05.27.01 и 05.27.06 (1089836)
Текст из файла
Федеральное Государственное бюджетное образовательное учреждение Высшето образованна нМОекояекий технолоГичеекий уняяереитет>> ПрОГрамйа Вступите зьнОГО зкзавиеиа Уровень высн~еГО образования ПодГотОВка кадров Выстией кВялификяции Нанрацленце подготовки 11.06.01 кЭлектроника, радиотехника и системы евязйь Иаправленность ~научная спеыиальность) 05.27.01 «Хвердотельнаи электроника, радиоэлектронные компоненты, ГЯИКр- и наноэлектроника, приборы на квантовых зффектатэ~ и 05.27,06 «'1'ехйологии и оборудование дли пропзводетва полуйроводйиков, ~1ятериялов й ирйборов злектроййой теиййкй» Полупроводниковая электроника.
Первые эффекты на полупроводниках: о~рицательный температурный Коэффициент, эфф~кт выпрямления, эффекты Зеебека и Пельтье, фотопроводимость. Роль отечественных ученых в развитии геории полупроводников и полупроводниковой электроники. Электронные полупроводники, 1 ерманий и кремний. Кристаллическая структура, криста:пографические плоскости и Оси. Дефекты кристаллической решетки. Методы очистки, выращивания монокристаллов и легирования.
Полупроводниковые двойные и тройные соединения. Соединения "германий- кремниЙ". З,Электропроводность полупроводников. Генерация и рекомбинации. До~ор~ н акцепторы. Основные и неосновньге носи~ели ~~д~ижного заряда. Диффузия и дрейф носителей заряда. Основные параметры: ширина запрещенной 30ны, подВижность и коэффициент диффузии, Время жизни и диффузионная длина. Зонная диаграмма. Двухдолинные полупроводники. Электронно-дырочный переход в термодинамическом равновесии, при прямом и обратном включении.
Зонная диаграмма, Область объегмного заряда при изменении величины и знака напряжения на переходе, Поверхностные эффекты. Виды пробоя. Вольтамперная характеристика перехода. Ток насыщения. Диоды и их разновидности. Выпрямительные диоды, СВЧ - детекторы, фотодиоды, варикапы, стабилитроны, туннельные диоды, ла- винно-пролетные диоды, диоды с барьером Шотки, диоды Ганна.
Основные функции и области применения, Ьиполярнь~Й транзистор в термодинамическом равновесии и при подаче напряжений на эмитгер и коллектор. Зонная диаграмма. Четыре вида токов через переходы. Попягия коэффициента инжекции, коэффициента переноса заряда в базе с учетом рекомбинации, коэффициента передачи тока от эмитгера к коллектору.
Усиление по току. Модель реального транзистора. Сопротивление базы и емкость коллектора. Проблема "частота - мощность". Частотные ограничения и оттеснение тока эмиттера к периферии. Отвод тепла. Структуры "металл - диэлектрик - полупроводник" ~МДП) и МДП- транз~сторы. Границ~ раздела диэлектрик-полу проводник: поверхностные состОЯниЯ на границе раздела, фиксироВанный и подВижный зарЯды. Метод вольт-фарадных характеристик: квазистатический и высокочастотный методы, оценка качества границы раздела. Индуцированный и встроенный каналы- нормально отпертые и нормально запертые транзисторы в качестве ключей.
Основные вентили - функции булевой алгебры, КМОП - транзисторы. Степень легирования области канала. подвижность и пролетное время. Частотные ограничения, Приборы с зарядовой связью, Гетеропереходы и транзисторы с гетеропереходами: биполярные транзисторы с широкозонным эмиттером и "су преинжекциеи'" и полевые ~МДП) транзисторы с каналом в области двумерного электронного газа - ДЭГ- транзисторы с модулированной проводимостью канала или НЕМТ - Н1ф Е1естгоп МОИйу Тгапв1йог - транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале.
Интегральная электроника. Пути развития, современное состояние и перс~~~тивы. Ф~~т~ры, стимулирующие постоянный рост степени интеграции: быстродействие, надежность, экономика. Системы автоматизированного проектирования - САПР. Иерархические уровни проектирования. Использование при проектировании "стандартных элементов". Верификация.
Система тестов. Отставание темпов проектирования от темпов роста степени интеграции. Базовые матри ~ные кристаллы ~БМК) и вентильные матрицы (ВМ) как средство ускорения темпов проектирования. Число уровней разводки и процент используемых вентилей. Закон Вейбула и закон Пуассона. Понятие о производственной и эксплуатационной надежности. Основные тенденции развития микроэлектронного производства. Перспективные планы развития микроэлектроники. Взаимное влияние экономики и производства изделий микроэлектронной техники.
Тенденции развития заводов по производству ИС. Критические процессы технологического цикла производства ИС. Проблемы уменьшения размеров транзисторных элементов. Повышение подвижности носителей заряда в канале. Уменьшение эквивалентной толщины оксида подзатворного диэлектрика. Диэлектрики с высокой диэлектрической про ницаемостью. Планарная технология и ее элементы — технологические процессы; эпитаксия, диффузия и ионная имплантация, нанесение изолирующих и проводящих пленок, фотолитография. Рост кристаллов и подготовка подложек: выращивание кристаллов по методу Чохральского, технология механической обработки полупроводников, технология химической очистки поверхности полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные процессы: эпитаксия из газовой фазы, молеку- лярнолучевая эпитаксия, КНС ~кремний на сапфире)-технология, КНИ (кремний на изоляторе)-технология.
