Заключение организа (1091428), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Научная новизна результатов, изложенных в диссертации В работе получен ряд новых научных результатов, основные из которых выносятся на защиту: 1. Методиками структурного анализа исследована серия тонкопленочных структур Ва~„1Бгп.«1Т)Оз(ВБТ)/1.во7Бг»эМпОз(?.БМО) в зависимости от концентрации Ва и толщины сегн сто электрического слоя. Обнаружена возможность управления эпнтаксиальными напряжениями путем изменения концентрации Ва в сегнетоэлектрнческой пленке. 2.
Методом генерации второй оптической гармоники показано возникновение сегнетоэлектрнчества в серии эпитаксиально напряженных пленок, а также возможность управления формой сегнетоэлектрической петли, что представляет интерес для использования этих структур в электро-оптических модуляторах и конденсаторах.
3, Методом генерации второй оптической гармоники показано понижение симметрии за счет эпнтакснальных напряжений в сверхрешетках УРеОзгаРеОз (УРО„Л РО„)„, (и — число монослоев в каждой паре, т — число пар слоев). Экспериментально подтвержден методом ГВГ рассчитанный теоретически вклад сегнетоэлектрической поляризации сверхрешетки в зависимости от числа и путем вычисления значений компонент тензоров нелинейно восприимчивости. Продемонстрировано наличие связи между дипольной и магнитной компонентами, в сверхрешетки ((ЪТеОз) Д(.ареОз)1)аь что может свидетельствовать о магнитоэлектрическом взаимодействии. 4. Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения впервые показано влияние интерфейсных напряжений полупроводниковых пленок, возникающих при использовании несингулярной подложки ОаАз(111)Л, на увеличение эффективности генерации и детектирования ТГц излучения фотопроводящими антеннами.
Практическая и научнаи значимость работы Практическая значимость представленной работы состоит в развитии методик управления функциональными свойствами тонких сегпето электрических пленок, сверхрешеток и полупроводниковых структур тонкопленочных эпитаксиальных структур.
Результаты работы могут быть использованы при разработке материалов с наличием интерфейсных напряженнй для фотопроводящих терагерцевых антенн, конденсаторов, электра-оптических модуляторов. Результаты исследования сверхрешеток с магнитоэлектрическим взаимодействием представляют интерес для создания новых и совершенствования традиционных приборов микро- и наноэлектроники. Результаты работы были использованы при выполнении проектов Министерства образования и науки РФ, в том числе в рамках государственного задания вузу за 2014-2016 гг, постановления Правительства РФ от 9 апреля 2010 г. №220. Результаты диссертации могут быть доведены до рынка в форме научно-технической продукции.
Кроме того, результаты исследований могуг быть использованы при разработке: - фундаментальных основ технологии создания новых (нано)материалов для микроэлектроники и функционирования устройств на их основе; - неразрушающих методик диагностики наноматериалов; методик изготовления эп итаке иальных слоев сегнетоэлектри чески х/ мультиферроидных материалов„тонких пленок и структур на их основе; Ценность научных работ соискателя ученой степени Диссертация представляет собой законченный научный труд, который вносит весомый вклад в развитие направления инженерии эпитаксиальных напрязкений.
Особую ценность представляет проведенная экспериментальная работа по изучению абсолютно новых эпитаксиально напряженных пленок. Результаты исследований могут быть использованы при разработке фундаментальных основ технологии создания новых (нано)материалов с заранее заданнымн свойствами для микроэлектроники и функционирования устройств на их основе, а также неразрушающих методик диагностики н ином атери ало в. Полученные практические результаты могут быть использованы для разработки методик и технологических маршрутов изготовления устройств микро- и оптоэлектроники, а также устройств терагерцевого диапазона (детекторов и сканеров) для распознавания объектов, представляющих собой (или сопутствующих) техногенные, биогенные и природные угрозы.
Соответствие диссертации требованиям, установленным пД4 «Положения о присуждении ученых степеней» Диссертация А.М. Бурякова прошла проверку на наличие неправомерных заимствований в системе «Антиплагиат ВУЗ», в результате которой выявлено, гго диссертация содержит 96'.4 оригинального текста, Специальность, которой соответствует диссертация Диссертационная работа А.М.
