Проектирование и технология производства электронной аппаратуры (1037621), страница 3
Текст из файла (страница 3)
— М.: Высшая школа, 1984. 6. Шахнов В.А., Зинченко Л.А., Соловьев В.А., Курносенко А.Е. Основы конструирования в Бойд Едбе. Пособие по проектированикг изделий в приборостроении: Учебное пособие М.: ДМК Пресс, 2014. — 372 с. ДИСЦИПЛИНА 3. Формирование пленок из проводящих, резистивных и диэлектрических материалов Основные свойства полупроводниковых и иных материалов, применяемых в технологических процессах формирования микроэлектронных структур. Классификация подложек интегральных микросхем, Технологический процесс получения пластин полупроводникового кремния.
Получение металлического кремния, Очистка металлического кремния, Выращивание слитка по методу Чохральского. Зонная очистка слитка. Резка слитка на пластины. Основы тонкопленочной технологии. Материалы пленок. Термическое вакуумное напыление, Виды испарителей. Способы уменьшения неравномерности толщины пленок, Распыление ионной бомбардировкой.
Катодные системы. Ионно-плазменные системы. Магнетронные системы. Толстопленочная технология. Виды паст. Основные операции при толстопленочной технологии, Пленочные резисторы, конденсаторы и индуктивности. Проектирование топологии пленочных элементов. Расчет параметров пленочных элементов.
Подгонка параметров пленочных элементов. Формирование полупроводниковых структур Конструкция биполярного транзипора в интегральном исполнении. Конструкция МОП транзистора в интегральном исполнении. Резисторы в интегральном исполнении. Конденсаторы в интегральном исполнении. Диоды в интегральном исполнении, Изоляция между элементами. Совмещенные интегральные микросхемы Расчет топологии биполярного транзистора.
Расчет топологии МОП транзистора. Литография. Фотолитография. Рентгенолитография Электронолитография. Ионно-лучевая литография Технология двойного фотошаблона. Использование фазосдвигающих масок. Использование внеосевого излучения. Литография предельного ультрафиолета. Термическая диффузия.
Законы Фика, Условие возникновения р-и перехода Диффузия из неограниченного источника. Диффузия из ограниченного источника. Диффуэанты. Ионная имплантация. Формирование глубокозалезающих р-и переходов, Эпитаксия. Термическое окисление. Химико-механическая планаризация. Диффузионно-планарная структура. Эпитаксиально-планарная структура. Структура с диэлектрической изоляцией. Изопланарная структура. Полипланарная структура. КМОП структура.
Структура кКремний на сапфире». Структура кКремний на изоляторе». Способы разделения пластин. Резка пластин диском с наружной алмазной кромкой, Алмазное скрайбирование. Лазерное скрайбирование. Электронно-лучевое скрайбирование. Разламывание пластин на кристаллы. Разделение пластин гибридных интегральных схем. Корлусиравание и герметизация интегральных микросхем и микросборок, Классификация корпусов интегральных микросхем, Советские и импортные корпуса интегральных микросхем. Периферийное и матричное расположение выводов, Корпуса О!Р.
Корпуса Рбд. Корпуса 1СС, Корпуса ОРР. Корпуса Вбд. Монтаж компонентов микроэлектроники приклеиванием, пайкой металлическими припоями и микросваркой. Применяемые материалы и технология монтажа. Электрический монтаж компонентов. Варианты монтажа кристаллов ИМС: с помощью проволочных перемычек, ленточных выводов, объемных матричных выводов. Технология формирования ленточных и объемных выводов. Метод перевернутого кристалла. Монтаж кристаллов непосредственно на плату. Виды герметизации.
Корпусная и бескорпусная герметизация. Герметизация методом обволакивания. Метод свободной заливки. Метод заливки в корпуса. Герметизация прессованием. Шовноклеевая герметизация. Герметизация пайкой. Герметизация сваркой — холодной, электроконтактной, аргонодуговой, лазерной. Контроль герметичности интегральных микросхем, Перечень вопросов. 1.
2, 3, 5. Б. 7. 8. 9, 10 11 12 13 14 15 16 17 Классификация интегральных микросхем. Подложки полупроводниковых интегральных микросхем. Подложки гибридно-пленочных интегральных микросхем. Технология получения чистого кремния. Структура и топология биполярного транзистора. Структура и топология ВЛОП транзистора. Диоды в интегральном исполнении. Резисторы в интегральном исполнении.
Конденсаторы в интегральном исполнении. Пленочные элементы. Фотолитография. Рентгенолитография, Электронолитография. Ионне-лучевая литография. Диффузия иэ ограниченного источника. Диффузия из неограниченного источника. Ионнал имплантация. 18. Зпитаксия. 19. Диффузионно-план»рная структура. 20. Элита«скал»но-план»рная структура, 21. Структура с днзле«трической изоляцией. 22. Изопланарная структура.
