Автореферат (1091553), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Методом механической эксфолиации получены кристаллитыMoS2 и с помощью предложенной методики оптического контроляпроизведена их оценка пригодности для дальнейшего примененияв качестве основного элемента экспериментального образца фотоприемного устройства.б. Разработан программный алгоритм, позволяющий совмещатькоординатные сетки разных приборов для осуществления всехэтапов производства устройства.в. Создан дизайн электродов и контактных площадок иосуществлена сборка экспериментального фото-приемногоустройства.г. Проведеноисследованиевольтамперныххарактеристиксозданного устройства и установлено, что на длине волныизлучения 532нм его фоточувствительность составляет1,3 мА / Вт .4.
Разработана оригинальная неразрушающая методика диагностикиобъёмных параметров доменных структур ниобата лития.а. Проведены экспериментальные исследования оптических свойствмикродоменных структур ниобата лития, созданных приразличных параметрах электронного пучка. Определеныоптимальные параметры ускоряющего напряжения ( U = 15кВ ) идозы облучения( D 4000 А × с / мкм 2 ) электронного пучка, при=котором происходит создание упорядоченных протяженныходнородных доменных решеток в заданной конфигурации.б. На основе теоретического анализа показана возможность оценкитолщины доменных структур при помощи нелинейно-оптическоймикроскопии.в. Экспериментально подтверждена корреляция разработаннойтеоретической модели и экспериментальных результатов,полученных с помощью методики селективного химическоготравления.Список публикаций по тематике диссертации:1.Kudryavtsev A.
V, Lavrov S.D., Shestakova A.P., Kulyuk L.L.,Mishina E.D. Second harmonic generation in nanoscale films of transition metaldichalcogenide: Accounting for multipath interference // AIP Adv. 2016. Vol. 6, №9. P. 95306.2.Лавров С.Д., Кудрявцев А.В., Шестакова А.П., Кулю Л., МишинаЕ.Д. Генерация второй гармоники в наноразмерных пленках дихалькогенидовпереходных металлов: учет многолучевой интерференции // Оптика испектроскопия.
2016. Т. 120, № 5. С. 860–866.183.Лавров С.Д. Экспериментальное исследование и расчетэффективности генерации второй оптической гармоники в доменныхструктурах ниобата лития // РТЖ. 2016. Т. 4, С. 11-20.4.Kokhanchik L.S., Gainutdinov R. V., Lavrov S.D., Mishina E.D., VolkT.R. E-Beam Recording of Domain Structures on the Nonpolar Surface of LiNbO 3Crystals at Different SEM Voltages and Their Investigation by PFM and SHGMicroscopy // Ferroelectrics. 2015.
Vol. 480, № 1. P. 49–57.5.Kokhanchik L.S., Gainutdinov R. V., Lavrov S.D., Volk T.R.Characteristics of microdomains and microdomain patterns recorded by electronbeam irradiation on Y-cut LiNbO3 crystals // J. Appl. Phys. 2015. Vol. 118, № 7. P.72001.6.Mishina E., Sherstyuk N., Lavrov S., Sigov A., Mitioglu A., Anghel S.,Kulyuk L. Observation of two polytypes of MoS2 ultrathin layers studied by secondharmonic generation microscopy and photoluminescence // Appl.
Phys. Lett. 2015.Vol. 106, № 13. P. 131901.7.Sherstyuk N.E., Mishina E.D., Lavrov S.D., Buryakov a. M.,Marchenkova M. a., Elshin a. S., Sigov a. S. Optical Second Harmonic GenerationMicroscopy for Ferroic Materials // Ferroelectrics. 2015. Vol. 477, № 1. P. 29–46.8.Шестакова А.П., Лавров С.Д., Мишина. Е.Д. Микроскопия второйоптической гармоники в исследовании политипов наноразмерных по толщинеслоевmos2//ФундаментальныеПроблемыРадиоэлектронногоПриборостроения. 2015. Т. 1. С.
107–109.9.Мишина Е.Д., Шерстюк Н.Э., Шестакова А.П., Лавров С.Д., СеминС.В. Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слояхдихалькогенидов переходных металлов // Физика и техника полупроводников.2015. Т. 49, № 6. С. 810–816.10. Kokhanchik L.S., Gainutdinov R. V., Mishina E.D., Lavrov S.D., VolkT.R. Characterization of electron-beam recorded microdomain patterns on thenonpolar surface of LiNbO3 crystal by nondestructive methods // Appl. Phys. Lett.2014. Vol.
