F60-67 (1041605), страница 34
Текст из файла (страница 34)
Всегда можно заблокировать дополнительные страницы путем записи байтов защиты.6. Если страница, содержащая байты защиты, не заблокирована, то ее можно стереть. Это приведетк сбросу байтов защиты и к разблокировке всех страниц Flash-памяти.7. Если страница, содержащая байты защиты, заблокирована, то для ее разблокировки необходимостереть все адресное пространство памяти МК посредством JTAG-интерфейса. Это приведетк стиранию всех страниц Flash-памяти, включая страницу, содержащую байты защиты, и самибайты защиты.8.
Зарезервированную область памяти никогда нельзя прочитать, записать или стереть.Доступ к Flash-памяти из программы, находящейся ниже адреса FAL:1. Байты блокировки чтения и записи/стирания (байты защиты) не ограничивают доступ к Flashпамяти из программы пользователя.2. Любая страница Flash-памяти, за исключением страницы, содержащей байты защиты, может бытьпрочитана, записана или стерта.3. Страницу, содержащую байты защиты, нельзя стереть. Разблокировка страниц Flash-памятиможет быть выполнена только посредством интерфейса JTAG.4. Страницу, содержащую байты защиты, можно прочитать или записать.
Страницы Flash-памятиможно заблокировать для доступа посредством интерфейса JTAG путем записи байтов защиты.5. Зарезервированную область памяти никогда нельзя прочитать, записать или стереть.Доступ к Flash-памяти из программы, находящейся выше адреса FAL:1. Байты блокировки чтения и записи/стирания (байты защиты) не ограничивают доступ к Flashпамяти из программы пользователя.2.
Любая страница Flash-памяти, расположенная с и выше адреса FAL, за исключением страницы,содержащей байты защиты, может быть прочитана, записана или стерта.3. Любая страница Flash-памяти, расположенная ниже адреса FAL, не может быть прочитана,записана или стерта.4. Разрешены программные переходы по адресам памяти, расположенным ниже адреса FAL.5. Страницу, содержащую байты защиты, нельзя стереть. Разблокировка страниц Flash-памятиможет быть выполнена только посредством интерфейса JTAG.6. Страницу, содержащую байты защиты, можно прочитать или записать. Страницы Flash-памятиможно заблокировать для доступа посредством интерфейса JTAG путем записи байтов защиты.7.
Зарезервированную область памяти никогда нельзя прочитать, записать или стереть.183Ред. 1.2C8051F060/1/2/3/4/5/6/7Рисунок 16.4. FLSCL: Регистр управления контроллером Flash-памятиR/WFOSER/WFRAER/WЗарезерв.R/WЗарезерв.R/WЗарезерв.R/WЗарезерв.Бит 7Бит 6Бит 5Бит 4Бит 3Бит 2R/WЗарезерв.Бит 1R/WFLWEБит 0Значениепри сбросе:10000000SFR Адрес: 0xB7SFR страница: 0Бит 7: FOSE: Включение ждущего таймера модуля Flash-памятиЭто таймер, который отключает усилитель считывания после операций чтения Flash-памяти.0: Ждущий таймер модуля Flash-памяти выключен.1: Ждущий таймер модуля Flash-памяти включен (рекомендуемое значение).Бит 6: FRAE: Разрешение постоянного чтения Flash-памяти0: Чтение Flash-памяти происходит по необходимости (рекомендуемое значение).1: Чтение Flash-памяти происходит каждый системный тактовый цикл.Биты 5-1: Зарезервированы.
Читаются как 00000b. В эти биты следует записать значение 00000b.Бит 0: FLWE: Разрешение записи/стирания Flash-памяти.Чтобы разрешить запись/стирание Flash-памяти из программы пользователя, необходимоустановить этот бит в 1.0: Операции записи/стирания Flash-памяти запрещены.1: Операции записи/стирания Flash-памяти разрешены.Ред. 1.2184C8051F060/1/2/3/4/5/6/7Рисунок 16.5. PSCTL: Регистр управления записью/стиранием памяти программR/WБит 7R/W-R/W-R/W-R/W-R/WSFLER/WPSEER/WPSWEБит 6Бит 5Бит 4Бит 3Бит 2Бит 1Бит 0Значениепри сбросе:00000000SFR Адрес: 0x8FSFR страница: 0Биты 7-3: Не используются.