Бур»ко»а соответствует специальности; 05.27.0! «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» (согласно пункту 1 паспорта специальности). Полнота изложения материалов диссертации в работах, опубликованных соискателем ученой степени Основное содержание диссертации достаточно полно отражено в 13 опубликованных научных работах, включающих 9 статей в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 4 публикации в других рецензируемых изданиях. Статьи в журналах из перечня ВАК: 1.
А.М. Вигуа1ъоъ, М.Я. !ъапоь, Е.!3. М!зЫпа, У.Т. МозЬпуайа. Е1есггорЬуз!са1 парез!!8аг!оп оГ гЬе !еггюе1есггк сонг!пег!игу ш ВТО/1.СМО пш1й!ауегз // Ргойгезз !п Е!есггошайпег!сз КезеагсЬ Бушроз!шп, - 2012. - С, 1103-1106. !ЖеЬ оГ Бс!енсе, Ясороз) 2. А.М. Впгуа1кж, М.Я. 1ъапоь, У.б. Могохоь, Е.13. М!зЫпа, А.Б.
Б!8оъ. Тгапзрог! ргорегг!ез оГ а Геггое1есп)с шипе! !ипсйоп ш Ы1ауег !сггое1сс~пс/шапйаш!е з!гас!пгез // РЬуз. Яо1Ы ага!с. 2014. Уо1. 56„№ 6. Р. 1144-1 149, (%еЬ оТ Яс!енсе, Бсороз) 3. А,М. Впгуа1соъ, Х.Е. БЬегзгу~й, Е.!3. М!зЫпа, Я.!3, !.паж, М.А. МагсЬеп!гоъа, А.Б.Е1зЫп, А.Б. Бййоь. Орйса! Бесово Наппошс бепегайоп М!сгозсору Гог Гегго!с Магег!а!з // Реггое1ес!г!сз, 2015.
ъ/о1. 477, № 1. Р. 29-46. (ФеЬ оТ Зс!енсе, Бсорпз) 4. А.М. Вигуа1юъ, М.Б. 1ъ апоь, Е.0. М!зЫпа. ТппаЫе епЬапсетеп! оТТеггое!есгг!с ргорегг!ез ш Ва„Бгг-яТ!Оъ/ЬаОлЯгазМ80ь Ье!егозггасгпгез оЬзегъед Ьу шеапз оГ зесопг1 Ьаппошс 8епегайоп гесЬпк1ие // Яо1и! Бгаге Сошпшп. 2015. Уо1. 206. Р.
51 — 55. !ЖеЬ оГ Бс!енсе, Бсорпз) 5. А.М. Впгуайоь, Е,!3. М!зЫпа, Ь),Е. БЬегзгуп!с, А.Б, Б!8оъ, Т. Каз!п8. !ъ!оп!!пеагорйса! зшс1у оГ шайпегое!есгпс !пгегасйопз ш гпн101ауег зггпсшгез // Реггое1ес!г!сз, 2016. Уо1. 500, № 1, Р. 37 — 46. (%еЬ оГ Яс!енсе. Ясона) 6, А.М. Вигуа1иж, К.А. Китегзоь, б,К. К!!аеъа, Б.Р. Коъа!еъ, Б.А. бсгшапз1гу, А.!ъ1, ТисЬ|1ь, АЖ Решп. Сошр!ех ехггаоп!!лагу г1!е!есгг!с Гйпсйоп оГ М8-ъ!орег! 1!гЬ!пт шоЬаге сгузга1з аг гегаЬеггх !гепиепс!ез // Арр!.
