Автореферат (1091439), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Показано, что в сверхрешетке (YFeO3)n/(LaFeO3)n с нечетным числомn наблюдается максимальная величина нелинейно-оптического отклика.Теоретически показано, что этот эффект связан с полярностью структуры ипроисходит за счет максимальной нескомпенсированности интерфейсногозаряда, приходящегося на один монослой; причем, с уменьшением вкладаинтерфейсов и увеличением числа n этот вклад уменьшается.в. Материалы данной работы свидетельствуют, что эффектпереключения магнитной компоненты ГВГ магнитным полем имеет резко21резонансный характер: максимум наблюдался при энергии фотонов ВГ 2,83эВ(отнесен нами к электро-дипольному переходу, запрещенному воднофотонном поглощении).
Несмотря на то, что напрямую магнитнаякомпонента не должна зависеть от числа n слоев в паре, максимальный эффектнаблюдается также, как и для полярной компоненты, в структуре с однойпарой монослоев (YFeO3)1/(LaFeO3)1. Таким образом, косвенно показаноналичие связи между дипольной и магнитной компонентами, то естьмагнитоэлектрическое взаимодействие.3. Созданы и исследованы эпитаксиально напряженные полупроводниковыепленки LT-GaAs с дельта-легированием кремнием и мультислойныеструктуры i-LT-GaAs/n-GaAs, выращенные на подложках GaAs скристаллографическим срезом (100) и (111)А.а. Показано, что плёнки i-LT-GaAs/n-GaAs на подложках GaAs (100) и(111)А генерируют ТГц излучение при облучении их фемтосекунднымиимпульсами лазера с длиной волны 800 нм.
Интенсивность ТГц излучения отплёнки i-LT-GaAs/n-GaAs на несингулярной подложке GaAs (111)A в 5,8 разабольше, чем от аналогичной плёнки i-LT-GaAs/n-GaAs на сингулярнойподложке GaAs (100).б. Интенсивность ТГц-излучения от монокристаллических подложекGaAs с кристаллографическими срезами (100) и (111)А незначительна и имеетвеличину, меньшую на порядок по сравнению с ТГц-излучением отмультислойных структур.
Сравнение разных ТГц-сигналов от подложекпоказывает, что сигнал от подложки с кристаллографическим срезом (111)А в3 раза интенсивнее, чем от подложки с кристаллографическим срезом (100).в. Кроме того, из-за эпитаксиальных напряжений кристаллическойструктуры плёнок LT-GaAs, возникающих при использовании несингулярнойподложки GaAs(111)А для эпитаксиального роста плёнок, плёнки i-LT-GaAs/nGaAs на подложках GaAs(111)А проявляют лучшие генераторные свойства, посравнению с плёнками i-LT-GaAs/n-GaAs на подложках GaAs(100).г.
Усиление ФПА достигает значений 14 и 12 для антенн на подложке(100) и (111)А, соответственно. ФПА на подложке (100) за счет эффектаэкранирования выходит в режим насыщения при периоде решетки 100нм, чегоне происходит с ФПА на подложке (111)А. На ФПА (111)А наблюдаетсялинейная зависимость. Чувствительность ФПА на подложке скристаллографическим срезом (111)А в 3,1 раза выше, чем у аналогичнойФПА(100).РассчитанныеспектрыинтенсивностиТГц-излученияпродемонстрировали 5-кратное и 3-кратное выходное увеличениечувствительности относительно ZnTe в диапазоне частот 0,1-3 ТГц.
Для ФПАGaAs(100) и GaAs(111)А наблюдается темновой ток ~ 16 нА и 6 нА,соответственно, при приложении поля до 20 В.22Список публикаций по тематике диссертации в журналах изперечня ВАК:1. A.M. Buryakov, M.S. Ivanov, E.D. Mishina. Tunable enhancement offerroelectric properties in BaxSr1−xTiO3/La0.7Sr0.3MgO3 heterostructures observed bymeans of second harmonic generation technique // Solid State Communications. 2015. - V. 206.
- P. 51–55.2. М.С. Иванов, А.М. Буряков, В.Г. Морозов, Е.Д. Мишина, А.С. Сигов,Транспортные свойства сегнетоэлектрического туннельного перехода вбислойных структурах сегнетоэлектрик/манганит. // Физика твердого тела. 2014. -Т.56, №6, - С.
1100-1105,3. A.M. Buryakov, N.E. Sherstyuk, E.D. Mishina, S.D. Lavrov, M.A.Marchenkova, A.S.Elshin, A.S. Sigov. Optical Second Harmonic GenerationMicroscopy for Ferroic Materials // Ferroelectrics. - 2015. - V.477, № 1. - P. 29–46.4. A.M. Buryakov, M.S.
Ivanov, E.D. Mishina, V.T. Moshnyaga.Electrophysical investigation of the ferroelectric conductivity in BTO/LCMOmultilayers // Progress In Electromagnetics Research Symposium Proceedings,Moscow, Russia, - 2012. - С. 1103-1106.5. A.M. Buryakov, E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, A.S. Sigov, T. Rasing.Nonlinear-optical study of magnetoelectric interactions in multilayer structures //Ferroelectrics. - 2016. - V. 500, № 1. - P.
