spr_pp (1050209), страница 13
Текст из файла (страница 13)
Предназначены для применения в стабилизированных блокахпитания. Аналог – КТ819ГМ. Выпускаются транзисторы 2N3055, имеющие размерыи цоколёвку, указанную на рисунке 54.105Таблица 5.1.15. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) среднейчастоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39].Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Тип прибоUэбо.раIк.макс, Iк.и.макс, {Uкэо.макс},AA[UкэR.макс],Bмакс,BРк.макс,ВтUкэ,h21ЭIк,{Uкб}, {Iэ},BAIкбо,Uкэ.нас, {Iкэо},B[IкэR],fгр,РисунокМГцмА1Т806А20254023010…100–100,6{12}10691Т806Б20256523010…100–100,6{12}10691Т813А30406025010…60–200,8{16}–691Т901А10–40–1520…5010{5}0,6830701Т901Б10–30–1540…10010{5}0,6830701Т905А3765–635…100{10}{3}0,5230711Т906А10–651,41530…150{10}{5}0,5{8}30711Т910АД102025–3550…32010{10}0,6630722Т505А122505525…140{10}{0,5}1,80,120462Т505Б122005525…140{10}{0,5}1,80,120462Т830А242512525…55{1}{1}0,60,14462Т830Б24455525…55{1}{1}0,60,14462Т830В24605525…55{1}{1}0,60,14462Т830В-1246052525…200{2}{1}0,60,14682Т830Г24805520…50{1}{1}0,60,14462Т830Г-1248052525…200{2}{1}0,60,14682Т836А34805520{5}{2}0,60,14732Т836Б34805520{5}{2}0,350,14732Т836В34405520{5}{2}0,450,14732Т842А5825055015{15}51,8120542Т842А-15825053010{4}{5}1,8110552Т842Б5815055015{15}51,8120542Т842Б-15815053010{4}{5}1,8110552Т860А248051040…160{1}{1}0,350,110462Т860Б246051050…200{1}{1}0,350,110462Т860В243051080…300{1}{1}0,350,110462Т883А1225051025{10}{0,5}1,80,120552Т883Б1220051025{10}{0,5}1,80,120552Т932А2–{80}4,52015…8031,51,5[0,5]3054ГТ804А10–{100}–1520…1501050,4{12}1071ГТ804Б10–{140}–1520…1501050,5{12}1071ГТ804В10–{190}–1520…1501050,6{12}1071ГТ806А15–{75}1,53010…100–100,6{15}1069ГТ806Б15–{100}1,53010…100–100,6{15}1069ГТ806В15–{120}1,53010…100–100,6{15}1069106Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Тип прибоUэбо.раIк.макс, Iк.и.макс, {Uкэо.макс},AA[UкэR.макс],Bмакс,BРк.макс,ВтUкэ,h21ЭIк,{Uкб}, {Iэ},BAIкбо,Uкэ.нас, {Iкэо},B[IкэR],fгр,РисунокМГцмАГТ806Г15–{50}1,53010…100–100,6{15}1069ГТ806Д15–{140}1,53010…100–100,6{12}1069ГТ810А1010[200]1,415151050,7201571ГТ906А10–751,41530…150{10}{5}0,5{8}–71ГТ906АМ10–751,41530…150{10}{5}0,5{8}–74КТ837А7,5–{60}153010…40522,50,15–55КТ837Б7,5–{60}153010…40522,50,15–55КТ837В7,5–{60}153020…80522,50,15–55КТ837Г7,5–{45}153010…40520,50,15–55КТ837Д7,5–{45}153010…40520,50,15–55КТ837Е7,5–{45}153020…80520,50,15–55КТ837Ж7,5–{30}153010…40522,50,15–55КТ837И7,5–{30}153010…40522,50,15–55КТ837К7,5–{30}153020…80522,50,15–55КТ837Л7,5–{60}53010…40522,50,15–55КТ837М7,5–{60}53020…80522,50,15–55КТ837Н7,5–{60}53050…150522,50,15–55КТ837П7,5–{45}53010…40520,90,15555КТ837Р7,5–{45}53020…80520,90,15–55КТ837С7,5–{45}53050…150520,90,15–55КТ837Т7,5–{30}53010…40520,50,15–55КТ837У7,5–{30}53020…80520,50,15–55КТ837Ф7,5–{30}53050…150520,50,15–55КТ851А2–20052540…200100,51[0,1]2075КТ851Б2–25052520…200100,51[0,5]2075КТ851В2–15052520…200100,51[0,5]2075КТ855А5–{250}540204211575КТ855Б5–{150}540204210,1575КТ855В5–{150}540154211575КТ865А10–160610040…200{4}{2}20,11554П601АИ–1,5250,7340…10030,521,52076П601БИ–1,5250,7380…20030,521,52076П601И–1,5200,732030,5222076П602АИ–1,5200,7380…20030,521,53076П602И–1,5250,7340…10030,521,53076П6050,51,5351320…6030,5223076П605А–1,5351350…12030,5223076П6060,51,5200,5320…6030,5223076107Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Тип прибоUэбо.раIк.макс, Iк.и.макс, {Uкэо.макс},AA[UкэR.макс],BП606А0,51,520макс,B0,5Рк.макс,Вт3Uкэ,h21Э50…120Iк,{Uкб}, {Iэ},BA30,5Iкбо,Uкэ.нас, {Iкэо},B[IкэR],fгр,РисунокМГцмА223010876Таблица 5.1.16.
Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) среднейчастоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39], [18, стр. 214 – 215, 252 – 253].Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Uкбо.макс,[UкэR.макс],{Uкбо.{Uкэо.макс},и.макс},BB21502501010–[60]–2Т808А10–[120]2Т809А352Т812А102Т812БТип прибораIк.Iк.и.макс,макс,AA2Т504Б12Т803АРк.макс,{Рк.ср.макс},Uкэ,h21ЭВтIк,Uкэ.Iкбо,{Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR},fгр,РисунокМГцBABмА15…140{5}{0,5}10,120466018…801052,512069–5010…5036–{3}8,469[400]–4015…100521,5{3}5,16917[700] и–505…30382,553,5541017[500] и–505…30382,553,5542Т824А1017350–5052,582,553,5672Т824АМ1017350–5052,582,553,5572Т824Б1017350–5052,582,553,5672Т824БМ1017350–5052,582,553,5572Т826А11500–1510…120100,12,5{2}4542Т826Б11600–1510…120100,12,5{2}4542Т826В11500–1510…120100,12,5{2}6542Т828А57,5700–502,2554,5354542Т839А101070015005051041,515542Т841А10153506002512…45551,5310542Т841А-110153506002510{5}{5}1,5310552Т841Б10152504005012…45551,5310542Т841Б-110152504003010{5}{5}1,5310552Т844А1020250–5010…50362,5{3}7,2542Т845А57,5400–4015…100521,5{3}4,5542Т847А1525360–1258…253151,5515542Т847Б1525400–1258…253151,5515542Т856А101245010007510…30551,5310542Т856Б10124008007510…60551,5310542Т856В1013006007510…60551,5310542Т862А15302504507010…1005152520542Т862Б15252504505010…1005152520542Т862В10153506005012…45551,5320542Т862Г10154006005012…50551,5320542Т866А20201002003015…100{10}{10}1,5252577KU6122––120102060,2–0,39114KUY1210––21070101,78–19115КТ506А2–[800]8001030…150{5}{0,3}0,611046КТ801А2–[80]–513…50512{10}1078109Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Uкбо.макс,[UкэR.макс],{Uкбо.{Uкэо.макс},и.макс},BB–[60]–55––150КТ803А10–[60]КТ805А58КТ805Б5КТ805БМТип прибораIк.Iк.и.макс,макс,AAКТ801Б2КТ802АРк.макс,{Рк.ср.макс},Uкэ,h21ЭВтIк,Uкэ.Iкбо,{Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR},fгр,РисунокМГцBABмА30…150512{10}10785015{10}25601069–6010…701052,5{5}2069[160]–{30}151022,5{60}20698[135]–{30}151025{70}206958[135]–{30}151025{70}2055КТ805ВМ58[135]–{30}151022,5{70}2055КТ807А0,51,5[100]–1015…4550,51{5}579КТ807АМ0,51,5[100]–1015…4550,51{5}548КТ807Б0,51,5[100]–1030…10050,51{5}579КТ807БМ0,51,5[100]–1030…10050,51{5}548КТ808А10–[120]–5010…5036–{3}8,469КТ808АМ10121302506020…12532221054КТ808БМ10121001606020…125322{25}3054КТ808ВМ1012801356020…12532221054КТ808ГМ101270806020…12532221054КТ809А35[400]–4015…100521,5{3}5,169КТ812А812[700] и–5042,582,553,554КТ812Б812[500] и–5042,582,553,554КТ812В812[300] и–5010…12552,52,553,554КТ826А11500–1510…120100,12,5{2}654КТ826Б11600–1510…120100,12,5{2}654КТ826В11600–1510…120100,12,5{2}654КТ839А10–{1500}15005051041,51–54КТ841А10––6005012…45{5}{5}1,551354КТ845А57,5[400]–4015…100521,5{3}5,154КТ847А15–{650}–1258…253151,531554КТ854А10–{500}6006020{4}{2}231075КТ854Б10–{300}4006020{4}{2}231075КТ859А3–[800]80040101011,519,975КТ864А10–16020010040…200{4}{2}20,11554КТ908А10–[100]140508…602101,5{3}8,469КТ908Б10–[60]1406020441{50}3069П7010,51[40]401010…40{10}0,570,12065П701А0,51[60]601015…60{10}0,270,12065П701Б0,5–[40]401030…100{10}0,570,12065П7022–{60}604025{10}{1,1}2,55469П702А2–{60}604010{10}{1,1}42,5469110Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Uкбо.макс,[UкэR.макс],{Uкбо.{Uкэо.