Фомин Н.Н., Буга Н.Н., Головин О.В. и др. Радиоприемные устройства. Под ред. Н.Н.Фомина (2007) (1095358), страница 43
Текст из файла (страница 43)
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 1. На основе каких систем можно реализовать амплитудный детектора 2. Поясните принцип действия синхронного ЛД. 3. Чему равно напряжение на диоде в лиоднолг АД без начального слгегцения? 4. Объясните принцип действия диолгюго ЛД с арсмешюй и спскгральцой точек зрения.
5. Чему равен и от каких паралгсгров зависит коэффициент передачи лиолного ЛД с линсйно-ломаной 1ЗАХ без начального смешения? б. Чему равно н от каких параметров зааисиг вхолное сопротивление диолного АД? Поясните механизм влияния на входное сопротивление диодпого АД сопротивления нагрузки 7. Каковы особснносэ и и обласп, применения параллельного лиодпого АД? 8. Нарисуйте диаграммы напряжения и тока диода при детектировании ЛМ колебаний лиолньгм АД с линейно-ломаной ВЛХ. 9 Какис искажения возникают при летектировании ЛМ колебаний и какие способы борьбы с ними'? 10. 11оясните пропесс установления напряжения на выхолс диодного легектора радиоим~ульсов и укажиге способ онспки искажений нролегекгированного импульса 11.
Пояснизе нриннип работы пикового лстсктора и укажитс, от каких ~гарамстров зависи г его коэффициент передачи 12. Каковы структурная с: сма и принцип действия АО? 13. Нарисуйте принципиальныс схемы и поясните принцип работы лиолных и транзисторных ЛО 14.
Каковы структурная схема и принцип действия ФД? 15. Нарисуйте принципиальную схему и поясните принцип лсйстаия однотактшэго лиолного ФД. 16. Рассмотрите принципиальную схему и поясните особенности баланспого лиодного ФД. 17. Нарисуйте структурную схему и с помощью диаграмм напряжений поясните принцип работы импульсного ФД 18. В каких устройствах осушествлясзся частотнос детектирование? 19. Укажитс особенности одно гакз ны . и бала~сныл ЧД. 20. Приведите прицципиалы<ые схемы и поясните принцип работы ЧД с преобразованием отклонения частоты в изменение амплитуды.
21. Каковы принципиалыия схема и принцип действия ЧД с олиночным контуром, преобразующим изменение частоты а изменение фазового сдвига? ГЛАВА 5 232 22. С помо(цью векторных диаграмм поясните прш(пип действия ЧД со связапными контурами. 23. Пврисуйтс структурную схему лшсктора с управляемой хар(ктсрпстикой и поясните принцип лействия. 24. Проведите и поясните классификаци(о АД. 25. Проведите и поясните кявссификацию ФД.
26. Проведитс и поясните классификаци(о ЧД 27 Какие разновидности цифровых детекторов Вы зцас(с? СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1 Вениаминов В.Н., Лебедев О.И., Мирошниченко А.И. Микросхемы и их применение. — Мл Ралио и связь, !989 — 239 с. 2 Горшков Б.И.
Элсыен(ы радиол(екгро(шых устройыв, — Мл Радио и связь. !989. — !77 с. 3 Калихмаи СХ.. Шехгмаи Б.И. Нифровая схсх(о(схш~ка в ралиовсшш ельцы; приемпиках. — Мл Ралио и связь. !982 — 104 с 4 Побережский Е.С. 11ифровыс рплиоприсмпыс устройства — М Радио и связь, 1987 — 184 с 5. Пифровые радиопрпемиые системы ! М.И. Жолшшскпй, Р.Б Мазепа, Е П Овсянников и др. ' 1!ол рсл М И. Жолзишско~о. — М ' Ралпо и связь. !990 — 208 с 6 Тяжсв Л.И. Выхолпь(с ус(ройс~ва пристп(иков с цифровой обрабогкой си(- (юлин — Самара.
