Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок (1051257), страница 135
Текст из файла (страница 135)
'Втот процесс с практической'точки зрения представляет особый интерес для технологии изготовления интегральных схем.. !б, ОБЩЕЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ О МЕТОДАХ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК После рассмотрения различных химических методов получения тонких пленок можно составить обзорную таблицу характериртик обсужденных методов. Их преимущества и недостатки перечислены в табл. 6. Для сравнения в таблицу включены также методы вакуумного испарения и ионного распыления. Сама по себе приведенная таблица еще ие дает возможности выбрать оптимальный способ изготовления тонких пленок.
Выбор способа зависит от типа требуемой пленки, от ограничений в выборе подложек и часто, особенно в случае многократного осаждения, от общей совместимо. сти различных процессов, протекающих прн применении етого метода. В.табл. 7 подведен итог по вопросу применимости обсужденных методов е мякрозлектронике. Заштрвхованиые клетки таблицы обозначают принципиальную возможность использовании метода, клетки, заштрихованные крест-накрест — широкое практическое применение. Методам вакуумного методы Финкаионаллте тстсне ние аоенсн тесиисю-' ксео жапг- Икдонил ли пинос ко- осатЯнип и воссто- ис теродод ноаевтгя иав» тектра- иияетям ятяя Вакииинт го исаа- иОННОЕР н„а аспвтения анодирода лия яр~вовкина, ,велистсры' ддитектри- иеские пленер, нвн- итагтеры активное прадврМ ввавоямче~в натедалы ддерслрлвте- наки чбй Годви?Вя т шамевсатио слоеные ыетодод пел ленин тонкие пленок д.
ниняоелектренике Сннсон.лннвратурьг -. испаренця н ионного расныленнн траднцнонно отдается предпоатевне в салу нх универсальности. Однако нельзя не учитывать потенциальной пол»аж, хнмннвскнх методов, поскольку нслольвавание нх может оказаться болев дешевым средством к достнженню поставленных задач. СПИСОК ЛИТЕРЛТУРЪ| 1. В ей гпд 1, К. Н., 1п Н.
О. Р. %1! вдог1 (ед.), "НЬгп РИшз", р. 1, Агпеисап Бес(е!у 1ог Ме!а!з, Ме!а!в Рвгк, ОЬю, !964. 2. СатрЬе11, Р. 8., гп Л. С. Апдегвоп (ед.), "ТЬе ()зе о1 'Ппп РИшв 1п Рйуь!са! !пчез!!6аИопв", р, 11, Асадешк Ргевв 1пс., Нею То К, 1966. 3. С атрЬе!1, )Л. 8., Ргос. Соп(. Е!ес1г1са! ()ьеь о! ТЫп Р!Ьпз, 1ЕИЕ Соп1. Ргос«по. 7, р. 3571, !966. 4. М !!а х ь о, О„"Е1ес!госйеш(з(гу", ЕВечгег РоЬИьй!п8 Сошрапу, Апьз1егдаш, 1963.
5. ЬохчепЬе1ш, Р. А« "Модегп Е!ес!гор!а!!п6", Лойп %!1еу 8 Бонз, 1пс«Невг Уогй, 1963. 6. В ге п пег, А., "Е1ес1годеровИ(оп о( ЛИоув", чо!. 1, 2, Асьдеш(с Ргеьв 1пс., Невг Уогй, 1963. 7. % ее Ь Л. М., "Е!ес1годеровЬИоп апд Соггоь!оп Ргосеьзев", !Л. Чап Ноь!гапд Сошрапу, 1пс., Рг1псИоп, Н. Л., 1965. 8. Ма1!ох, О. М, Е(ес!госЬет ТесН., 2, 295,!964. 9. О ог Ь п почв, К. М., апд А. А. Н!Ь!1о точа, "РйувкЬеш(са! Рг)псгр1ез о1 Н(сйе! Р!аИп6", 1вгае! Ргоягапппе !ог Бс!епИ!к Тгапз1аИопь, Легпва1епг, !963.
