГГО .',~':;~:.$«04,2АЗ.
Частосные характеристики коэффиииента нсрехвчн К()) преобратхтои7нх ,:;авяротнввсиие тснтнтсвей фнриы «5~тепаи«(5РГ9)00 — !пр, Ео З.З В; 5РТО)00— *;,"='.00Аа,Ее =5 В; згт0200 — СаАа,Ее =5 В; зттй!00 6-В)ое,Е, =3,3 В) ,7!Затт (дБмВт). Серия БРТ выполняется в виде бескорпусной ,'-:Мкструкции из ОаАО, Б!Ое или 1пР на подложках размером ! к! мм В бескорпусном усилителе НМС397 на полосу частот до !О ГГц .'04)агодаря использованию Дарлингтонской пары ОаА57(пбаР бипо- .:4)тарных транзисторов НВТ понижена чувствительность к темпера,;::,.!!турным изменениям; он имеет только входной и выходной выводы и ::'-'436щнй электрод, может каскадироват-ься, поскольку рассчитан на ::., Вйпротивление 50 Ом по входу и выходу.