Самарский упиверспгст, 1992 — 276 с 7. Пячкеиеико В.С Ус~роисгва прист(а и обработки сипалов, У (сбпое пособие '(ае ш ь 2 'Гамп|рог: Изл-во ТРТУ, 2000 — 128 с. 8 Левин Б Р. 1сорс~ичсскис основы статистической радиотехники. Книга 1.— Сов. Ралцо, 1969 — 752 с ГЛАВА 6 ГЕТЕРОДИННЫЙ ТРАКТ, РЕГУЛИРОВКИ И ИНДИКАЦИЯ В РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВАХ 6.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ В процессе изготовления и эксплуатации радиоприемника приходится регулировать ряд его показателей: частоту настройки, коэффициент усиления, полосу пропускания и др. В зависимости от вида регулируемого параметра различают: регулировку усиления, которая может осуществляться в трактах радиочастоты и проме>куточной частоты, а также в последетекторной части приемника; регулировку частоты настройки, обеспечивающую прием сигналов в широком диапазоне час~от; регулировку полосы пропускания, которая может производиться в трактах радиочастоты и проме>куточной частоты, а также в последетекторной части приемника.
Возможны регулировки и ряда других параметров. Регулировка бывает ручной и автоматической. Первая слум<ит для установки исходных показателей РПрУ, вторая поддер>кивает выбранные показатели на требуемом уровне. Некоторые виды рсгулировок можно отнести к смешанным. В современных РПрУ для регулировок, управления и контроля широко используют микропроцессоры. В ряде приемников предусматривается дистанционное управление.
6.2. РЕГУЛИРОВКА УСИЛЕНИЯ Резонансный коэффициент усиления одноконтурного усилителя радиосигналов определяется выражением (3.12). Регулировка К„может осуществляться изменением любой величины, входящей в это выражение. При синтезе устройств регулировки требуются существенная зависимость Кя от напряжения регулировки Е„,„, малый ток регулировки, малая зависимость других параметров усилителя от изменения Еь Рассматриваемые способы изменения усиления применимы как для ручных, так и для автоматических регулировок. ГЛАВА 6 234 ь р б> Рис. 64 Регулировка изменением крутизны. Такая регулировка осуществляется изменением режима УЭ, поэтому называется»еэ>сиплой. Для изменения крутизны ~У>,р] необходимо менять напря>кение смещения на управляющем электроде УЭ: напряжение с>сэр в БТ или ЕГзпр в ПТ.
Известно, что изл>ененне с>сэр вызывает сУщественное изменение крутизны в рабочей точке. При изменении напряжения смещения в ПТ меняется практически только крутизна, а в БТ еще и такие параметры, как 6„и 6„„. Регулирующее напря>кение Ер„подается в цепь эмиттера либо базы транзистора. Схема регулировки первого вида показана на рис. 6.1, а. напряжение смещения на транзисторе (/сэр=- сгр — Е,„,. По мере увеличения Ер,„напряжение Уьзр уменьшается, что влечет за собой уменьшение тока 1кр и крутизны, в результате чего коэффициент усиления К, снижается. Цепь регулировки должна обеспечить ток.
примерно равный Уэр. Если регулируются А> каскадов, то ток регулировки Ур„=сэр, поэтому цепь регулировки должна выраба~ыва~ь сравни~ельно большой ток Ур,„, что является нелостатком схемы рис. 6.1, а. От этого недостатка свободны цепи регулировки второго типа, в которых напряжение Ер„вводится в цепь базы 1рис. 6.1, о). Согласно рис. 6.1, б с>ьэ,— — ~4 — Е„„, поэтому принцип регулировки в оооих случаях одинаков.
Достоинство регулировки по схеме рис. 6.1, б состоит в том, что ток Тр„, равный току делителя Т,= (5...10) Тьр, во много раз меньше тока Ур„при ре~улировке по схеме рис. 6.1, а. Включение в цепь эмиттера резистора приводит к уменьшению эффективности регулировки, так как он обеспечивает стабилизацию режима не только при изменении температуры, но и при изменении Е„„.