1О. Ло усе, В. А., !п Л. С. Апд егвоп (ед.), "ТЬе !Лве о! ТЫп РИшв!и РЬув!са! 1пчез1!Иа!!апач', р, 87, Асадеш1с Ргевь 1пс., Нем Увгй, 1966. 1!. 8 ой ае(ег, Н,, "С!геш!са! Тгапврог! Иеас!1опь", Асадепдс Ргеьь 1пс.„ Невг Уогй, 1964. 12. Г р его р Л., «Физика тонких плевок», под ред. Дж. Хасса, М., «Мнр», 1968, т.
3. 13. ь18 е и и а, Л, И,, Л, Арр!. РЬув., 36, 2703 (1965). 14. Но!1, Е«На!пге, 214,!105 (1967). 15. Ьем1в, В., ВпИ, 1РРБ, !8, 226 (!967). 16. Уо п п9, 1., "Апод!с Ох!де РИшь", Лсадешк Ргеьь 1пс., Нож Уогй, 1961. 17. М1)ез, Л. (.. апд Р. Н. Бт)!Ь, Л.
Е(ес!госйет, Бос., 110, 12 (!983). 18. Л а с Ь в о п, Ы. Р., Л. Ма1ег. Бс!., 2, 12 (1967). 19. Ечг11в, Н. С., Н, %. Соррег, апд Б, 8, Р! а воЬеп, Л, Е!е«1госйеш. Бос. И 1, 888 (1964). 20. В вен с, Ю. Р., «Коррозия и окисление металлов», М., Машгиь, 1962. 21. Р!гвй!и, %. А., апд Е. Е, Сонг ад, Е!ес1госйеш. Тесйпа!., 2, 196 (! 964). 22. (х а ч 1 в, Е. М., %. Е., Н а г д ! п д, И.
8. 8 с Ь «г а г 1 г, апд Л. Л. Со в)пя, 1ВМ Л. Кеь. 6ече1ор., 8,!02 (1964). 23. Б!п нег, Р„апд %. (,. Оегшап, "Сегаппс О!ахез", Вогез СопвоИда!ед, Ьопдоп, !964. 24. АпдпЬег1, И., апд 8. де Меп де, "ТЬе Рг!пс!р!ев о! Е1ес!горЬогев!в" Нгапв1а1ед Ьу А. Л. Рошегапв), Тп!сй!пвоп 8 Со. (РпЬ !зйегв). Ь!д., ьопдоп, 1959. 25. Н п( ! а д1п е, Л, В., апд А. О. Т й о т а в, Рохчдег Ме!., 7, 290 (1964). 26. 1. а чг1е з з, К. И«Л. Часшпп Бс!. ТесЬпо1«2, 1 (1965). Гл. 5. Осажденне тонкнх пленок хнмннескнмн методамн 27. Нег!!аде, Р. Л., апд М.
Т. (Ча!1«ег, Л. Е!ес1гоп. Соп1го1, 7, 542 (1960). 28. Непду,д. С., Н. О. )1!сЬагдв, апд А. »Ч. 5!горвоп, 3. Ма(ег. Зсг., 1, 127 (1966). 29. Р!с ба где, Н. О., ржча!е сопнпоп!са1!оп, 1966. 30, Па уэлл К., О коли Дж., Бл очер Дж., «Осажлеоие нз газовой фазы», М., Атомиздат, !970.
31. Р о ~ч е! 1, С. Г., ((е!. 30, рр. 277 апд 343. 32. Вгеппептапп, А. Е., апд 1.. Ч. Огедог, 3, Е!е«!го«бек« Бос., 112, 1!94 (!965). 33. '»ЧЬ!1е, Р., Е)е«!гоп!св )(е!)аЫ!1!у апд М!сгогп!п., 2, 161 (1963. 34. В гад!еу, А., апд 3. Р. На глазев, Л. Е!ес!госбепг. Зос., 110, !5 (1963). 35. С о и и е ! 1, Е. А., впд 1.. Ч. О г е д о г, 3.
