Прогр. KTO, ч.1 (1084779), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

снятия накрутки. Обзор оборудования для монтажа накруткой.

2.3. Лазерная технология. Принципы функционирования и типы технологических лазеров. Управление излучением лазера. Техноло­гическое использование лазерных энергий: лазерная сварка, рез­ка, термообработка и легирование, сверление отверстий.

2.4. Ультразвук в технологии производства СВТ. Физические эффекты при ультразвуковой обработке. Акустические потоки, ра­диационное давление, кавитация. Типы излучателей УЗ для техно­логического применения.

Ультразвуковая очистка поверхностей электронных изделий: виды загрязнений и составы моющих сред. Режимы УЗ-облучения при очистке деталей приборов, электронных узлов и блоков. Понятие о размерной обработке с использованием ультразвука.

2.5. Химические и электрохимические технологические проце­ссы. Понятия об окислительно-восстановительных реакциях на по­верхностях, особенности металлизации непроводящих поверхностей (диэлектриков). Понятия о химической и электрохимической метал­лизации диэлектриков. Типовые техпроцессы металлизации.

2.6. Контактные покрытия. Металлопокрытия для катодной и анодной защиты металлоконструкций. Принципы выбора металлопок­рытий при конструировании средств ВТ.

1 , гл.10, 12, с.95-109, 119-131;

2 , с.19-38, 52-61, 87-92, 152-181, 319-352.

Методические указания

В процессе изучения этой темы студент знакомится с основны­ми видами технологических процессов, широко используемых при производстве СВТ: термических и термохимических, химических и электрохимических, процессов лазерной и ультразвуковой техноло­гии; областями применения, целесообразности и эффективности их использования. Студент должен уметь отличать эти базовые техно­логические процессы друг от друга и иметь представление об осо­бенностях их применения. При изучении этого раздела необходимо уделить вопросам технологии непаянных (разъемных и неразъемных)

соединений, учета значения переходного электрического сопротив­ления, используемых в непаянных соединениях материалов провод­ников, соединительных элементов и металлических покрытий.

Вопросы для самопроверки

1. Назовите основные виды термических и термохимических технологических процессов.

2. Дайте определение понятиям "адгезия", "адсорбция".

3. Какие типы припоев и паяльных флюсов вы знаете?

4. В чем сущность пайки волной припоя, где она применяется?

5. Для чего предназначены инфракрасная и импульсная пайка?

6. Каково назначение проводящих клеев и паст?

7. Что такое "монтажная микросварка" и каковы особенности ее применения?

8. Какую роль играют металлические покрытия в непаянных соединениях?

9. Кратко изложите принципы функционирования технологичес­ких лазеров.

10. В каких технологических процессах может использоваться лазерная энергия?

11. В чем суть и каково назначение ультразвуковой очистки поверхностей электронных изделий? Виды загрязнений.

12. Назовите типовые технологические процессы металлизации диэлектриков.

3. Основы технологии деталей и сборочных единиц несущих конструкций ЭВМ

3.1. Основные методы формообразования деталей ЭВМ с приме­нением литья. Характеристика отливок, производительность и эко­номичность методов, применяемое оборудование и оснастка.

3.2. Штамповка и разновидности процессов. Основные разде­лительные и формообразующие операции. Требования к материалу и конструкции деталей, получаемых штамповкой. Характеристики точности, производительности и экономичности видов штамповки.

3.3. Методы формообразования поверхностей резанием. Общая

характеристика технологических возможностей методов. Автомати­зированная обработка деталей с использованием оборудования с ЧПУ. Характеристика точности и качества поверхности в зависи­мости от используемых материалов.

3.4. Особенности технологии изготовления деталей из пласт­масс. Общие сведения о пластмассах как конструкционных и элект­ротехнических материалах. Методы получения деталей из пластмасс: прямое и литьевое прессование, литье под давлением. Сущность каждого способа, технологические требования к конструкции дета­ли, характеристики точности, производительности и экономичности. Технология изготовления слоистых пластиков.

3.5. Прогрессивные электрофизические и физико-химические методы обработки деталей ЭВМ. Специфика явлений и основные обла-

сти технологического применения. Электроэрозионная, плазменная,

ультразвуковая, электронно- и ионно-лучевая, лазерная обработка.

