Задачи с теста №3 (1072725)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Вариант 1.1 Тест №3

Сравнить погрешности δ размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: диодным на постоянном токе и с автономным источником ионов.

Вариант 1.2 Тест №3

Сравнить погрешности δ размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: диодным ВЧ и с автономным источником ионов.

Вариант 1.3 Тест №3

Сравнить погрешности δ размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: магнетронным и с автономным источником ионов.

Вариант 1.4 Тест №3

Сравнить погрешности δ размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: диодным на постоянном токе и магнетронным.

Вариант 1.5 Тест №3

Сравнить погрешности δ размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: диодным ВЧ и магнетронным.

Вариант 1.6 Тест №3

Сравнить погрешности δ размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: диодным на постоянном токе и диодным ВЧ.

Вариант 2.1 Тест №3

Рассчитать расстояние r между электродами при ИПТ диодным ВЧ методом, при котором атомы распыляемого материала начнут возвращаться на обрабатываемую подложку.

Вариант 2.2 Тест №3

Рассчитать расстояние r между электродами при ИПТ диодным на постоянном токе методом, при котором атомы распыляемого материала начнут возвращаться на обрабатываемую подложку.

Вариант 2.3 Тест №3

Рассчитать расстояние r между электродами при ИПТ трехэлектродным методом, при котором атомы распыляемого материала начнут возвращаться на обрабатываемую подложку.

Вариант 2.4 Тест №3

Рассчитать расстояние r между электродами при ИПТ магнетронным методом, при котором атомы распыляемого материала начнут возвращаться на обрабатываемую подложку.

Вариант 3.1 Тест №3

Рассчитать погрешность ионного травления слоя Re толщиной 1,0 мкм через маску из Al₂O₃ в установке диодного ВЧ типа и подобрать оптимальную толщину маски.

Вариант 3.2 Тест №3

Рассчитать погрешность ионного травления слоя W толщиной 1,2 мкм через маску из С в установке диодного на постоянном токе типа и подобрать оптимальную толщину маски.

Вариант 3.3 Тест №3

Рассчитать погрешность ионного травления слоя Ta толщиной 0,8 мкм через маску из SiO₂ в установке трехэлектродного типа и подобрать оптимальную толщину маски.

Вариант 3.4 Тест №3

Рассчитать погрешность ионного травления слоя Ni толщиной 0,6 мкм через маску из SiO в установке с автономным источником ионов и подобрать оптимальную толщину маски.

Вариант 3.5 Тест №3

Рассчитать погрешность ионного травления слоя Cu толщиной 1,4 мкм через маску из Al₂O₃ в установке магнетронного типа и подобрать оптимальную толщину маски.

Вариант 4.1 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя Si толщиной 1,0 мкм диодным на постоянном токе методом с фторсодержащим рабочим газом.

Вариант 4.2 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя SiO₂ толщиной 1,2 мкм диодным ВЧ методом с хлорсодержащим рабочим газом.

Вариант 4.3 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя Si₃N₄ толщиной 1,4 мкм трехэлектродным методом с фторсодержащим рабочим газом.

Вариант 4.4 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя SiO толщиной 0,6 мкм методом с автономным источником ионов с хлорсодержащим рабочим газом.

Вариант 4.5 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя Si₃N₄ толщиной 1,0 мкм магнетронным методом с фторсодержащим рабочим газом.

Вариант 4.6 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя SiO₂ толщиной 1,5 мкм магнетронным методом с хлорсодержащим рабочим газом.

Вариант 4.7 Тест №3

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя SiO толщиной 0,5 мкм трехэлектродным методом с хлорсодержащим рабочим газом.

Вариант 5.1 Тест №3

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 200 мм в установке ионной имплантации при скорости ионов B, равной 1,1^.10⁶ м/с.

Вариант 5.2 Тест №3

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 150 мм в установке ионной имплантации при скорости ионов P, равной 1,2^.10⁶ м/с.

Вариант 5.3 Тест №3

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 100 мм в установке ионной имплантации при скорости ионов As, равной 1,0^.10⁶ м/с.

Вариант 5.4 Тест №3

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 200 мм в установке ионной имплантации при скорости ионов Sb, равной 8^.10⁵ м/с.

Вариант 5.5 Тест №3

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 150 мм в установке ионной имплантации при скорости ионов B, равной 5^.10⁵ м/с.

Вариант 5.6 Тест №3

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 100 мм в установке ионной имплантации при скорости ионов Sb, равной 1,2^.10⁶ м/с.

Вариант 6.1 Тест №3

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов и сканирование пучка с энергией 50 кэВ по пластине диаметром 150 мм.

Вариант 6.2 Тест №3

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов и сканирование пучка с энергией 150 кэВ по пластине диаметром 100 мм.

Вариант 6.3 Тест №3

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов и сканирование пучка с энергией 250 кэВ по пластине диаметром 200 мм.

Вариант 6.4 Тест №3

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов и сканирование пучка с энергией 500 кэВ по пластине диаметром 150 мм.

Вариант 6.5 Тест №3

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов и сканирование пучка с энергией 750 кэВ по пластине диаметром 100 мм.

Вариант 6.6 Тест №3

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов и сканирование пучка с энергией 450 кэВ по пластине диаметром 200 мм.

Вариант 7.1 Тест №3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой однозарядные ионы B с энергией 300 кэВ имеют радиус траектории 0,5 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 0,2 м.

Вариант 7.2 Тест №3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой 2-х зарядные ионы P с энергией 500 кэВ имеют радиус траектории 0,6 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 0,25 м.

Вариант 7.4 Тест №3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой 3-х зарядные ионы As с энергией 800 кэВ имеют радиус траектории 0,75 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 0,3 м.

Вариант 7.5 Тест №3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой однозарядные ионы Sb с энергией 350 кэВ имеют радиус траектории 0,8 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 0,1 м.

Вариант 7.6 Тест №3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой 2-х зарядные ионы B с энергией 450 кэВ имеют радиус траектории 0,9 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 0,3 м.

Вариант 7.7 Тест №3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой 3-х зарядные ионы P с энергией 750 кэВ имеют радиус траектории 1,2 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 0,1 м.

Характеристики

Тип файла документ

Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.

Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.

Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.

Список файлов ответов (шпаргалок)