Е!ес1госбепг, Зос,. 112, ! !98 (!965). 36. 51е г !)п 2, Н. Г., апд й. С. О. 5 аг а п и, бо!!д-5(а1е Е1ес1гоп., 8, 653 (1965). 37. Р е и в а Ь, 1., РЬув. Реч., 75, 472 (1949). 38. А)1, 1.. 1... 5. )Ч, !пд, Лг., впд К, Ж, Ьвепд1е, 3. Е!ес1госбепз. Зос., 110, 465 (!963). 39. ТЬепегег, Н, С» Л. Е!ес(го«бент. Бес., 108, 649 (1961). 40. Юнусе, В. А., рг!~а!е сопппоп!са1!ап, 1967. 41. СаЬгега, И., апд Ы Г, Мо11, Кер( Ргодг. РЬув» 12, !63 (1948— 1949) .
42. Ла с 2 вон, Н. Г» рПча1е сопилка!са1!оп,!967. 43. О а ч г е в, Т. А., рг1ча1е соппппп!са1!оп, 1967. 44. Л о улес с К., «Физика тонких пленок», под реп. Дж, Хасса, М., «Мнр», !970, т. 1, Глава б Подложки для тонких пленок РИЧАРД БРАУН СОДЕРЖАНИЕ 1. Введение 2. Материалы подложея 492 494 А. Процессы изготовления подложек 494 1) Стеклянвые подложки 2) Подложки из поликристаллической керамики 3) Монокристаллические подложки 4) Металлические подложни Б.
Свойства подложек 501 3. Поверхности подложек А. Методы оценки качества поверхности 507 1) Среднеквадратичная (кМ5) шероховатость 2) Среднеарифметическая (АА) шероховатость ° 610 Б, Текстура поверхности подложек В. Влияние текстуры поверхности на тонкопленочные компоненты 5!3 514 514 1) Тонкопленочные резисторы 2) Тонкопленочные конденсаторы 3) Магнитные пленки 4) Внутрисхемные соединения 515 515 516 Г. Плоскостность подложки 518 4. Свойства подложки, обусловленные ее химическим составом, А. Объемное удельное сопротивление Б. Дизлектрнческие свойства В, Стойкость 49! !) Нагрев подложки 2) Увеличение изображения Д.
Пористость 494 495 500 500 516 517 5!7 519 52! 522 Гл, 6. Лвдложки для тонких пленок 6. Термические н механические свойства А, Термические свойства. 1) Тепловое расширение ' 2) Теплопровьдность 6) Стойкость к термоударам и термическим напряжениям В, Предпосылки к тепловому расчету . !) Напряжения в глазурованных подложках .
2) Рассеяние мощности в тонкопленочных микросхемах, ,,; 525 626 :б27 .529 530 б30 531 В, Механические свойства 1) Контроль прочности 2) Разделение подложек 6. Очистка подложек,... ° А. Методы контроля чистоты поверхности, Б. Методы очистки . 1) Очистка растворителями 2) Очистка подложек нагреванием . 3] Очистка тлеющим разрядом 4) Прочие методы очистки . 5В! 533 536 542 1.
Стоимость н пригодность подложек Список литературы, 1. ВВЕДЕНИЕ Эта глава посвящена критериям выбора подходящего материала для подложек, удовлетворяющего всем спепкфическнм требованиям тбнкопле. ночной технологии. К сожалению, идеальных материалов для изготовления подложек не существует. В зависимости от требований к тонкИм плевкам для подложек применяются различные материалы, которые удовлетворшот компромиссным требованиям. В идеальном случае подложка не взаимодействубт с пленкой, но она должна обеспечивать механическую жесткость пленки и необходимую адгезию.
Однако практически подложка оказывает значительное влияние на характеристики тонкой пленки. Требования к подложкам и нх обоснований сведены в табл. 1 Основными характеристиками, рассмотренными в втой главе, являютсн: поверхности подложек, химический состав подложек и стабнльйость их свойств, теплопроводность и стоимость. Кроме того, рассматриваются дополнительные факторы, такие как термостабяльность, пористость, механическав прочность и простота изготовления. Требования к термостабальностн подложек фактически исключают использование органических матеркалов, посхольку последние разлагаются при температурах, меньших 250 С.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