37–46.6. A.M. Buryakov, K.A. Kuznetsov, G.K. Kitaeva, S.P. Kovalev, S.A.Germansky, A.N. Tuchak, A.N. Penin. Complex extraordinary dielectric function ofMg-doped lithium niobate crystals at terahertz frequencies // Appl. Phys. B. - 2016.- V. 122, № 8. - P. 223.7. А.М. Буряков, Г.Б. Галиев С.С. Пушкарёв, В.Р. Билык, Е.Д. Мишина,Е.А. Климов, И.С. Васильевский, П.П. Мальцев. Генерация и детектированиетерагерцового излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленкахGaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А // Физика и техникаполупроводников. – 2017. - Т. 51, № 4. С. 503–508.8.
A.M. Buryakov, D.I. Khusyainov, C. Dekeyser, E.D. Mishina, G.B. Galiev,E.A. Klimov, S.S. Pushkarev, A.N. Klochkov. Ultrafast carrier dynamics in LTGaAs doped with Si delta layers // Int. J. Mod. Phys. B. - 2017. - V. 31. - P. 1750195.9. А.М. Буряков, В.Р. Билык, Е.Д. Мишина, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов,П.П. Мальцев, С.С. Пушкарёв. Генерация терагерцового излучениянизкотемпературными мультислойными эпитаксиальными пленками i-LTGaAs/n-GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. Нано- имикросистемная техника.
– 2017 - Т.19, №2. - С. 77-84.Прочие публикации:1. А.М. Буряков, М.С. Иванов, Е.Д. Мишина, В.Г. Морозов.Исследование гетероструктуры сегнетоэлектрик/манганит методом генерациивторойоптическойгармоники//Фундаментальныепроблемырадиоэлектронного приборостроения. - 2010. - Т. 10, № 1-1. - С.
48-51.232. А.М. Буряков, Е.Д. Мишина. Генерация второй оптической гармоники//воксидныхмногослойныхгетероструктурахYFeO3/LaFeO3Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. - 2014. Т.14, №1. - С.73–76.3. А.М. Буряков, Д.И. Хусяинов, Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, А.Н.Клочков. Сверхбыстрые процессы в мультислойных полупроводниках наоснове GaAs // Фундаментальные проблемы радиоэлектронногоприборостроения. - 2015.
- Т. 15, № 3. - С. 106-109.4. А.М. Буряков. Генерация второй оптической гармоники вцентросимметричномантиферромагнетикеLaFeO3//Российскийтехнологический журнал. - 2017. - Т.5, № 2. - С. 22–31.Список цитируемой литературы:1.2.3.4.5.6.7.8.9.Zubko P., Gariglio S., Gabay M., Ghosez P., Triscone J.-M. Interface Physicsin Complex Oxide Heterostructures // Annual Review of Condensed MatterPhysics.
2011. Vol. 2, № 1. P. 141–165.Haeni J.H., Irvin P., Chang W., Uecker R., Reiche P., Li Y.L., Choudhury S.,Tian W., Hawley M.E., Craigo B., Tagantsev A.K., Pan X.Q., Streiffer S.K.,Chen L.Q., Kirchoefer S.W., Levy J., Schlom D.G. Room-temperatureferroelectricity in strained SrTiO3 // Nature. 2004. Vol. 430, № 7001.
P. 758–761.Schlom D.G., Chen L.-Q., Eom C.-B., Rabe K.M., Streiffer S.K., Triscone J.M. Strain Tuning of Ferroelectric Thin Films // Annu. Rev. Mater. Res. 2007.Vol. 37. P. 589–626.Hwang H.Y., Iwasa Y., Kawasaki M., Keimer B., Nagaosa N., Tokura Y.Emergent phenomena at oxide interfaces // Nat. Mater. 2012. Vol. 11, № 2. P.103–113.Sluka T., Tagantsev A.K., Bednyakov P., Setter N.
Free-electron gas atchargeddomainwallsininsulatingBaTiO3//Nat.Commun.2013.Vol.4.P. 1808.Alaria J., Borisov P., Dyer M.S., Manning T.D., Lepadatu S., Cain M.G.,Mishina E.D., Sherstyuk N.E., Ilyin N.A., Hadermann J., Lederman D.,Claridge J.B., Rosseinsky M.J. Engineered spatial inversion symmetrybreaking in an oxide heterostructure built from isosymmetric roomtemperature magnetically ordered components // Chem. Sci.
2014. Vol. 5,№ 4. P. 1599.Kamo Y., Kitazawa S., Ohshima S., Hosoda Y. Highly efficientphotoconductive antennas using optimum low-temperature-grown GaAslayers and Si substrates // Jpn. J. Appl. Phys. 2014. Vol. 53, № 3. P. 32201.Baudry L., Lukyanchuk I., Vinokur V.M. Ferroelectric symmetry-protectedmultibit memory cell // Sci.
Rep. 2017. Vol. 7. P. 42196.Yang F., Zhou Y.C., Tang M.H., Liu F., Ma Y., Zheng X.J., Zhao W.F., XuH.Y., Sun Z.H. Eight-logic memory cell based on multiferroic junctions // J.Phys. D. Appl. Phys. 2009. Vol. 42, № 7. P. 72004.2410.11.12.13.14.15.16.17.18.19.Lin Y.-H., Faber H., Labram J.G., Stratakis E., Sygellou L., Kymakis E.,Hastas N.A., Li R., Zhao K., Amassian A., Treat N.D., McLachlan M.,Anthopoulos T.D.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