105, № 14. P. 142901.11. Лавров С.Д., Шестакова А.П., Мишина Е.Д., Волк Т.Р., КоханчикЛ.С. Трехмерная микроскопия второй оптической гармоники полярныхдоменныхструктурLiNbO3//ФундаментальныеПроблемыРадиоэлектронного Приборостроения. 2014. Т. 1. С. 17–20.Список цитируемой литературы:1.Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S. V, et al. Electric field effectin atomically thin carbon films.
American Association for the Advancement ofScience, 2004. Vol. 306, № 5696.192.Splendiani A., Sun L., Zhang Y., et al. Emerging Photoluminescence inMonolayer MoS 2 // Nano Lett. 2010. Vol. 10, № 4. P. 1271–1275.3.Mak K.F., Lee C., Hone J., et al. Atomically thin MoS2: A new directgap semiconductor // Phys. Rev. Lett. American Physical Society, 2010. Vol. 105,№ 13.
P. 2–5.4.Schmidt H., Giustiniano F., Eda G., et al. Electronic transport propertiesof transition metal dichalcogenide field-effect devices: surface and interface effects// Chem. Soc. Rev. The Royal Society of Chemistry, 2015. Vol. 44, № 21. P. 7715–7736.5.Duan X., Wang C., Pan A., et al. Two-dimensional transition metaldichalcogenides as atomically thin semiconductors: opportunities and challenges //Chem. Soc. Rev. 2015.
Vol. 44, № 24. P. 8859–8876.6.Bhimanapati G.R., Lin Z., Meunier V., et al. Recent Advances in TwoDimensional Materials beyond Graphene. // ACS Nano. 2015. Vol. 9, № 12. P.11509–11539.7.Lv R., Terrones H., Elías A.L., et al. Two-dimensional transition metaldichalcogenides: Clusters, ribbons, sheets and more // Nano Today. 2015. Vol.
10,№ 5. P. 559–592.8.Mak K.F., Shan J. Photonics and optoelectronics of 2D semiconductortransition metal dichalcogenides // Nat. Photonics. 2016. Vol. 10, № 4. P. 216–226.9.Zhao W., Ribeiro R.M., Eda G. Electronic structure and opticalsignatures of semiconducting transition metal dichalcogenide nanosheets // Acc.Chem.
Res. 2015. Vol. 48, № 1. P. 91–99.10. Myers L.E., Eckardt R.C., Fejer M.M., et al. Quasi-Phase-MatchedOptical Parametric Oscillators in Bulk Periodically Poled Linbo3 // J Opt Soc AmB. 1995. Vol. 12, № 11. P. 2102–2116.11. Wooten E.L., Kissa K.M., Yi-Yan a., et al. A review of lithium niobatemodulators for fiber-optic\ncommunications systems // IEEE J. Sel. Top. QuantumElectron. 2000. Vol. 6, № 1. P. 69–82.12. Lucchi F., Janner D., Belmonte M., et al. Very low voltage single drivedomain inverted LiNbO(3) integrated electro-optic modulator. // Opt.
Express. 2007.Vol. 15, № 17. P. 10739–10743.13. Yin X., Ye Z., Chenet D.A., et al. Edge nonlinear optics on a MoS₂atomic monolayer. // Science. 2014. Vol. 344, № 6183. P. 488–490.14. Hsu W.-T.T., Zhao Z.-A.A., Li L.-J.J., et al. Second harmonicgeneration from artificially stacked transition metal dichalcogenide twisted bilayers// ACS Nano. 2014. Vol. 8, № 3. P. 2951–2958.2015. Yin Z., Li H., Li H., et al. Single-layer MoS 2 phototransistors // ACSNano. American Chemical Society, 2012. Vol. 6, № 1. P.
74–80.16. Lopez-Sanchez O., Lembke D., Kayci M., et al. Ultrasensitivephotodetectors based on monolayer MoS2 // Nat. Nanotechnol. 2013. Vol. 8, № 7.P. 497–501.17. Zhang W., Huang J.-K., Chen C.-H., et al. High-Gain PhototransistorsBased on a CVD MoS 2 Monolayer // Adv. Mater. 2013. Vol. 25, № 25. P. 3456–3461.21.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