РЬуз. В. 2016. Чо1, 122, № 8, Р. 223. (%еЬ оГ Яс!енсе, Бсориз) 7. А.М, Вигуа1гоь, О.В. ба1!еъ', Я.Я, Рпз1йагеъ„У.К. В!1у!г, Е.!3. М!зЫпа, Е.А. К!!шоъ, 1.Б. Чаз!1еъй!1, Р,Р. Ма!!за. ТегаЬегтх-гаг1!апоп 8епегагюп апд г1егесйоп ш 1оъъгешрегаГиге-8гоъъп баАз ерйах!а1 В1шз оп баАз !100) апс! !111)А зиЬзгхагез // Беписопопсгогз. 2017. Чо1.
51, № 4. Р. 503-508. (%еЬ оГ Яс!спсе, Ясорпз) 8, А.М. Впгуа1соъ, 13,!. КЬпзуа!поъ, С. Ве1ъеузег, Е.!3, М!зЫпа, б.В. ба1!еъ, Е.А. К1нпоь, Б.Я. Риз1йагеь, А.)ъ!. К1ос1йоъ. П!тамаз! сагпег оупагп!сз ш 1.Т-баАз г!орег! М!Ь Б! де!га 1ауегз // 1пп 3. Мод. РЬуз. В. 2017. Уо1. 31.
Р. 1750195. (ЖеЬ оГЯс!енсе, Ясорпз) 9. А.М, Буряков, В.Р. Билык„Е.Д. Мишина, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев, С.С. Пушкарев. Генерация терагерцового излучения низкотемпературными мультислойными эпитаксиальными пленками 1-! Т-баЛз/п-баАз на подложках баАз с ориентациями (100) и !111)А. НМСТ, с 77-84, т.19, №2, 2017. Прочие публикации; 1.
А.М. Буряков, М.С. Иванов, Е,Д. Мишина, В.Г. Морозов. Исследование гетероструктуры сегнетоэлектрик/манганит методом генерации второй оптической гармоники П Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. 'Г. 10. № 1-1. С. 4б-51, 2. А.М. Буряков, ЕД. Мишина.
Генерация второй оптической гармоники в оксндных многослойных гетероструктурах УреОзй.аГеОз д Фундаментальные Проблемы Радиоэлектронного Приборостроения, 2014. У, 14, № 1. Р. 73 — 76. 3. А.М. Буряков, Д.И, Хусяинов„Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, А.Н. Клочков. Сверхбыстрые процессы в мультислойных полупроводниках на основе баАз 0 Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2015, Т. 15. № 3. С. 106-109, 4. А.М, Буряков. Генерация второй оптической гармоники в цснтросимметричном антиферромагнетике 1.ареОз Ч Российский технологический журнал.
2017. Ъ'о1. 5, № 2. Р. 22-31, П е се атель ак емик РАН А.С. Сигов: Поступило предложение одобрить результаты диссертационной работы А.М, Бурякова, рекомендовать работу к защите и принять соответствующее заключение, Результаты голосования: За-19 чел. Против - нет. Воздержавшихся - нет. Кафедра наноэлектроники постановила: Диссертационная работа Бурякова Арсения Михайловича отвечает требованиям п.р Положения ВАК РФ «О присуждении ученых степеней», предъивляемым к кандидатским диссертациям, так как является научно-квалпфцкацпонной работой, в которой содержится решение научной задачи, имевшей значение для развитии соответствузощей отрасли знаний.— созданы и исследованы механические напряжения па границах раздела в тонкопленочных энитаксиальных структурах (бпслойных, мультнслойных структур нли сверхрешеток), исследовано влияния этих напряжений на функциональные свойства (спонтанной поляризацяей, магнитоэлектрическнм взаимодействпем и т.д,) и использование исследованных напряженных структур при создании устройств микро- н наноэлектроннкп нового поколения, Рекомендовать днсеертацпоцнузо работу Бурякова Арсения Михайловича на тему «Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультиелойных структур на основе сложных оксидов н полупроводников 1ц пх цсцользование) прн создании устройств микро- н наноэлектроники» к защите на соиекапне ученой степени кандидата фцзнко-математических наук по специальности 65.27,01 - «Твердотельная злектроника, раднозлектронные компоненты, микро- и нано-злектроника, приборы на квантовых эффектах», пункт паспорта специальности №1, в диссертационном Совете Д 212.131.62.
.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