Технологические возможности, оборудование, области применения. (размерная обработка, пайка, сварка, подгонка и т.д.). Методы

электрохимической обработки.

1 , гл.9, 10, с.82-109;

7 , с. 60-65, 104-110, 132-135, 146-152; 9 , с. 40-42

Методические указания

Этот раздел курса предусматривает изучение прогрессивных методов получения заготовок, формообразования деталей (литье, штамповка, прессование и литье пластмасс, обработка резанием, электрофизические методы обработки), их основных конструктивно­технологических возможностей.

Необходимо усвоить и уметь сопоставлять преимущества и не­достатки различных технологических процессов, научиться выби­рать при заданной конструкции, точностных данных, серийности производства оптимальный технологический вариант.

Вопросы для самопроверки

1. Назовите методы формообразования, применяемые в произ-

водстве ЭВМ.

2. Сопоставьте различные способы подучения отливок деталей ЭВМ по трудоемкости, экономичности и качеству поверхности.

3. Дайте характеристику разновидностям процессов штамповки, используемым в производстве ЭВМ.

4. Кратко укажите особенности выполнения токарной, фрезер­ной и сверлильной обработки материалов.

5. Приведите классификацию пластмасс и краткую характерис­тику каждого вида. Укажите, в производстве каких деталей ЭВМ они применяются.

6. Изложите содержание процессов изготовления деталей ЭВМ из термореактивных пластмасс и термопластов.

7. Дайте определение и краткую технологическую характери­стику электроэрозионной, ультразвуковой, электронно-лучевой об­работке, применительно к конструкции ЭВМ.

8. В чем сущность лазерной, плазменной и электрохимической обработки материалов?

4. Основы технологии микросхем, микросборок и многокристальных модулей

Конструкторско-технологическая классификация интегральных микросхем и микросборок: полупроводниковые, гибридно-пленочные (тонко- и толстопленочные), совмещенные. Элементы и компоненты интегральных микросхем и микросборок, степень интеграции. Боль­шие и сверхбольшие интегральные схемы (БИС и СБИС), микропро­цессоры. Многокристальные модули (МКМ) как функциональные узлы (устройства) на бескорпусных БИС и СБИС. Основные принципы ин­тегральной технологии.

4.1. Технология производства полупроводниковых интеграль­ных микросхем (ИС). Типовая схема ТП изготовления ИС. Типовые ТП формирования структур ИС (эпитаксия, диффузия, окисление, фотолитография, травление, металлизация), оборудование, режимы. Технология изготовления фотошаблонов. Перспективные методы ле­гирования и получения рисунка элементов ИС (ионная имплантация, электронолитография, рентгенолотография). Особенности изготов­ления БИС, СБИС и микропроцессоров.

.2. Технология изготовления гибридных ИС, БИС и микро­сборок. Методы получения тонких и толстых пленок, классификация,

сущность процессов, материалы, оборудование. Методы формирова­ния рисунка элементов пленочных интегральных микросхем.

4.3. Особенности технологии изготовления многокристальных модулей. Корпуса МКМ. Разнообразие конструкций и технологий.

Конструкционные материалы подложек: керамика, полиимид, кремний, их характеристика и свойства. Слойность подложек и основные параметры. Пооперационный контроль и автоматизация технологи­ческих процессов. Методы контроля межсоединений.

4.4. Технология сборки и герметизации микросхем. Операции, предшествующие сборке (зондовый контроль, скрайбирование подло­жек). Корпуса микросхем и способы крепления кристаллов и подло­жек. Присоединение выводов. Методы герметизации. Контроль и ис­пытание микросхем.

4.5. Технология сборки и герметизации МКМ. Точность и спо­собы позиционирования и установки кристаллов. Методы монтажа кристаллов и присоединения выводов. Гибкие ленточные носители внешних выводов, особенности технологии и монтажа. Особенности крепления и фиксации кристаллов на подложке. Технологические аспекты обеспечения ремонтопригодности конструкций МКМ (замена кристалла, внесение схемных изменений, восстановление герметич­ности). Клеевые составы и области их применения. Особенности технологии герметизации конструкций МКМ и методы ее обеспечения.

Методы контроля качества герметизации. Контроль и испытание МКМ.

