Диссертация (1091174), страница 17
Текст из файла (страница 17)
Патент наполезную модель № 118071, зарегистрирован в ГРПМ РФ 11.04.2012.93. Бурдин Д. А., Серов В. Н., Фетисов Ю. К., Фетисов Л. Ю., Экономов Н.А., Чашин Д.В. Датчик переменного магнитного поля. Патент на полезнуюмодель № 136189, зарегистрирован в ГРПМ РФ 27.12.201312694. Бурдин Д.А., Серов В.Н., Фетисов Ю.К., Фетисов Л.Ю., Экономов Н.А.,Чашин Д В. Датчик магнитного поля.
Патент на полезную модель №138040, зарегистрирован в ГРПМ РФ 05.02.2014.95. Бурдин Д.А., Фетисов Ю.К., Экономов Н.А., Чашин Д.В. Датчикмагнитного поля. Патент на полезную модель № 153528, зарегистрирован вГРПМ РФ 18.12.2014.96. Hall effect sensing and application, in "Sensing and Control", Honeywell Inc.,P. 1-100.97. Freitas P.P., Ferreira R., Cardoso S., Cardoso F. Magnetoresistive sensors // J.Phys. Cond. Matter. 2007.
V. 19. P. 165221.98. Ripka P., Advances in fluxgate sensors // Sensors and Actuators A: Physical.2003. V. 106. P. 8-14.127.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