Читаются как 00000b. Запись не оказывает никакого влияния.Бит 2: SFLE: Разрешение доступа к сверхоперативному сектору Flash-памяти.Когда этот бит установлен в 1, операции чтения и записи Flash-памяти, выполняемые из программыпользователя, относятся к 128-байтному сверхоперативному сектору Flash-памяти. Если SFLE = 1, тоне следует пытаться обращаться по адресам Flash-памяти за пределами диапазона 0x00 – 0x7F.Чтение/запись ячеек памяти за пределами этого диапазона приведет к неопределенному результату.0: При обращении к Flash-памяти из программы пользователя происходит обращение к сектору Flashпамяти программ/данных.1: При обращении к Flash-памяти из программы пользователя происходит обращение к 128-байтномусверхоперативному сектору Flash-памяти.Бит 1: PSEE: Разрешение стирания памяти программ.Установка этого бита разрешает стереть целую страницу Flash-памяти программ при условии, что битPSWE также установлен.
После установки этого бита запись во Flash-память с использованиемкоманды MOVX сотрет целую страницу, которая содержит ячейку, адресуемую командой MOVX(значение записываемого байта данных не важно). Примечание: из программы нельзя стеретьстраницу Flash-памяти, содержащую байт блокировки чтения и байт блокировкизаписи/стирания.0: Стирание Flash-памяти программ запрещено.1: Стирание Flash-памяти программ разрешено.Бит 0: PSWE: Разрешение записи памяти программ.Установка этого бита разрешает запись байта данных во Flash-память программ, используякоманду MOVX . Адресуемая в команде MOVX ячейка памяти должна быть стертой.0: Запись во Flash-память программ запрещена. Операции записи MOVX относятся к внешнему ОЗУ.1: Запись во Flash-память программ разрешена. Операции записи MOVX относятся к Flash-памяти.185Ред.
1.2C8051F060/1/2/3/4/5/6/7Ред. 1.2186C8051F060/1/2/3/4/5/6/717. ИНТЕРФЕЙС ВНЕШНЕЙ ПАМЯТИ ДАННЫХ И ВСТРОЕННАЯПАМЯТЬ XRAM.МК C8051F060/1/2/3/4/5/6/7 содержат 4 Кбайт встроенного ОЗУ, отображенные в пространствевнешней памяти данных (XRAM). Кроме этого МК C8051F060/2/4/6 интерфейс внешней памяти данных(external memory interface – EMIF), который может использоваться для доступа к внешней (не встроенной)памяти и отображенным на память устройствам, присоединенным к портам ввода/вывода общего назначения.Доступ к пространству внешней памяти осуществляется либо с использованием команды MOVX и указателяданных DPTR, либо с использованием команды MOVX с косвенным режимом адресации (используя регистрыR0 и R1).
Если команда MOVX используется с 8-битным операндом адреса (например, @R1), то старший байт16-битного адреса берется из регистра управления интерфейсом внешней памяти EMI0CN (см. рис.17.1).Примечание: команда MOVX также используется для записи во Flash-память (см. раздел 16). Поумолчанию команда MOVX обращается к памяти XRAM.17.1. Доступ к памяти XRAMДля доступа к пространству памяти XRAM (как внутренней, так и внешней) используется командаMOVX. Команда MOVX имеет две формы, причем обе используют косвенный режим адресации.
В первойформе используется 16-разрядный указатель данных (DPTR), содержащий полный адрес ячейки памяти XRAM,которую требуется прочитать или записать. Во второй форме для получения полного адреса ячейки памятиXRAM используются регистры R0 или R1 в комбинации с регистром EMI0CN. Ниже приведены примерыиспользования команды MOVX в обоих формах.17.1.1. Пример использования команды MOVX с 16-разрядным адресомКоманда MOVX в 16-разрядной форме обращается к ячейке памяти, на которую указывает содержимоерегистра DPTR. Следующая последовательность команд осуществляет чтение байта по адресу 0х1234 ваккумулятор А:MOV DPTR, #1234h ; загрузка в DPTR 16-разрядного адреса 0х1234MOVX A, @DPTR; загрузка содержимого ячейки памяти с адресом 0х1234 в аккумулятор АВ приведенном выше примере регистр DPTR загружается сразу 16-разрядным значением адреса(используя команду MOV).
Кроме этого, к регистру DPTR можно обращаться через SFR регистры DPH,который содержит старшие 8 бит DPTR, и DPL, который содержит младшие 8 бит DPTR.17.1.2. Пример использования команды MOVX с 8-разрядным адресомКоманда MOVX в 8-разрядной форме использует содержимое регистра EMI0CN, чтобы определитьстаршие 8 бит полного адреса, по которому происходит обращение, и содержимое регистров R0 или R1, чтобыопределить младшие 8 бит полного адреса. Следующая последовательность команд осуществляет чтение байтапо адресу 0х1234 в аккумулятор А:MOV EMI0CN, #12h ; загрузка старшего байта адреса в регистр EMI0CNMOV R0, #34h; загрузка младшего байта адреса в регистр R0 (или R1)MOVX A, @R0; загрузка содержимого ячейки памяти с адресом 0х1234 в аккумулятор А187Ред. 1.2C8051F060/1/2/3/4/5/6/717.2.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