Систематизация и технологические основы процессов окисления и нанесения защитных покрытий:механизм роста и кинетика окисления, методы окисления и оборудование. свойства окисных пленок, граница раздела окиселкремний. Метод химического осаждения из газовой фазы ~ХОГФ). Механизмы формирования тонких пленок методом ХОГФ. Основные задачи методов осаждения: рост сверхтонких слоев, снижение температурного бюджета, осаждение на рельефы с высоким аспектным соотношением. Основные типы реакторов.
Кинетика процесса осаждения. Режим ограничения массопереноса, контроль химической реакции на поверхности. Процессы ХОГФ пленок диоксида кремния. Процессы ХОГФ пленок нитрида и оксинитрида кремния, Осаждение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью. Процессы ХОГФ слоев с низкой диэлектрической проницаемостью. Многоуровневые системы металлизации ИС. Основные тенденции развития. Переход к медным проводникам, Уменьшение диэлектрической проницаемости изолирующего диэлектрика. Процесс заполнения металлического рельефа диэлектриком. Основные виды процессов легирования: диффузия, ионная имплантация, комбинированные способы легиравания, Процессы литографирования технологических слоев: процесс литографии, оптическая литография, фотарезисты, другие методы литографии, состояние и персп~ктиВы разВития технолоГии литоГрафии. Процессы травления: физико-химические основы плазменной обработки, методы плазменного травления, факторы, определяющие скорость и селективность травления„процессы сухого травления в технологии СБИС.
Методы осаждения атомарных слоев. Механизмы роста. Области применения. перспективы и тенденции развитияМетоды химического осаждения из раствОрОВ. Основные конструкции и сборочные операции В производстве изделий электронной техники. Заводы по производству ИС 1фабы). Обшие принципы функционирования линий по производству ИС, Чистые комнаты и оборудование. Кластерные технологические системы. Процент выхода годных. Вопросы качества изделий полупроводниковой электроники. Важнейшие показатели качества: технические характеристики, надежность и экономические показатели. Надежность: основные определения.
Интенсивность Отказов и нараоотка на отказ. Безотказность и долговечность. Проалемы "износа" элементов интегральных схем при высоких уровнях интеграции. Срок службы как интервал Времени (а "наступления нредельнага состояния" износа Категории ' испытаний: классификационные, приема-сдаточные, периодические и определительные. Испытания стопроцентные и выборочные. Определение объемов выборки.
Риск изготовителя и риск потребителя, Основные экономические показатели: процент выхода годных, себестоимость и ее состав„зависимость себестоимости ат объемов производства. Трудоемкость групповых 1на пластине) и индивидуальных ~сборка, ГерметизациЯ, финишный контроль1 технолоГических процессоВ изГатоВлениЯ ИС. Пять фаз в цикле существования изделия на рынке. Микроэлектрамеханические системы. Принципы канст1эуирОВания и технОлоГии, Наноэлектроника. Содержание, состояние и перспективы развития и испол зования Основная литерач~ ра 1. Киреев П.С, Физика полупроводников, М. Высшая школа, 1975.- 584 с. Ансельм А.И. Введение В теорию полупроводников, М, Наука, 1978, - 616 с. 3. С.ЗИ.
Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ. - М.:Мир, 1984.-456 с, 4. Технология СВИС: В 2-х кн. Пер. с англ.,~Под ред. С.Зи.-М.: Мир, 1986.-404 с. 5. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп.-М.: Мир, 1988.-320 с. 6. Автоматизация технологического оборудования микроэлектроники/ Под ред. А.А.Сазонова,-М.; Высш. шк., 1991.-334 с. 7, Таруи Я, Основы технологии СБИС: Пер. с япон.-М.:Радио и связь, 1985.-480 с. 8.
Моро У, Микролитография: В 2-х ч.: Пер. с англ,- М.: Мир, 1990.- 605 с. 9, Курносов Л.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.-М.: Высш. шк., 1986. - 386 с, 10. Материалы и методы нанотехнологии; учебное пособие, 2 изд. // Старостин В.В. - Бином, 2010. - 277 с. 11, НапйЬоо1. о1 Бел|«сопйисюг Мапи1асшг«п8 Тесйпо1ойу НапйЬооЕ о«' Беписопйцс|от Мапср«асп|г1п8 Тес)|по1ойу '' ед. Ьу Уоз1|ю %вЬ|, КоЬег| Ваег11пд.- Магсе1 Ве1йег. 2000.
12. Металлизацня ультрабольших интегральных схем: учебное пособие // Громов Д. Г. Мочалов А. И., Сулимин А. Д.„Шевяков В. И. - Бином, 2009.- 277 с. 13. Основы наноэлектроники // В, П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В, Л. Грндчин, изд. НГТУ, Новосибирск, 2004. 14. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС// Г, Я. Красников, Н, А. Зайцев, 'Гехносфера, 2003. 15. Наноструктурные материалы // Р. А. Андриевский, А.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