1 , гл.17,18,20-24, с.207-222, 238-345;

2 , с. 19-30, 36-38, 52-61, 71-75, 79-82, 87-92, 114-118,

152-162, 169-181, 205-208, 297-300, 319-352, 361-370; 3 , гл.1,2, с.3-52; 5 , гл.6,7,8,9, с.161-257; 6 , с.3-24; 11 , с.66-89.

Методические указания

При изучении настоящего раздела следует четко представлять типовой технологический маршрут изготовления микросхем разного типа. Главное внимание должно быть уделено принципиальным воп-

росам производства, изучению типовых процессов, а не частным

технологическим рецептам и режимам, которые могут быть весьма

разнообразны или могут меняться по мере совершенствования про­изводства микросхем. Следует ясно представлять физико-химичес­кие явления, лежащие в основе типовых технологических процессов.

Данный раздел отражает также новые направления в области технологии изготовления, монтажа и контроля качества средств ВТ,

использующих бескорпусные БИС и СБИС. Поэтому при изучении дан­ного раздела должно быть уделено должное внимание методам изго­товления корпусов и многоуровневых подложек МКМ, технологии монтажа кристаллов БИС на подложки, технологическим аспектам герметизации МКМ и обеспечения их ремонтопригодности. Следует обратить внимание на решение таких технологических проблем как: усадка материала в многослойных керамических подложках, адгезия в полиимидно-керамических, контроль межсоединений в кремниевых. Студент должен четко представлять себе разницу в методах изго­товления подложек МКМ и их перспективности, в характеристике параметров межсоединений подложек, обеспечиваемых технологией, в особенностях монтажа кристаллов и способах герметизации МКМ.

Вопросы для самопроверки

1. Назовите основные этапы изготовления интегральных полу­проводниковых микросхем (ИС).

2. Назовите основные этапы изготовления интегральных гиб­ридных микросхем (тонкопленочных и толстопленочных).

3. Приведите схему ТП изготовления БИС и дайте характерис­тику отдельным операциям.

4. Назовите материалы, применяемые для изготовления прово­дящих, резистивных и диэлектрических паст.

5. Какие технологические операции относятся к сборке мик­росхем и в чем состоят их особенности?

6. Назовите основные технологические методы изготовления подложек МКМ.

7. Опишите технологический процесс изготовления кремниевой подложки МКМ. В чем разница этой технологии от технологии БИС?

8. В чем заключаются технологические особенности изготов-

ления полиимидно-керамических подложек МКМ?

9. Назовите проводящие и диэлектрические материалы, приме­няемые при изготовлении подложек МКМ.

10. В чем заключается особенность технологии сборки МКМ и как обеспечивается точность позиционирования кристаллов?

11. Дайте краткую характеристику типовым ТП, применяемым при монтаже кристаллов и сборке МКМ.

12. Приведите схему ТП внесения схемных изменений и замены 1-2 кристаллов БИС в конструкции кремниевого МКМ.

13. Перечислите методы обеспечения герметичности конструк­ций МКМ. В чем суть контроля качества герметизации?

5. Основы технологии печатного электромонтажа

5.1. Назначение и преимущества печатного электромонтажа. Основные термины и определения. Классификация конструкций печа­тных плат (ПП): по слойности, плотности электромонтажа, классу точности. Конструкционные (базовые) материалы печатных плат, их характеристики и свойства. Металлические, электроизоляционные и маркировочные покрытия на ПП. Содержание КД на печатные платы.

5.2. Классификация технологий ПП на основе субтрактивных и аддитивных методов и их комбинаций. Схемы базовых технологий (маршрутных процессов) односторонних, двусторонних и многослой­ных печатных плат (МПП).

5.3. Особенности технологий изготовления МПП со сквозной металлизацией, с межслойными парными переходами и послойным на­ращиванием слоев. Особенности использования лазерной техники при изготовлении прецизионных МПП.

5.4. Методики и средства автоматизации электрического кон­троля ПП и системы межсоединений в печатных платах. Особеннос­ти оформления КД с учетом технологических ограничений. Струк­тура технических условий на печатные платы.

1 , гл.14, с.147-184; 4 , с.6-23, 30-40, 50-60, 110-127;

8 , гл.1,3,4,5,6, с.8-16, 58-146;

Характеристики

Список файлов книги