Отзыв оппонента 2 (1090266), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Для оценок пиковой амплитуды фототока в гетероструктурах на основе CoiPt(cTp.l72) предполагается, что ток локализован в интерфейсной области поряДка 0,5НМ.Между тем, по данным измерений коэффициента отражения рентгеновских луrеЙ(стр.lба) шероховатость границы между слоями платины и кобальта составляет 1 нм, таКчто оценки пиковой амплитуды фототока (-1 ГЫм2) представляются завышенными.6.

К сожалению, автору не удалось избежать целого ряда оrrечаток и неточностеЙ.Так, на стр.56 использован неудачныЙ термин (изоляционные материалы), подписиКосям на рис.6 (стр.63) приведены символами греческого алфавита, а на стр. 82 и |47вместо стандартньrх обозначений кед. СГСМ> используются сокрапIения (эмеD.Нарис.23химические формулы соедиЕений на панелях б) и в) не соответствуют обозначенияМ,приведенным в подписи к рисунку.

На стр.144 (рис.41а и формула 26) для одного и тогожепараN,Iетра использ}.ютсятри обозначения (l, d и L), на стр.152 ошибочно указанассьшка на рис.6а вместо рис.44а.Сделанные замечанияне снижают общей высокой положительноЙ оценкидиссертационной работы А.В. Кимеля. Совокупность результатов по разработке методовконтроля магнитньIх явлений в соединениях на оснОвефемтосекундногооптическогоредкоземельныхи переходньD( металловэкспериментальногоизучения сверхбыстройи практическойспиновойреализациидинамикиметодикдJШв конденсированньIхсредах позволяет квалифицировать работу А.В.

Кимеля как крiпное научное достиженИев области фундаментальньIх основ оптоэлектроники, спинц)оники и магноники.,ЩиссертаЦпя <ФоюШryцироваНнiшсредах)обладаеТ вЕ)ц)еЕнейсверхбыстрiШ спиновrUI ДиНаI'fИКа в магнитньгХцелостНостью,выполнена IIа высокомна)лномуровне,отвечаеТ паспоргУ специilльностИ 05.2,7.0I кТвердотельнzш электроника,радиоэлектронные компоЕеЕты, микро- и наноэлектроника, приборы на KBaHToBbD(эффектах> И удовлетворяеТ всеМ требованиям, предъявJUIемым к докторскимдиссертаЦиям согласно пп. 9-14 <ПоЛожения о порядке присуждения ученых степеней>>,утвержденного Пост.lновлением Правительства РФ от 24 сентябр я 2013 года за J\Ъ 842.Автор диссертационной работы-Кимель Алексей Вольдемарович-несомненнозаслуживает присуждения ему 1^rеной степени доктора физико-математических наук поспециальНости 05.27.01 - ТвердотеЛьншI элеКтроника, радиоэлектронные компоненты,микро- и наноэлектроникц приборы на квантовьтх эффектах.Официальный оппонентЗаведующий лабораториейнизких температур ИОФ РАН, Глушков Владимир Витаrrьевич,доктор физико-математическихнаук, доцент3"чJ-06.т2.2017Федеральное государственное бюджетное учреждение наукиИнституг общей физики им.

А.М.Прохорова Российской академии наук (иоФ рдн),119991, Москва, ГСП-1, ул.Вавилова, д.38телефон: +7(499)503-825Зфакс:e-mail:+7(499)135-8|29glushkov@lt.gpi.ruПодпись В.В.ГлушковаУченый секретарь ИС.Н.АндреевF/.Еа, чouY,.Y*.'ýtp.

Характеристики

Список файлов диссертации