макс},и.макс},BB25{30}{50}801625{60}{100}ТК135-25-1,51625{90}ТК135-25-21625ТК135-25-2,516ТК135-25-3Тип прибораIк.Iк.и.макс,макс,AAТК135-25-0,516ТК135-25-1Рк.макс,Uкэ,{Рк.ср.макс},h21ЭIк,Uкэ.Iкбо,{Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR},Втfгр,РисунокМГцBABмА10…100512,52106548010…100512,5210654{150}8010…100512,5210654{120}{200}8010…100512,521065425{150}{250}808512,52106542025{180}{300}808512,5210654ТК135-25-3,52025{210}{350}808512,5210654ТК135-25-42025{240}{400}808512,5210654ТК235-32-0,52032{30}{50}11010…100516210466ТК235-32-12032{60}{100}11010…100516210466ТК235-32-1,52032{90}{150}11010…100516210466Ниже показаны типовая входная и выходные характеристики транзисторов типовКТ812А, КТ812Б [27].Iк, АIэ, АUкб=07006005001044008300320061002412012АIб=30м3 Uэб, В0Рисунок 1.
Типовая входная характеристикатранзисторов типа КТ812А, КТ812Б (всхеме с общей базой).1234 Uкэ, ВРисунок 2. Выходные характеристикитранзисторов типа КТ812А, КТ812Б (всхеме с общем эмиттером).Транзистор KUY12 выпускается в корпусе TO-3 и имеет аналог КТ812В.Транзистор KU612 выпускается в корпусе SOT-9 и имеет аналог КТ801А.Транзистор КТ805Б имеет аналог BDY12, выпускаемый в корпусе MD-17.111Таблица 5.1.17. Транзисторы p-n-p составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)средней частоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.Uкэо.гр,Uкбо.
Uэбо.макс,макс,{UкэR.макс},макс,макс,ААBBB2Т825А204080–5160750…180002Т825Б204060–51602Т825В204045–52Т825А-21540801002Т825Б-21540602Т825В-21540Рк.макс,ВтUкб,h21Э{Uкэ},Iк,Uкэ.нас, Iкбо,fгр,РисунокАBмАМГц10102–454750…1800010102–454160750…1800010102–454530750…1800010102–45580530750…1800010102–4554560530750…1800010102–455BКТ825Г203070–512575010102–454КТ825Д203045–512575010102–454КТ825Е203025–512575010102–454КТ852А2,5–{100}100550500{4}{2}2,51775КТ852Б2,5–{80}80550500{4}{2}2,51775КТ852В2,5–{60}60550500{4}{2}2,51775КТ852Г2,5–{45}45550500{4}{2}2,51775КТ853А8–{100}100560750{3}{3}20,2775КТ853Б8–{80}80560750{3}{3}20,2775КТ853В8–{60}60560750{3}{3}20,2775КТ853Г8–{45}45560750{3}{3}20,2775112Таблица 5.1.18.
Транзисторы n-p-n составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)средней частоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39], [18, стр. 258 – 259].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,АА2Т827А20402Т827А-2202Т827А-5Uкэо.гр,Uкбо. Uэбо.Рк.макс,РисунокUкэ,Iк,Uкэ.нас,IкэR,fгр,BАBмАМГц750…1800031023454125750…18000310234805125750…1800031023481805125750…180003102345480805125750…180003102348060605125750…18000310234544060605125750…180003102348020400–8100150…300055234541520350–8100150…300055234542Т834В1520300–8100150…30005523454BD647812100100562,575033––7113КТ827А20401001005125750…1800031023454КТ827Б204080805125750…1800031023454КТ827В204060605125750…1800031023454КТ829А8121001005607503321,5482КТ829Б81280805607503321,5482КТ829В81260605607503321,5482КТ829Г81245455607503321,5482КТ834А1520400–8100150…30005523454КТ834Б1520350–8100150…30005523454КТ834В1520300–8100150…30005523454макс,макс,BB100100512540100100520401001002Т827Б2040802Т827Б-220402Т827В20402Т827В-2202Т834А152Т834БBВтh21ЭТранзистор BD647 имеет корпус TO-220; ближайший аналог – КТ829А.113Таблица 5.1.19.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