При включении этого резистора для обеспечения той >ке глубины регулировки необходимо подавать большее значение напряжения Е „. Аналогично осуществляется режимная регулировка в усилителе на ПТ. Регулировка изменением эквивалентного сопротивления контура. Такая регулировка может осуществляться различными способами. На рис. 6.2 показана схема регулировки с подключен- Гетеродинный тракт, регулировки и индикация 235 к Ерн ным параллельно контуру диодом тгР.
При Е„„> У, диод закрыт и контур уо практически им не шунтируется; при н,к уэ этом Я, и К, наибольшие. При Е„„< Ук диод открывается и его входное сопротивление шунтирует контур. В этом случае А„а следовательно, и К, уменьшаются. Основной недостаток такого способа регулировки состоит в том, что при изменении Я, меняется не ~олько К„но и эквивалентное затухание контура, а это вызывает изменение полосы пропускания усилителя.
Тем не менее, при сильном сигнале допустимо некоторое ухудшение избирательности. Регулировка изменением коэффициентов включения. Принцип такого способа регулировки состоит в том, что напряжение с контура подается на некоторый делитель У,У>, изменяя одно из сопротивлений которого можно менять коэффициент включения и (см. рис. 3.6). Аналогична и схема для изменения т. В качестве сопротивлений 2, и Ъ можно использовать катушки с переменной индуктивностью, либо конденсаторы с переменной емкостью, однако этот способ регулировки практически не используют, так как он связан с трудно предотвратимой расстройкой контура, возникающей при изменении сопротивлений делителя. Аттенюаториая регулировка.
При таком способе регулировки между усилительными каскадами включают аттенюатор с переменным коэффициентом передачи. Используются регулируемые делители, емкостные делители на варикапах, мостовые схемы. Так, на рис. 6.3, а показана схема регулируемого аттенюатора на диодах Ъ'Р~ — 'т'Рз При ~ Ер„( (! сга~ диоды тгРл '>гР> открыты, а диод 'тгР> закрыт; при этом коэффициент передачи максимален. По мере увеличения Ерн динамические сопротивления диодов тгР~ 'и 'тгР увеличиваются, а динамическое сопротивление диода ЧР> уменьшается и, следовательно, уменьшается коэффициент передачи аттенюатора.
На рис. 6.3, б представлена схема делителя, в которой в качестве управляемого сопротивления применен ПТ: под действием Еяи меняется сопротивление канала транзистора. Широко используют аттенюаторы на р-г'-л-диодах, обладающих большим диапазоном изменения сопротивления и малой емкостью. На рис.
6.3, в показана схема аттенюатора на р-йл-диодах работой которых управляю~ изменением смещения на базе транзистора НТ, с помощью резистора Ер,т. При нулевом напряжении регулировки диоды Ъ'Р, и Ъ'Р> закрыты, а т'Р> открыт и затухание аттенюатора минимально. При максимальном напряжении регулировки диоды т>Р, и ЧР> открыты, а ЧР> закрыт и затухание аттенюатора максимально. ГЛЛВЛ 6 236 лг -[/„ л, -и„ З а[и 6> а[ Е Яра Рис. 6.3 Регулировка с помощью регулируемой ООС. Этот способ, как и аттенюаторная регулировка, не вь[текает непосредственно из выражения (3.! 2).
Типовая схема изменения К, регулируемой ООС показана на рис. 6.4; ООС в этом случае вводится в цепь эмитгера транзистора. В усилительных каскадах параллельно [[„ обычно включают конденсатор С, большой емкости для ус~ранения ООС. В схеме, показанной на рис. 6.4, глубину ООС можно регулировать изменением емкости конденсатора Ср„, блокировочный конденсатор Сс„служит для разделения по постоянному току цепей регулировки и питания транзистора. В качестве С„„ обычно используется варикап >[)Э. С увеличением Е„,„ диод >[О закрывается сильнее, его емСр кость С„„уменьшается, напряжение — 1 ООС увеличивается, коэффициент Ри усиления Кр уменьшается.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