23. Полипланарная структура. 24. КМОП структура. 25. Структура «Кремний-на-сапфире». 26, Структура «Кремний-на-изоляторе». 27. Термическое вакуумное напыление. 28. Виды испарителей. 29. Ионно-луче»ое испарение. 30. К»годная система распыления. 31. Ионна-плазменное распыление. 32. Магнетронные системы. 33. Толстопленочная технология. 34. Разделение пластин на кристаллы. 35. Способы монтажа кристаллов на подложке.
36. Многокристальные модули. 37. Герметизация методом обволакивания. 38. Метод свободной заливки во вспомогательные формы. 39. Метод свободной заливки в корпуса. 40. Компрессионное прессование. 41. Литьевое прессование. 42. Герметизация корпусов клеем. 43. Герметизация корпусов пайкой. 44. Герметизация корпусов холодной сваркой. 45. Герметизация корпусов аргонно-дуговой сваркой. 46. Герметизация корпусов лазерной сваркой, 47. Герметизация корпусов шпаной контактной сваркой.
48. Методы контроля герметичности, Основная учебная литература. 1. Конструкторско-технологическое проектирование злектронной аппаратуры. Учебник для вузов., Под общ. Ред. В.А.Шахнова. — 2-е изд„перераб. и доп. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э.Баумана, - 2005. — 563 с.: ил. 2. Коледов Л,А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. Учебное пособие для вузов. — М.: Изд-во «Лань», - 2008, 400 с.: ил.
3. Парфенов О.Д. Технология микросхем. Учебное пособие для вузов. — М.: «Радио и связь», 1936. — 176 с.: ил. Дополнительная учебная литература. 1. Мурога С. Системное проектирование свербольших интегральных схем: в 2 кн, г' Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. 2. К.Пирс, А.Адамс, Дж. Цай, Т.Сейдел, Д.Макгиллис, Технология СБИС. В 2-х кн., Кн.1. Пер. с англ. Под ред. С,Зи. — М.: Изд-во «Мир», 1986, -404 с.: ил. 3. Г,Я.Гуськов, Г,А.Блинов, А.А.Газаров. Монтаж микрозлектронной аппаратуры. — М.: «Радио и связь», 1986.- 1?б с., ил. 4.
Варламов П.И., Елсуков К.А., Макарчук В,В. Технологические процессы в наноинженерии: учеб. пособие. — М,: Изд-во МПУ им. Н. 9. Баумана, 2011. -176 с.: ил. (Библиотека «Наноинженерия»: в 17 кн. Кн. 2). 10 5. Макарчук В.В., Родионов И.А., Цветков Ю,Б. Методы литографии в наноинженерии: учеб. пособие, — М.: Изд-во МГТУ им, Н. 3, Баумана, 2011. — 176 с.: ил, (Библиотека «Наноинженерия»: в 17 кн.
Кн. 9). ДИСЦИПЛИНА4. Длгоритмические методы решения задач конструирования (компоновки, размещения, трассировки) Сущность и постановка задач конструирования электронных средств. Их характеристика, Целевые функции. Ограничения. Глобальные и локальные критерии оптимизации, Формализация представления электрических принципиальных схем.
Методы решения задач компоновки схем электрических принципиальных, Классификация, сравнительная оценка, математическая постановка задач компоновки. Ограничения. Методы решения задач компоновки. Классификация, общая характеристика алгоритмов размещения. Критерии. Ограничения. Классификация, характерные особенности алгоритмических методов трассировки. Основные этапы и уровни проектирования электронной аппаратуры. Принципы построения и организации автоматизированных систем интегрированного комплекса конструкторско-технологической подготовки производства злектроннык средств Структура интегрированного комплекса САПР изделий электронных средств, Жизненный цикл изделий электронных средств. Системы функционального проектирования САПР-Ф или САЕ (Согпротег А(дед Епй(пеег)пб) системы.
Конструкторские САПР-К или САО (Согпри1ег АЫед Оеййп) системы. Конструкторские САПР-Т или САМ (Согпритег АИед Мали(астиг)пб) системы. Автоматизированные системы технологической подготовки производства (АСТПП). Основные задачи АСТПП. Структурная и функциональная схема АСТПП. Схема функциональных связей между системами АСТПП. Информационное и математическое обеспечение, технические средства АСТПП. Автоматизированные системы проектирования технологических процессов (АСПТП). Основные задачи АСПТП. Структурная, информационная и функциональная модель АСПТП.
вопросов. 11 12 Перечень 1. 2. 5. б. 8. 1О. Основные направления автоматизации конструирования ЗС. Метод функционально-структурного анализа и синтеза. Алгоритмизация процесса конструирования ЗС. Длгоритмнэация проектных процедур. Методы и средства Формализованного описания конструктивных модулей в САПР.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
